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11. 发明专利

TW200930466A 化學液體供應單元以及使用該單元的基板處理裝置與方法 CHEMICAL LIQUID SUPPLY UNIT, AND SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD USING THE SAME 失效
简体标题：化学液体供应单元以及使用该单元的基板处理设备与方法 CHEMICAL LIQUID SUPPLY UNIT, AND SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD USING THE SAME
公开(公告)号：TW200930466A
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：TW097142564
申请日：2008-11-04
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：柳寅 RYU, IN-CHEOL
IPC分类号： B05C , G03F
CPC分类号： G03F7/162 , H01L21/6715 , H01L21/67248
摘要：本案提供一種基板處理單元以及使用此單元的基板處理裝置與方法。提供兩個噴嘴臂,且光阻液噴嘴以及有機溶劑噴嘴安裝在噴嘴臂中之每一者中。流入所述光阻液噴嘴的光阻液的溫度以及流入所述有機溶劑噴嘴的有機溶劑的溫度藉由與其流過相同通道的溫度控制液來保持。而且,提供等待埠,製程中所使用的噴嘴臂在此等待埠中暫時等待。將有機溶劑提供至製程中未使用到的光阻液噴嘴中,而不將有機溶劑提供至製程中所使用的光阻液噴嘴中。
简体摘要：本案提供一种基板处理单元以及使用此单元的基板处理设备与方法。提供两个喷嘴臂,且光阻液喷嘴以及有机溶剂喷嘴安装在喷嘴臂中之每一者中。流入所述光阻液喷嘴的光阻液的温度以及流入所述有机溶剂喷嘴的有机溶剂的温度借由与其流过相同信道的温度控制液来保持。而且,提供等待端口,制程中所使用的喷嘴臂在此等待端口中暂时等待。将有机溶剂提供至制程中未使用到的光阻液喷嘴中,而不将有机溶剂提供至制程中所使用的光阻液喷嘴中。

12. 发明专利

TW200929430A 基板支撐單元及其基板處理設備 SUBSTRATE SUPPORTING UNIT AND APPARATUS FOR REATING SUBSTRATE USING THE SUBSTRATE SUPPORTING 失效
简体标题：基板支撑单元及其基板处理设备 SUBSTRATE SUPPORTING UNIT AND APPARATUS FOR REATING SUBSTRATE USING THE SUBSTRATE SUPPORTING
公开(公告)号：TW200929430A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097137705
申请日：2008-10-01
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：鄭惠善 JUNG, HYE-SON , 李昇浩 LEE, SEUNG-HO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67313 , Y10S134/902
摘要：一種基板支撐單元與使用該基板支撐單元的基板處理設備。該基板支撐單元包含一底板與一形成於該底板上之支撐部。該支撐部包含兩個支撐桿與複數個支撐構件。該兩個支撐桿向一預先決定的方向延伸以便彼此分隔。該複數個支撐構件係被設置於該預先決定的方向上以便彼此分隔。每一該支撐構件連接該等支撐桿。
简体摘要：一种基板支撑单元与使用该基板支撑单元的基板处理设备。该基板支撑单元包含一底板与一形成于该底板上之支撑部。该支撑部包含两个支撑杆与复数个支撑构件。该两个支撑杆向一预先决定的方向延伸以便彼此分隔。该复数个支撑构件系被设置于该预先决定的方向上以便彼此分隔。每一该支撑构件连接该等支撑杆。

13. 发明专利

TW200929426A 基板處理裝置以及使用該裝置處理基板的方法 APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR TRANSFERRING SUBSTRATE USING THE SAME 审中-公开
简体标题：基板处理设备以及使用该设备处理基板的方法 APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR TRANSFERRING SUBSTRATE USING THE SAME
公开(公告)号：TW200929426A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097142558
申请日：2008-11-04
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：金德植 KIM, DUK-SIK , 李俊宰 LEE, JOON-JAE
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67769 , H01L21/67178 , H01L21/67745 , H01L21/67766 , H01L21/67778
摘要：一種基板處理裝置包括:具有雙層結構之第一處理單元,其中進行塗佈製程之第一處理部份和進行顯影製程之第二處理部份豎向佈置;第一緩衝單元,提供一空間,在此暫時存放在第一處理部份經受處理之基板;第二緩衝單元,提供一空間,在此暫時存放將在第二處理部份經受處理之基板;以及介面單元,在第一緩衝單元和第二緩衝單元與進行曝光製程之第二處理單元之間轉移基板。介面單元包括鄰近第一處理單元設置之框架以及設置於該框架中之第一基板接收部份,第一基板接收部份接收在第一緩衝單元中接收並將要轉移至第二處理單元之基板。
简体摘要：一种基板处理设备包括:具有双层结构之第一处理单元,其中进行涂布制程之第一处理部份和进行显影制程之第二处理部份竖向布置;第一缓冲单元,提供一空间,在此暂时存放在第一处理部份经受处理之基板;第二缓冲单元,提供一空间,在此暂时存放将在第二处理部份经受处理之基板;以及界面单元,在第一缓冲单元和第二缓冲单元与进行曝光制程之第二处理单元之间转移基板。界面单元包括邻近第一处理单元设置之框架以及设置于该框架中之第一基板接收部份,第一基板接收部份接收在第一缓冲单元中接收并将要转移至第二处理单元之基板。

14. 发明专利

TW200929420A 製程液體之供應設備及應用其之基板處理設備 APPARATUS FOR SUPPLYING A PROCESS FLUID AND APPARATUS FOR PROCESSING A SUBSTRATE HAVING THE SAME 审中-公开
简体标题：制程液体之供应设备及应用其之基板处理设备 APPARATUS FOR SUPPLYING A PROCESS FLUID AND APPARATUS FOR PROCESSING A SUBSTRATE HAVING THE SAME
公开(公告)号：TW200929420A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097143758
申请日：2008-11-12
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：李正洙 LEE, JUNG-SOO , 朴奇洪 PARK, GI-HONG
IPC分类号： H01L
摘要：於加工流體提供裝置及應用其之基板加工設備中,加工流體刀具係沿著平行於基板之表面的方向延伸,且具有一狹縫噴嘴,以提供加工流體。桿體沿著刀具之延伸方向延伸穿過刀具,且一拉力係於刀具之延伸方向上提供至桿體,以避免刀具下垂。如此一來,因刀具下垂而可能損害基板的情況係可減少或避免,且更進一步來說,加工流體係可均勻地提供至基板上。
简体摘要：于加工流体提供设备及应用其之基板加工设备中,加工流体刀具系沿着平行于基板之表面的方向延伸,且具有一狭缝喷嘴,以提供加工流体。杆体沿着刀具之延伸方向延伸穿过刀具,且一拉力系于刀具之延伸方向上提供至杆体,以避免刀具下垂。如此一来,因刀具下垂而可能损害基板的情况系可减少或避免,且更进一步来说,加工流体系可均匀地提供至基板上。

15. 发明专利

TW200926277A 基板處理裝置以及清潔方法 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF CLEANING THE SAME 审中-公开
简体标题：基板处理设备以及清洁方法 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF CLEANING THE SAME
公开(公告)号：TW200926277A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW097138927
申请日：2008-10-09
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：崔忠植 CHOI, CHUNG-SIC , 吳來澤 OH, RAE-TAEK
IPC分类号： H01L , B08B
CPC分类号： H01L21/6875 , H01L21/67051 , H01L21/68785 , H01L21/68792
摘要：本發明提供了一種基板處理裝置及其清潔方法。在基板處理裝置中,基板支撐構件包括在其上安裝有基板的轉頭、轉動接頭以及用於供應溶液的供應管。該轉動接頭接收供應管供應的溶液並將此溶液供應到轉頭。轉頭具有為了噴射溶液而形成的至少一個噴射孔,並且在旋轉時軸向地噴射溶液。因此,基板支撐構件能夠將溶液提供到處理容器的內壁,以提高處理容器的清潔效率並且增加生產的產出。
简体摘要：本发明提供了一种基板处理设备及其清洁方法。在基板处理设备中,基板支撑构件包括在其上安装有基板的转头、转动接头以及用于供应溶液的供应管。该转动接头接收供应管供应的溶液并将此溶液供应到转头。转头具有为了喷射溶液而形成的至少一个喷射孔,并且在旋转时轴向地喷射溶液。因此,基板支撑构件能够将溶液提供到处理容器的内壁,以提高处理容器的清洁效率并且增加生产的产出。

16. 发明专利

TW200921826A 清潔基板背面之單基板清潔裝置與方法 SINGLE SUBSTRATE CLEANING APPARATUS AND METHOD FOR CLEANING BACKSIDE OF SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：清洁基板背面之单基板清洁设备与方法 SINGLE SUBSTRATE CLEANING APPARATUS AND METHOD FOR CLEANING BACKSIDE OF SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200921826A
公开(公告)日：2009-05-16
申请号：TW097138921
申请日：2008-10-09
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：崔忠植 CHOI, CHUNG-SIC
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/68707 , H01L21/67051 , H01L21/68728 , H01L21/68764 , H01L21/68785 , Y10S134/902 , Y10S414/141
摘要：一種單基板清潔裝置及清潔基板背面的方法,其中清潔基板背面之基板翻轉裝置安裝於反應室內部。根據上述裝置和方法,藉由簡化清潔基板背面的設備可降低成本,簡化處理步驟,並使粒子對基板的污染得以最小化。
简体摘要：一种单基板清洁设备及清洁基板背面的方法,其中清洁基板背面之基板翻转设备安装于反应室内部。根据上述设备和方法,借由简化清洁基板背面的设备可降低成本,简化处理步骤,并使粒子对基板的污染得以最小化。

17. 发明专利

TWI309847B 基底處理裝置 APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE 有权
简体标题：基底处理设备 APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE
公开(公告)号：TWI309847B
公开(公告)日：2009-05-11
申请号：TW095103710
申请日：2006-02-03
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：安基 AN, KI-CHOUL , 鄭領哲 JOUNG, YOUNG-CHUL , 河泰榮 HA, TAE-YOUNG , 張禎元 CHANG, JUNG-WON , 盧一鎬 NOH, IL-HO , 李承培 LEE, SEUNG-BAE
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67236 , H01L21/67173 , H01L21/67748
摘要：在一用於在一基底上形成一薄層之基底處理裝置中,其中基底用於一有機發光二極體,裝置包含一罩幕連接室、一沉積室與一罩幕分離室。罩幕連接室、沉積室與罩幕分離室具有一安裝在其內部之傳輸導引件,且一用於支撐基底之基底支撐件沿腔室內或腔室之間之傳輸導引件移動。從而,可減少處理基底之時間以及裝置之區域。同樣,腔室被分成一組或多組,且在被分組之腔室之間安裝一閘閥用於打開及關閉被分組之腔室之間之一通道。從而,當維修任一腔室時,腔室可連續保持於一真空狀態。
简体摘要：在一用于在一基底上形成一薄层之基底处理设备中,其中基底用于一有机发光二极管,设备包含一罩幕连接室、一沉积室与一罩幕分离室。罩幕连接室、沉积室与罩幕分离室具有一安装在其内部之传输导引件,且一用于支撑基底之基底支撑件沿腔室内或腔室之间之传输导引件移动。从而,可减少处理基底之时间以及设备之区域。同样,腔室被分成一组或多组,且在被分组之腔室之间安装一闸阀用于打开及关闭被分组之腔室之间之一信道。从而,当维修任一腔室时,腔室可连续保持于一真空状态。

18. 发明专利

TW200917415A 基板支撐單元以及使用該支撐單元的基板處理裝置與方法 SUBSTRATE SUPPORT UNIT, AND SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD USING THE SAME 审中-公开
简体标题：基板支撑单元以及使用该支撑单元的基板处理设备与方法 SUBSTRATE SUPPORT UNIT, AND SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD USING THE SAME
公开(公告)号：TW200917415A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW097136702
申请日：2008-09-24
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：黃東淳 HWANG, DONG-SOON , 金兌寅 KIM, TAE-IN , 洪性真 HONG, SUNG-JIN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/68707 , B08B3/02 , B08B11/02 , H01L21/67028
摘要：本發明提供一種基板支撐單元和使用該基板支撐單元的基板處理裝置和方法。該基板支撐單元包括第一支撐部件和第二支撐部件。該第一支撐部件可在第一方向移動。該第一支撐部件支撐基板的一部份,其中在對應於第一方向的方向供應一種加工流體。第二支撐部件可在第二方向移動。第二支撐部件支撐該基板的第二部份。在供應該加工流體時該第一支撐部件和該第二支撐部件中的至少一者支撐該基板。
简体摘要：本发明提供一种基板支撑单元和使用该基板支撑单元的基板处理设备和方法。该基板支撑单元包括第一支撑部件和第二支撑部件。该第一支撑部件可在第一方向移动。该第一支撑部件支撑基板的一部份,其中在对应于第一方向的方向供应一种加工流体。第二支撑部件可在第二方向移动。第二支撑部件支撑该基板的第二部份。在供应该加工流体时该第一支撑部件和该第二支撑部件中的至少一者支撑该基板。

19. 发明专利

TW200917412A 旋頭 SPIN HEAD 审中-公开
简体标题：旋头 SPIN HEAD
公开(公告)号：TW200917412A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW097129708
申请日：2008-08-05
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：李澤燁 LEE, TAEK-YOUB
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6875 , H01L21/67051 , H01L21/68764
摘要：本發明提供一種用於支撐並旋轉基板的旋頭。該旋頭包括主體;卡盤插銷,安置於該主體上且可在支撐位置與閒置位置之間移動;以及,卡盤插銷移動單元,經組態以直線地移動卡盤插銷。卡盤插銷在支撐位置支撐基板且在閒置位置提供基板裝載/卸載空間。卡盤插銷移動單元包括:可移動桿,固定至該卡盤插銷上;可旋轉的凸輪,包括在其外表面上的突起以便將卡盤插銷自該支撐位置移動至閒置位置;以及,卡盤插銷返回單元,分別向該可移動桿施加力以便將該卡盤插銷自閒置位置個別地移動到支撐位置。該卡盤插銷移動單元還包括接觸維持構件。
简体摘要：本发明提供一种用于支撑并旋转基板的旋头。该旋头包括主体;卡盘插销,安置于该主体上且可在支撑位置与闲置位置之间移动;以及,卡盘插销移动单元,经组态以直线地移动卡盘插销。卡盘插销在支撑位置支撑基板且在闲置位置提供基板装载/卸载空间。卡盘插销移动单元包括:可移动杆,固定至该卡盘插销上;可旋转的凸轮,包括在其外表面上的突起以便将卡盘插销自该支撑位置移动至闲置位置;以及,卡盘插销返回单元,分别向该可移动杆施加力以便将该卡盘插销自闲置位置个别地移动到支撑位置。该卡盘插销移动单元还包括接触维持构件。

20. 发明专利

TWI307923B 具有厚度測量系統之自旋蝕刻器 SPIN ETCHER WITH THICKNESS MEASURING SYSTEM 有权
简体标题：具有厚度测量系统之自旋蚀刻器 SPIN ETCHER WITH THICKNESS MEASURING SYSTEM
公开(公告)号：TWI307923B
公开(公告)日：2009-03-21
申请号：TW092105949
申请日：2003-03-18
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：金忠植 KIM, CHUNG-SIK , 正龍 BAE, JEONG-YONG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01B11/0625 , H01L22/12
摘要：一種具有厚度測量系統之自旋蝕刻器,其包括一旋轉頭、蝕刻液供應裝置以及蝕刻液供應控制器。一基板裝置在該旋轉頭。該蝕刻液供應裝置排置在基板上方,並且噴灑一蝕刻液至該基板。該蝕刻液供應控制器控制該蝕刻液供應。該旋轉頭進一步包括一主控制器,該主控制器用以傳送一蝕刻液供應停止訊號至該厚度測量系統及該蝕刻液供應控制器。該厚度測量系統允許一光線射入該基板之表面,並分析該光線自基板反射之干涉訊號以測量一薄膜之厚度。該主控制器將厚度測量系統之測量結果與一參考値比較,並且在測量結果達到該參考値之前將蝕刻液供應停止訊號轉移至蝕刻液供應控制器。蝕刻液供應停止後一預定時間內,藉由餘留在該基板之蝕刻液,再一次蝕刻該薄膜,結果是該薄膜之厚度達到該參考値。
简体摘要：一种具有厚度测量系统之自旋蚀刻器,其包括一旋转头、蚀刻液供应设备以及蚀刻液供应控制器。一基板设备在该旋转头。该蚀刻液供应设备排置在基板上方,并且喷洒一蚀刻液至该基板。该蚀刻液供应控制器控制该蚀刻液供应。该旋转头进一步包括一主控制器,该主控制器用以发送一蚀刻液供应停止信号至该厚度测量系统及该蚀刻液供应控制器。该厚度测量系统允许一光线射入该基板之表面,并分析该光线自基板反射之干涉信号以测量一薄膜之厚度。该主控制器将厚度测量系统之测量结果与一参考値比较,并且在测量结果达到该参考値之前将蚀刻液供应停止信号转移至蚀刻液供应控制器。蚀刻液供应停止后一预定时间内,借由余留在该基板之蚀刻液,再一次蚀刻该薄膜,结果是该薄膜之厚度达到该参考値。

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