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11. 发明专利

TWI489918B 封裝載板有权
简体标题：封装载板
公开(公告)号：TWI489918B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW101143964
申请日：2012-11-23
申请人：旭德科技股份有限公司 , SUBTRON TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：王金勝 , WANG, CHIN SHENG , 陳建銘 , CHEN, CHIEN MING
IPC分类号： H05K1/14 , H05K1/18 , H01L23/485
CPC分类号： H05K1/0206 , H01L2924/0002 , H05K2201/10416 , H01L2924/00

12. 发明专利

TW201513281A 封裝載板及其製作方法审中-公开
简体标题：封装载板及其制作方法
公开(公告)号：TW201513281A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW102135030
申请日：2013-09-27
申请人：旭德科技股份有限公司 , SUBTRON TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：孫世豪 , SUN, SHIH HAO
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/85 , H01L21/4825 , H01L21/4832 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/49541 , H01L23/49582 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2224/16245 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48105 , H01L2224/48245 , H01L2224/81005 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/8149 , H01L2224/83005 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/8349 , H01L2224/85 , H01L2224/85005 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85447 , H01L2224/8549 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H05K1/09 , H05K1/111 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：一種封裝載板的製作方法包括下列步驟。首先，接合兩基底金屬層。接著，分別壓合兩支撐層於兩基底金屬層上。接著，分別設置兩離型金屬膜於兩支撐層上，其中各離型金屬膜包括可彼此分離之第一金屬箔層及第二金屬箔層。接著，分別形成兩圖案化金屬層於兩離型金屬膜上。各圖案化金屬層適於承載以及電性連接一晶片。之後，令兩基底金屬層分離，以形成各自獨立的兩封裝載板。一種經由上述製作方法所製作出的封裝載板亦被提出。
简体摘要：一种封装载板的制作方法包括下列步骤。首先，接合两基底金属层。接着，分别压合两支撑层于两基底金属层上。接着，分别设置两离型金属膜于两支撑层上，其中各离型金属膜包括可彼此分离之第一金属箔层及第二金属箔层。接着，分别形成两图案化金属层于两离型金属膜上。各图案化金属层适于承载以及电性连接一芯片。之后，令两基底金属层分离，以形成各自独立的两封装载板。一种经由上述制作方法所制作出的封装载板亦被提出。

13. 发明专利

TWI462693B 散熱基板有权
简体标题：散热基板
公开(公告)号：TWI462693B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW102143239
申请日：2013-11-27
申请人：旭德科技股份有限公司 , SUBTRON TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：陳慶盛 , CHEN, CHING SHENG
IPC分类号： H05K7/20
CPC分类号： F28F3/12 , F28D15/0233 , F28D15/04 , F28F3/02 , F28F13/00 , F28F2255/02

14. 发明专利

TWI446464B 封裝結構及其製作方法有权
简体标题：封装结构及其制作方法
公开(公告)号：TWI446464B
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：TW100117788
申请日：2011-05-20
申请人：旭德科技股份有限公司 , SUBTRON TECHNOLOGY CO. LTD.
发明人：孫世豪 , SUN, SHIH HAO
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/34
CPC分类号： H05K13/00 , H01L23/13 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/12041 , H01L2924/15788 , H05K1/0207 , H05K1/185 , Y10T29/49002 , Y10T29/49126 , Y10T29/49146 , H01L2924/00

15. 发明专利

TWI445118B 分邊設備及其操作方法有权
简体标题：分边设备及其操作方法
公开(公告)号：TWI445118B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW101104254
申请日：2012-02-09
申请人：旭德科技股份有限公司 , SUBTRON TECHNOLOGY CO. LTD.
发明人：何崇文 , HO, CHUNG W. , 鄭志賢 , CHENG, CHIH HSIEN
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/67
CPC分类号： B26F3/004 , B26F3/008 , Y10T156/1137 , Y10T156/1939

16. 发明专利

TW201422075A 封裝載板审中-公开
简体标题：封装载板
公开(公告)号：TW201422075A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW101143964
申请日：2012-11-23
申请人：旭德科技股份有限公司 , SUBTRON TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：王金勝 , WANG, CHIN SHENG , 陳建銘 , CHEN, CHIEN MING
IPC分类号： H05K1/14 , H05K1/18 , H01L23/485
CPC分类号： H05K1/0206 , H01L2924/0002 , H05K2201/10416 , H01L2924/00
摘要：一種封裝載板，包括一基材、一第一與第二絕緣層、一第一與第二圖案化線路層、至少一第一與第二導電通孔、一導熱通道、一黏著層以及一導熱元件。第一與第二圖案化線路層分別配置於第一與第二絕緣層上。第一與第二絕緣層分別配置於基材的一上表面與一下表面上。導熱通道至少貫穿第一絕緣層、第一與第二圖案化線路層以及基材。第一與第二導電通孔電性連接基材、第一圖案化線路層以及第二圖案化線路層。導熱元件的至少二相對側表面上各具有至少一凸部或至少一凹部。導熱元件透過黏著層而固定於導熱通道內。
简体摘要：一种封装载板，包括一基材、一第一与第二绝缘层、一第一与第二图案化线路层、至少一第一与第二导电通孔、一导热信道、一黏着层以及一导热组件。第一与第二图案化线路层分别配置于第一与第二绝缘层上。第一与第二绝缘层分别配置于基材的一上表面与一下表面上。导热信道至少贯穿第一绝缘层、第一与第二图案化线路层以及基材。第一与第二导电通孔电性连接基材、第一图案化线路层以及第二图案化线路层。导热组件的至少二相对侧表面上各具有至少一凸部或至少一凹部。导热组件透过黏着层而固定于导热信道内。

17. 发明专利

TWI437930B 封裝載板及其製作方法失效
简体标题：封装载板及其制作方法
公开(公告)号：TWI437930B
公开(公告)日：2014-05-11
申请号：TW100115472
申请日：2011-05-03
申请人：旭德科技股份有限公司 , SUBTRON TECHNOLOGY CO. LTD.
发明人：孫世豪 , SUN, SHIH HAO
IPC分类号： H05K1/02 , H05K3/32
CPC分类号： H05K1/0204 , H01L33/62 , H01L33/642 , H01L2224/48227 , H05K3/0044 , H05K3/0061 , H05K3/284 , H05K2201/0187 , H05K2201/09063 , H05K2201/10106 , Y10T29/49124

18. 发明专利

TW201415683A 接合導熱基板與金屬層的方法审中-公开
简体标题：接合导热基板与金属层的方法
公开(公告)号：TW201415683A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW101136943
申请日：2012-10-05
申请人：旭德科技股份有限公司 , SUBTRON TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：陳建銘 , CHEN, CHIEN MING
IPC分类号： H01L33/64
CPC分类号： B23K20/002 , B23K20/14 , B23K31/02 , B32B37/04 , B32B37/12 , B32B2311/00
摘要：一種接合導熱基板與金屬層的方法，此方法是先提供導熱基板、第一金屬層與前置層，其中前置層位於導熱基板與第一金屬層之間，且前置層為第二金屬層或金屬氧化物層。之後，於無氧環境下，對前置層進行加熱製程，以將前置層轉換成接合層來接合導熱基板與第一金屬層。加熱製程的溫度小於或等於300℃。
简体摘要：一种接合导热基板与金属层的方法，此方法是先提供导热基板、第一金属层与前置层，其中前置层位于导热基板与第一金属层之间，且前置层为第二金属层或金属氧化物层。之后，于无氧环境下，对前置层进行加热制程，以将前置层转换成接合层来接合导热基板与第一金属层。加热制程的温度小于或等于300℃。

19. 发明专利

TW201347636A 基板結構的製作方法审中-公开
简体标题：基板结构的制作方法
公开(公告)号：TW201347636A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW101115791
申请日：2012-05-03
申请人：旭德科技股份有限公司 , SUBTRON TECHNOLOGY CO. LTD.
发明人：吳健鴻 , WU, CHIEN HUNG
IPC分类号： H05K3/46
摘要：一種基板結構的製作方法。提供一基材。基材具有一核心層以及位於核心層之一第一表面與一第二表面上的一第一圖案化銅箔層與一第二圖案化銅箔層。熱壓合一第一絕緣層及位於第一絕緣層上之一第一導電層於第一圖案化銅箔層上。第一絕緣層具有皆呈半固化態一中央區塊以及一周圍區塊。對第一絕緣層的周圍區塊進行一加熱加壓步驟，以使第一絕緣層的周圍區塊呈完全固化態。熱壓合一第二絕緣層及位於第二絕緣層上之第二導電層於第二圖案化銅箔層上，以使第二絕緣層及呈半固化態之第一絕緣層之中央區塊皆與第一絕緣層之周邊區塊一樣呈完全固化態。
简体摘要：一种基板结构的制作方法。提供一基材。基材具有一内核层以及位于内核层之一第一表面与一第二表面上的一第一图案化铜箔层与一第二图案化铜箔层。热压合一第一绝缘层及位于第一绝缘层上之一第一导电层于第一图案化铜箔层上。第一绝缘层具有皆呈半固化态一中央区块以及一周围区块。对第一绝缘层的周围区块进行一加热加压步骤，以使第一绝缘层的周围区块呈完全固化态。热压合一第二绝缘层及位于第二绝缘层上之第二导电层于第二图案化铜箔层上，以使第二绝缘层及呈半固化态之第一绝缘层之中央区块皆与第一绝缘层之周边区块一样呈完全固化态。

20. 实用新型

TWM464810U 噴灑裝置失效
简体标题：喷洒设备
公开(公告)号：TWM464810U
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102206830
申请日：2013-04-15
申请人：旭德科技股份有限公司 , SUBTRON TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：陳慶盛 , CHEN, CHING SHENG
IPC分类号： H01L21/67

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