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111. 发明专利

TWI568533B 監控硏磨製程的方法及其硏磨系統有权
简体标题：监控研磨制程的方法及其研磨系统
公开(公告)号：TWI568533B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW103146420
申请日：2014-12-31
申请人：力晶科技股份有限公司 , POWERCHIP TECHNOLOGY CORPORATION , 智勝科技股份有限公司 , IV TECHNOLOGIES CO., LTD.
发明人：蘇振玄 , SU, CHENG HSUAN , 陳義元 , CHEN, YI YUAN , 陳志銘 , CHEN, CHIH MING
IPC分类号： B24B37/013

112. 发明专利

TW201632310A 研磨監視方法、研磨監視裝置，以及研磨裝置审中-公开
简体标题：研磨监视方法、研磨监视设备，以及研磨设备
公开(公告)号：TW201632310A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW105117010
申请日：2011-02-16
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：小林洋一 , KOBAYASHI, YOICHI
IPC分类号： B24B49/12 , B24B37/013 , G01B11/06 , H01L21/304
CPC分类号： G01N21/9501 , B24B37/013 , B24B49/12 , G01B11/06 , H01L21/304
摘要：本發明之目的為提供一種可以正確地監視研磨之進展，且可以更正確地檢測研磨終點的研磨監視方法，該研磨監視方法係具有以下步驟：於基板研磨中將光照射於基板；將來自基板的反射光予以受光；於每個波長測量反射光之強度；依據強度之測量值而產生表示強度與波長間之關係的光譜；算出光譜相對於每預定時間的變化量；將光譜變化量隨著研磨時間累計而算出光譜累積變化量；以及根據光譜累積變化量而監視基板研磨之進展。
简体摘要：本发明之目的为提供一种可以正确地监视研磨之进展，且可以更正确地检测研磨终点的研磨监视方法，该研磨监视方法系具有以下步骤：于基板研磨中将光照射于基板；将来自基板的反射光予以受光；于每个波长测量反射光之强度；依据强度之测量值而产生表示强度与波长间之关系的光谱；算出光谱相对于每预定时间的变化量；将光谱变化量随着研磨时间累计而算出光谱累积变化量；以及根据光谱累积变化量而监视基板研磨之进展。

113. 发明专利

TWI546155B 工件之兩面硏磨裝置及兩面硏磨方法有权
简体标题：工件之两面研磨设备及两面研磨方法
公开(公告)号：TWI546155B
公开(公告)日：2016-08-21
申请号：TW103117455
申请日：2014-05-19
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：三浦友紀 , MIURA, TOMONORI , 福島浩人 , FUKUSHIMA, HIROTO
IPC分类号： B24B37/013 , B24B37/28 , B24B49/12 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/013 , B24B37/08 , B24B49/12

114. 发明专利

TWI530360B 研磨裝置有权
简体标题：研磨设备
公开(公告)号：TWI530360B
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：TW102134253
申请日：2013-09-24
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：篠崎弘行 , SHINOZAKI, HIROYUKI
IPC分类号： B24B37/013 , B24B49/10 , B24B49/16 , H01L21/304
CPC分类号： B24B49/16 , B24B37/013 , B24B49/10

115. 发明专利

TWI528441B 晶圓硏磨方法以及晶圓硏磨裝置有权
简体标题：晶圆研磨方法以及晶圆研磨设备
公开(公告)号：TWI528441B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW103127409
申请日：2014-08-11
申请人：勝高股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：川崎智憲 , KAWASAKI, TOMONORI
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/013
CPC分类号： B24B37/005 , B24B37/20 , B24B37/34 , B24B49/06 , H01L21/02024

116. 发明专利

TW201509592A 裂痕厚度檢測裝置审中-公开
简体标题：裂痕厚度检测设备
公开(公告)号：TW201509592A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103119406
申请日：2014-06-04
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：政田孝行 , MASADA, TAKAYUKI
IPC分类号： B24B37/013 , G01B17/02
CPC分类号： G01N29/07 , G01B17/02 , G01N2291/02854 , G01N2291/044 , G01N2291/2697
摘要：本發明之課題在於以便宜之構成在磨削中檢測晶圓之裂痕與厚度。其解決手段為一種用於檢測晶圓中有無產生裂痕以及晶圓之厚度的裂痕厚度檢測裝置，其具備相對於晶圓表面以預定之入射角發射第一超音波的超音波發射部、相對於晶圓表面垂直地發射第二超音波同時接收來自晶圓之第一、第二超音波之反射波的超音波發射接收部、根據第一超音波之反射波來判定晶圓有無裂痕之裂痕判定部，以及依據第二超音波之反射波來算出晶圓厚度的厚度計算部，且超音波發射接收部是交互地接收第一超音波之反射波與第二超音波之反射波。
简体摘要：本发明之课题在于以便宜之构成在磨削中检测晶圆之裂痕与厚度。其解决手段为一种用于检测晶圆中有无产生裂痕以及晶圆之厚度的裂痕厚度检测设备，其具备相对于晶圆表面以预定之入射角发射第一超音波的超音波发射部、相对于晶圆表面垂直地发射第二超音波同时接收来自晶圆之第一、第二超音波之反射波的超音波发射接收部、根据第一超音波之反射波来判定晶圆有无裂痕之裂痕判定部，以及依据第二超音波之反射波来算出晶圆厚度的厚度计算部，且超音波发射接收部是交互地接收第一超音波之反射波与第二超音波之反射波。

117. 发明专利

TWI474893B 研磨墊有权
简体标题：研磨垫
公开(公告)号：TWI474893B
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW100112978
申请日：2011-04-14
申请人：東洋橡膠工業股份有限公司 , TOYO TIRE & RUBBER CO., LTD.
发明人：木村毅 , KIMURA, TSUYOSHI
IPC分类号： B24B37/013 , B24B37/22 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/205 , B24B37/22

118. 发明专利

TW201505758A 具有寬譜終點偵測窗之多層化學機械硏磨墊审中-公开
简体标题：具有宽谱终点侦测窗之多层化学机械研磨垫
公开(公告)号：TW201505758A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103106007
申请日：2014-02-24
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC. , 陶氏全球科技責任有限公司 , DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC
发明人：瑞普安格斯 , REPPER, ANGUS , 詹姆斯大衛B , JAMES, DAVID B. , 雷格斯瑪莉A , LEUGERS, MARY A. , 狄羅特馬提 , DEGROOT, MARTY
IPC分类号： B24B37/22 , B24B37/20 , B24B37/013 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/205 , B24B37/013 , B24B37/22 , B24B37/24 , B32B5/022 , B32B5/024 , B32B7/12 , B32B27/065 , B32B27/12 , B32B27/325 , B32B27/327 , B32B37/12 , B32B37/1284 , B32B2266/06 , B32B2307/208 , B32B2432/00
摘要：本發明係提供一種多層化學機械研磨墊，具有：具有研磨表面、擴孔開口及平行於研磨表面之研磨層界面區域之研磨層；具有底部表面和平行於底部表面之多孔子墊層界面區域之多孔子墊層；以及包括環狀烯烴加成聚合物之寬譜終點偵測窗塊；其中該窗塊橫跨其厚度具有一致之化學組成；其中該研磨層界面區域與該多孔子墊層界面區域形成同延區域；其中該多層化學機械研磨墊具有從研磨表面延伸至多孔子墊層之底部表面之通孔；其中該擴孔開口係在研磨表面上開口，擴大通孔並形成突部；且其中該寬譜終點偵測窗塊係設置在擴孔開口內。
简体摘要：本发明系提供一种多层化学机械研磨垫，具有：具有研磨表面、扩孔开口及平行于研磨表面之研磨层界面区域之研磨层；具有底部表面和平行于底部表面之多孔子垫层界面区域之多孔子垫层；以及包括环状烯烃加成聚合物之宽谱终点侦测窗块；其中该窗块横跨其厚度具有一致之化学组成；其中该研磨层界面区域与该多孔子垫层界面区域形成同延区域；其中该多层化学机械研磨垫具有从研磨表面延伸至多孔子垫层之底部表面之通孔；其中该扩孔开口系在研磨表面上开口，扩大通孔并形成突部；且其中该宽谱终点侦测窗块系设置在扩孔开口内。

119. 发明专利

TW201501862A 研磨裝置及研磨狀態監視方法审中-公开
简体标题：研磨设备及研磨状态监视方法
公开(公告)号：TW201501862A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103123123
申请日：2014-07-04
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：小林洋一 , KOBAYASHI, YOICHI , 渡辺和英 , WATANABE, KATSUHIDE , 塩川陽一 , SHIOKAWA, YOICHI , 八木圭太 , YAGI, KEITA , 木下将毅 , KINOSHITA, MASAKI
IPC分类号： B24B37/013 , B24B49/12
CPC分类号： B24B37/013 , G01B11/0625 , G01B11/0683 , G01B11/0691
摘要：本發明提供一種可實現高精度加工性能之研磨裝置。研磨裝置具備：測定在靜止狀態之基板膜厚的線上膜厚測定器80；及具有配置於研磨台30A內之膜厚感測器40的即時分光式膜厚監視器39。即時分光式膜厚監視器39藉由從基板研磨前藉由線上膜厚測定器80取得之初期膜厚，減去基板研磨前藉由即時分光式膜厚監視器39取得之初期膜厚而決定修正值，在基板研磨中取得之膜厚加上修正值而取得監視膜厚，並依據監視膜厚監視基板之研磨進展。
简体摘要：本发明提供一种可实现高精度加工性能之研磨设备。研磨设备具备：测定在静止状态之基板膜厚的在线膜厚测定器80；及具有配置于研磨台30A内之膜厚传感器40的实时分光式膜厚监视器39。实时分光式膜厚监视器39借由从基板研磨前借由在线膜厚测定器80取得之初期膜厚，减去基板研磨前借由实时分光式膜厚监视器39取得之初期膜厚而决定修正值，在基板研磨中取得之膜厚加上修正值而取得监视膜厚，并依据监视膜厚监视基板之研磨进展。

120. 发明专利

TWI461255B 用於產生薄墊中的模塑窗之方法有权
简体标题：用于产生薄垫中的模塑窗之方法
公开(公告)号：TWI461255B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW100110367
申请日：2011-03-25
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：史威克柏格斯勞A , SWEDEK, BOGUSLAW A. , 班尼特杜里E , BENNETT, DOYLE E. , 班維紐多明尼克J , BENVEGNU, DOMINIC J.
IPC分类号： B24B37/013 , B24B37/22
CPC分类号： B24B37/205

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