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91. 发明专利

TWI689938B 半導體記憶裝置有权
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI689938B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW107127857
申请日：2018-08-09
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：犬塚雄貴 , INUZUKA, YUKI , 鈴木義典 , SUZUKI, YOSHINORI
IPC分类号： G11C7/06 , G11C7/12 , G11C8/14

92. 发明专利

TW202011584A 半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TW202011584A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW107143290
申请日：2018-12-03
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：今本哲広 , IMAMOTO, AKIHIRO , 菅原昭雄 , SUGAHARA, AKIO
IPC分类号： H01L27/1157 , G11C7/10 , G11C7/12
摘要：本發明之實施形態提供一種能夠抑制寫入動作之潛時增加之半導體記憶裝置。實施形態之半導體記憶裝置具備：第1記憶體面及第2記憶體面，其等各自包含含有複數個記憶胞之記憶胞陣列；輸入輸出電路，其以自控制器接收要寫入至上述記憶胞陣列之資料之方式構成；以及控制電路。上述第1記憶體面進而包含：第1感測放大器電路，其電性連接於上述第1記憶體面內之上述複數個記憶胞中之第1記憶胞；及第1鎖存電路，其串聯連接於上述輸入輸出電路與上述第1感測放大器電路之間。上述控制電路構成為，當接收到指示對上述第1記憶胞之第1寫入動作之第1指令時，於伴隨上述第1寫入動作之上述第1鎖存電路之使用完成之前受理第2指令，上述第2指令指示對上述第2記憶體面內之上述複數個記憶胞中之第2記憶胞之第2寫入動作。
简体摘要：本发明之实施形态提供一种能够抑制写入动作之潜时增加之半导体记忆设备。实施形态之半导体记忆设备具备：第1内存面及第2内存面，其等各自包含含有复数个记忆胞之记忆胞数组；输入输出电路，其以自控制器接收要写入至上述记忆胞数组之数据之方式构成；以及控制电路。上述第1内存面进而包含：第1传感放大器电路，其电性连接于上述第1内存面内之上述复数个记忆胞中之第1记忆胞；及第1锁存电路，其串联连接于上述输入输出电路与上述第1传感放大器电路之间。上述控制电路构成为，当接收到指示对上述第1记忆胞之第1写入动作之第1指令时，于伴随上述第1写入动作之上述第1锁存电路之使用完成之前受理第2指令，上述第2指令指示对上述第2内存面内之上述复数个记忆胞中之第2记忆胞之第2写入动作。

93. 发明专利

TWI686813B 記憶體元件、感測放大器以及記憶體讀取方法有权
简体标题：内存组件、传感放大器以及内存读取方法
公开(公告)号：TWI686813B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW108108737
申请日：2019-03-14
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林鉦峻 , LIN, ZHENG-JUN , 鄒宗成 , CHOU, CHUNG-CHENG , 曾珮玲 , TSENG, PEI-LING
IPC分类号： G11C7/06 , G11C7/12 , G11C16/26 , H01L27/105

94. 发明专利

TW202004749A 記憶體單元陣列及其形成方法审中-公开
简体标题：内存单元数组及其形成方法
公开(公告)号：TW202004749A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108116973
申请日：2019-05-16
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：翁啟翔 , WENG, CHI HSIANG , 池育德 , CHIH, YU DER
IPC分类号： G11C7/18 , G11C7/12
摘要：一種記憶體單元陣列，包括第一縱行的記憶體單元、第二縱行的記憶體單元、第一位線、第二位線、和源極線。第二縱行的記憶體單元在第一方向上與第一縱行的記憶體單元分隔。第一縱行的記憶體單元和第二縱行的記憶體單元排列在第二方向上。第一位線耦合到第一縱行的記憶體單元並沿第二方向延伸。第二位線耦合到第二縱行的記憶體單元並沿第二方向延伸。源極線沿第二方向延伸，耦合到第一縱行的記憶體單元和第二縱行的記憶體單元。
简体摘要：一种内存单元数组，包括第一纵行的内存单元、第二纵行的内存单元、第一位线、第二位线、和源极线。第二纵行的内存单元在第一方向上与第一纵行的内存单元分隔。第一纵行的内存单元和第二纵行的内存单元排列在第二方向上。第一位线耦合到第一纵行的内存单元并沿第二方向延伸。第二位线耦合到第二纵行的内存单元并沿第二方向延伸。源极线沿第二方向延伸，耦合到第一纵行的内存单元和第二纵行的内存单元。

95. 发明专利

TWI670726B 儲存裝置及其微型接口有权
简体标题：存储设备及其微型接口
公开(公告)号：TWI670726B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW107140306
申请日：2018-11-14
申请人：宇瞻科技股份有限公司 , APACER TECHNOLOGY INC.
发明人：李俊昌 , LEE, JIUNN-CHANG , 林嘉偉 , LIN, JIA-WEI
IPC分类号： G11C7/12 , H01R12/71

96. 发明专利

TWI653638B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI653638B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW106128638
申请日：2017-08-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：吳偉成 , WU, WEI-CHENG , 鄧立峯 , TENG, LI-FENG
IPC分类号： G11C7/12 , G11C7/22

97. 发明专利

TWI650753B 可變電阻記憶體裝置及操作該可變電阻記憶體裝置的方法有权
简体标题：可变电阻内存设备及操作该可变电阻内存设备的方法
公开(公告)号：TWI650753B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW104134044
申请日：2015-10-16
申请人：韓商愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：慶箕明 , KYUNG, KI MYUNG
IPC分类号： G11C13/00 , G11C7/12

98. 发明专利

TW201903761A 記憶體胞之基於時間存取审中-公开
简体标题：内存胞之基于时间存取
公开(公告)号：TW201903761A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107119909
申请日：2018-06-08
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：迪文森佐溫伯特 , DI VINCENZO, UMBERTO
IPC分类号： G11C7/12 , G11C11/22
摘要：本文中描述用於一記憶體陣列中之記憶體胞之基於時間存取的方法、系統及裝置。在一讀取操作之一感測部分期間，可將一選定記憶體胞充電至一預定電壓位準。可基於在該充電開始與在選定記憶體胞達到該預定電壓位準時之間的一持續時間識別儲存於該選定記憶體胞上之一邏輯狀態。在一些實例中，時變信號可用於基於充電之該持續時間而指示該邏輯狀態。該充電之該持續時間可基於該選定記憶體胞之一極化狀態、該選定記憶體胞之一介電電荷狀態，或該選定記憶體胞之一極化狀態及一介電電荷狀態兩者。
简体摘要：本文中描述用于一内存数组中之内存胞之基于时间存取的方法、系统及设备。在一读取操作之一传感部分期间，可将一选定内存胞充电至一预定电压位准。可基于在该充电开始与在选定内存胞达到该预定电压位准时之间的一持续时间识别存储于该选定内存胞上之一逻辑状态。在一些实例中，时变信号可用于基于充电之该持续时间而指示该逻辑状态。该充电之该持续时间可基于该选定内存胞之一极化状态、该选定内存胞之一介电电荷状态，或该选定内存胞之一极化状态及一介电电荷状态两者。

99. 发明专利

TWI645412B 感測放大器、使用該感測放大器之半導體記憶體裝置以及該感測放大器之讀取方法有权
简体标题：传感放大器、使用该传感放大器之半导体内存设备以及该传感放大器之读取方法
公开(公告)号：TWI645412B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW103138775
申请日：2014-11-07
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：安東尼揚艾杜爾 , ANTONYAN, ARTUR
IPC分类号： G11C7/06 , G11C7/12

100. 发明专利

TWI643202B 用於三維反及記憶體之架構有权
简体标题：用于三维反及内存之架构
公开(公告)号：TWI643202B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW104143893
申请日：2013-06-14
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：諸岡緑 , MOROOKA, MIDORI , 田中智晴 , TANAKA, TOMOHARU
IPC分类号： G11C5/02 , G11C7/12 , G11C7/18

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