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91. 发明专利

TW201326447A 真空鍍膜件及其製造方法审中-公开
简体标题：真空镀膜件及其制造方法
公开(公告)号：TW201326447A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW100147565
申请日：2011-12-20
申请人：富士康(香港)有限公司 , FIH (HONG KONG) LIMITED
发明人：曹達華 , CAO, DA-HUA
IPC分类号： C23C16/32 , C23C16/52
CPC分类号： C23C28/322 , C23C14/0015 , C23C14/0057 , C23C14/0078 , C23C14/0084 , C23C14/025 , C23C14/0635 , C23C28/341 , C23C28/42 , C23C28/44 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/31678
摘要：一種真空鍍膜件，包括基體及形成於基體上的顏色層，該顏色層包括複數第一碳化鉻層及複數第一碳化鈦層，所述複數第一碳化鉻層和複數第一碳化鈦層交替排布，該顏色層呈現的色度區域於CIE LAB表色系統的L*座標為29至35，a*座標為0至2，b*座標為0至2。所述真空鍍膜件呈現出純正的黑色。本發明還提供一種上述真空鍍膜件的製造方法。
简体摘要：一种真空镀膜件，包括基体及形成于基体上的颜色层，该颜色层包括复数第一碳化铬层及复数第一碳化钛层，所述复数第一碳化铬层和复数第一碳化钛层交替排布，该颜色层呈现的色度区域于CIE LAB表色系统的L*座标为29至35，a*座标为0至2，b*座标为0至2。所述真空镀膜件呈现出纯正的黑色。本发明还提供一种上述真空镀膜件的制造方法。

92. 发明专利

TW201325896A 阻氣性塑膠成形體及其製造方法审中-公开
简体标题：阻气性塑胶成形体及其制造方法
公开(公告)号：TW201325896A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101123442
申请日：2012-06-28
申请人：麒麟麥酒股份有限公司 , KIRIN BEER KABUSHIKI KAISHA
发明人：清水真里 , SHIMIZU, MARI , 松井榮太朗 , MATSUI, EITARO , 佐藤愛子 , SATO, AIKO , 中谷正樹 , NAKAYA, MASAKI , 田淵博康 , TABUCHI, HIROYASU
IPC分类号： B32B27/28 , C23C16/40 , C23C16/42 , C23C16/32
摘要：本發明之目的在於提供一種具有較高之阻氣性之阻氣性塑膠成形體。本發明之阻氣性塑膠成形體係包括塑膠成形體及設置於該塑膠成形體之表面之阻氣薄膜者，且上述阻氣薄膜包含矽(Si)、碳(C)、氧(O)及氫(H)作為構成元素，且包括(數1)所示之Si含有率為40.1%以上之Si含有層。 (數1)Si含有率[%]={(Si含量[原子%])/(Si、O及C之合計含量[原子%])}×100於數1中，Si、O或C之含量係Si、O及C三元素之明細含量。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种具有较高之阻气性之阻气性塑胶成形体。本发明之阻气性塑胶成形体系包括塑胶成形体及设置于该塑胶成形体之表面之阻气薄膜者，且上述阻气薄膜包含硅(Si)、碳(C)、氧(O)及氢(H)作为构成元素，且包括(数1)所示之Si含有率为40.1%以上之Si含有层。 (数1)Si含有率[%]={(Si含量[原子%])/(Si、O及C之合计含量[原子%])}×100于数1中，Si、O或C之含量系Si、O及C三元素之明细含量。

93. 发明专利

TW201307603A 炭化矽薄膜之成膜方法审中-公开
简体标题：炭化硅薄膜之成膜方法
公开(公告)号：TW201307603A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW100127507
申请日：2011-08-03
申请人：新柯隆股份有限公司 , SHINCRON CO., LTD.
发明人：菅原卓哉 , SUGAWARA, TAKUYA , 青島光 , AOSHIMA, HIKARU , 姜友松 , JIANG, YOUSONG , 鹽野一郎 , SHIONO, ICHIRO , 長江亦周 , NAGAE, EKISHU
IPC分类号： C23C16/32 , C23C16/42 , C23C16/513 , H01L21/205
摘要：本發明是提供一種成膜方法，其可以在短時間且安全地、甚至在耐熱性低的基板亦可有效率地形成透光率及薄膜強度高而可以使用於光學用途的碳化矽薄膜。本發明方法是使用一成膜裝置1在移動中的基板S上形成碳化矽的薄膜的方法，成膜裝置1是在真空容器11內將反應製程區域60與成膜製程區域20、40各自在空間上分離配置，而得以獨立控制在各區域20、40、60的處理。首先，在惰性氣體的氣氛下，在區域20濺擊矽靶材29a、29b的同時在區域40濺擊碳靶材49a、49b，藉此在基板S上形成含矽與碳的中間薄膜。接下來，在區域60使中間薄膜曝露於在惰性氣體與氫的混合氣體的氣氛下產生的電漿，而將此中間薄膜膜轉換成超薄膜，此後對超薄膜反覆進行以後的中間薄膜的形成與成為超薄膜的膜轉換。
简体摘要：本发明是提供一种成膜方法，其可以在短时间且安全地、甚至在耐热性低的基板亦可有效率地形成透光率及薄膜强度高而可以使用于光学用途的碳化硅薄膜。本发明方法是使用一成膜设备1在移动中的基板S上形成碳化硅的薄膜的方法，成膜设备1是在真空容器11内将反应制程区域60与成膜制程区域20、40各自在空间上分离配置，而得以独立控制在各区域20、40、60的处理。首先，在惰性气体的气氛下，在区域20溅击硅靶材29a、29b的同时在区域40溅击碳靶材49a、49b，借此在基板S上形成含硅与碳的中间薄膜。接下来，在区域60使中间薄膜曝露于在惰性气体与氢的混合气体的气氛下产生的等离子，而将此中间薄膜膜转换成超薄膜，此后对超薄膜反复进行以后的中间薄膜的形成与成为超薄膜的膜转换。

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