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91. 发明专利

TW531809B 半導體裝置之製造方法失效
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW531809B
公开(公告)日：2003-05-11
申请号：TW090128753
申请日：2001-11-20
申请人：佳能販賣股份有限公司 , 半導體工程研究所股份有限公司
发明人：鹽谷喜美 , 大平浩一 , 前田和夫 , 鈴木智美 , 山本陽一 , 小竹勇一郎 , 豬鹿倉博志 , 大河原昭司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/7685 , H01L21/3105 , H01L21/31116 , H01L21/3144 , H01L21/3185 , H01L21/321 , H01L21/32136 , H01L21/76826 , H01L21/76834 , H01L21/76838 , H01L21/76867 , H01L21/76886
摘要：電漿化製程氣體，其中包括N2或N2O任何之一。接著，銅引線層之表面暴露於製程氣體之下，因此，銅引線層之表面部分被改良成銅擴散阻礙層。根據此方法可提供優良之半導體裝置，其操作速度較快，且可抑制銅擴散。
简体摘要：等离子化制程气体，其中包括N2或N2O任何之一。接着，铜引线层之表面暴露于制程气体之下，因此，铜引线层之表面部分被改良成铜扩散阻碍层。根据此方法可提供优良之半导体设备，其操作速度较快，且可抑制铜扩散。

92. 发明专利

TW522520B 半導體裝置之製造方法失效
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW522520B
公开(公告)日：2003-03-01
申请号：TW091102694
申请日：2002-02-18
申请人：日本電氣股份有限公司
发明人：青木秀充 , 富盛浩昭 , 岡田紀雄 , 宇佐美達矢 , 大音光市 , 谷國敬理
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02074 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/3143 , H01L21/3144 , H01L21/3148 , H01L21/31633 , H01L21/3185 , H01L21/321 , H01L21/3212 , H01L21/76802 , H01L21/76834 , H01L21/7684 , H01L21/76846 , H01L21/76849 , H01L21/76864 , H01L21/76867 , H01L21/76883
摘要：藉由使用具有包含氮氣元素之來源氣體，將電漿處理應用到銅互連點17的表面，形成氮化銅層24，之後，再形成氮化矽膜18；就可以提高可以改善互連壽命，但可以控制其電阻的增加，又可以提升製造穩定度之半導體裝置的製造方法。在此，在氮化銅層24之上，會形成一很薄的矽化銅層25。
简体摘要：借由使用具有包含氮气元素之来源气体，将等离子处理应用到铜互连点17的表面，形成氮化铜层24，之后，再形成氮化硅膜18；就可以提高可以改善互连寿命，但可以控制其电阻的增加，又可以提升制造稳定度之半导体设备的制造方法。在此，在氮化铜层24之上，会形成一很薄的硅化铜层25。

93. 发明专利

TW508658B 製造積體電路之方法有权
简体标题：制造集成电路之方法
公开(公告)号：TW508658B
公开(公告)日：2002-11-01
申请号：TW090111584
申请日：2001-05-15
申请人： ASM微相化學股份有限公司
发明人：派克索尼納 , 凱-艾瑞克艾勒斯
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76843 , H01L21/02068 , H01L21/28562 , H01L21/3105 , H01L21/321 , H01L21/76807 , H01L21/76814 , H01L21/76823 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L21/76838 , H01L21/76861 , H01L21/76862 , H01L21/76873 , H01L21/76883 , H01L21/76886 , H01L2224/32245 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2924/00011 , H01L2924/12044 , H01L2924/00 , H01L2924/01005
摘要：本發明有關一種製造積體電路之方法，該積體電路係含有至少一層元素金屬層，此層在積體電路進行處理之期間至少部分係為金屬氧化物形式，及一種含有特定官能基之有機化合物的用途，該官能基係用以還原在積體電路產製期間所形成之金屬氧化物層。根據本發明方法，該金屬氧化物層係使用還原劑至少部分還原成元素金屬，該還原劑係選自含有一或多種以下官能基之有機化合物：醇(-OH)、醛(-CHO)、及羧酸(-COOH)。
简体摘要：本发明有关一种制造集成电路之方法，该集成电路系含有至少一层元素金属层，此层在集成电路进行处理之期间至少部分系为金属氧化物形式，及一种含有特定官能基之有机化合物的用途，该官能基系用以还原在集成电路产制期间所形成之金属氧化物层。根据本发明方法，该金属氧化物层系使用还原剂至少部分还原成元素金属，该还原剂系选自含有一或多种以下官能基之有机化合物：醇(-OH)、醛(-CHO)、及羧酸(-COOH)。

94. 发明专利

TW410461B 積體電路電容器失效
简体标题：集成电路电容器
公开(公告)号：TW410461B
公开(公告)日：2000-11-01
申请号：TW088101154
申请日：1999-01-26
申请人：可規劃矽解決方案公司
发明人：王廷瓦
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L28/40 , H01L21/3105 , H01L21/321
摘要：一電容器可藉由在一半導體結構上形成一介電層和一傳導層後以植入而形成;這減低對傳導層下方區域的植入損壞;經植入雜質可在傳導層下來驅動使兩相對立雜質輪廓重疊;此在傳導層下形成一接合區。
简体摘要：一电容器可借由在一半导体结构上形成一介电层和一传导层后以植入而形成;这减低对传导层下方区域的植入损坏;经植入杂质可在传导层下来驱动使两相对立杂质轮廓重叠;此在传导层下形成一接合区。

95. 发明专利

TW409404B 具有半球粒(HSG)結構之半導體裝置的製造方法失效
简体标题：具有半球粒(HSG)结构之半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW409404B
公开(公告)日：2000-10-21
申请号：TW088101539
申请日：1999-02-01
申请人：日本電氣股份有限公司
发明人：本間一郎
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L28/84 , H01L21/321
摘要：提供一半導體裝置的製造方法，使可以在相對低溫度下將摻雜劑適當地引進至半導體層之表面粒中。在第一步中，經由第一電介質層，形成第一半導體層於半導體基板之正上方。在第二步驟中，對第一半導體層進行熱處理,以使在第一半導體層的表面上形成半導體粒，藉以使第一半導體層的此表面粗糙化。此粒由與此第一半導體層相同的材料製成。在第三步驟中，在大約700℃至780℃之溫度下且在含有摻雜劑氣體的環境對含有半導體粒的第一半導體層進行一特定時間的熱處理，藉以從環境中將此摻雜劑引進至第一半導體層之半導體粒中。較可取的是，在此第二和第三步驟之間另外設置形成第二電介質層之步驟，其中第二電介質層沒有摻雜劑。在此第三步驟中，摻雜劑經由第二電介質層被引進至第一半導體層之半導體粒中。隨後，在第三步驟之後設有去除第二電介質層之步驟。
简体摘要：提供一半导体设备的制造方法，使可以在相对低温度下将掺杂剂适当地引进至半导体层之表面粒中。在第一步中，经由第一电介质层，形成第一半导体层于半导体基板之正上方。在第二步骤中，对第一半导体层进行热处理,以使在第一半导体层的表面上形成半导体粒，借以使第一半导体层的此表面粗糙化。此粒由与此第一半导体层相同的材料制成。在第三步骤中，在大约700℃至780℃之温度下且在含有掺杂剂气体的环境对含有半导体粒的第一半导体层进行一特定时间的热处理，借以从环境中将此掺杂剂引进至第一半导体层之半导体粒中。较可取的是，在此第二和第三步骤之间另外设置形成第二电介质层之步骤，其中第二电介质层没有掺杂剂。在此第三步骤中，掺杂剂经由第二电介质层被引进至第一半导体层之半导体粒中。随后，在第三步骤之后设有去除第二电介质层之步骤。

96. 发明专利

TW373229B 製造積體電路結構之去氟化方法失效
简体标题：制造集成电路结构之去氟化方法
公开(公告)号：TW373229B
公开(公告)日：1999-11-01
申请号：TW086118733
申请日：1998-04-10
申请人：德州儀器公司
发明人：瓦羅伯 , 陳培均 , 包查爾 , 海史提
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02068 , H01L21/02063 , H01L21/02071 , H01L21/3105 , H01L21/321 , H01L21/32136 , H01L21/76883
摘要：一種積體電路製造處理，其中殘餘在金屬表面上的氟污染物在灰化後藉由暴露在NH3/O2電漿而移除。
简体摘要：一种集成电路制造处理，其中残余在金属表面上的氟污染物在灰化后借由暴露在NH3/O2等离子而移除。

97. 发明专利

TW367527B 利用照射來移除表面污物之方法失效
简体标题：利用照射来移除表面污物之方法
公开(公告)号：TW367527B
公开(公告)日：1999-08-21
申请号：TW085105586
申请日：1993-03-27
申请人：考德蘭合夥事業
发明人：喬瑟夫.戴海斯 , 奧迪.奇.恩格斯堡
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02046 , B08B7/0042 , B23K26/142 , B23K26/1436 , B23K26/1437 , B23K26/1462 , G03F7/704 , G03F7/70866 , G03F7/70925 , H01L21/268 , H01L21/32051 , H01L21/321 , H01L21/3212 , H01L21/67028 , H01L21/76819
摘要：本發明提供一種藉由高能照射而從一基層的平面或不規則形表面除去表面污物。本發明能夠除去表面污物而不會改變以下的基層之分子結晶結構。高能照射源包括一脈衝或連續波雷射或高能燈。
简体摘要：本发明提供一种借由高能照射而从一基层的平面或不守则形表面除去表面污物。本发明能够除去表面污物而不会改变以下的基层之分子结晶结构。高能照射源包括一脉冲或连续波激光或高能灯。

98. 发明专利

TW357199B 以等離子體增强氮化鈦退火之方法失效
简体标题：以等离子体增强氮化钛退火之方法
公开(公告)号：TW357199B
公开(公告)日：1999-05-01
申请号：TW085110752
申请日：1996-09-03
申请人：材料研究公司
发明人：約瑟夫.席爾曼 , 雷克席特.亞洛拉 , 羅伯特.佛斯特
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01L21/321
摘要：氮化鈦薄膜係在低於500℃的旋轉基座反應器裡與含氮氣體製得的等離子體一起退火。所形成的薄膜可與較高溫退火的薄膜相媲美，使得本發明的方法對於含鋁元件的集成電路而言是很有用的。
简体摘要：氮化钛薄膜系在低于500℃的旋转基座反应器里与含氮气体制得的等离子体一起退火。所形成的薄膜可与较高温退火的薄膜相媲美，使得本发明的方法对于含铝组件的集成电路而言是很有用的。

99. 实用新型

TW317964U 具有扣環之試品支︴座失效
简体标题：具有扣环之试品支︴座
公开(公告)号：TW317964U
公开(公告)日：1997-10-11
申请号：TW085214353
申请日：1995-08-12
申请人：西門斯股份有限公司
发明人：吳維賽德爾 , 萊那布雷恩
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/68721 , H01J2237/022 , H01L21/321
摘要：一種在生產大型積體電路的過程中塗佈鎢之基體表面再蝕刻之誠品支撐座，其中在再蝕刻程序中藉助排列在基體邊緣之扣環將基體壓低冷卻誠品支撐座，該扣環僅局部地將基體之邊緣扣在配置在扣環周邊之扣壓位置，對於在再蝕刻程序釋中出的蝕刻產物而言，此扣壓位置是不具有滯留作用的，因此蝕刻產物能夠流過扣壓位置，然後按計劃沈積在基體表面之外側。
简体摘要：一种在生产大型集成电路的过程中涂布钨之基体表面再蚀刻之诚品支撑座，其中在再蚀刻进程中借助排列在基体边缘之扣环将基体压低冷却诚品支撑座，该扣环仅局部地将基体之边缘扣在配置在扣环周边之扣压位置，对于在再蚀刻进程释中出的蚀刻产物而言，此扣压位置是不具有滞留作用的，因此蚀刻产物能够流过扣压位置，然后按计划沉积在基体表面之外侧。

100. 发明专利

TW304280B 製作半導體裝置之方法失效
简体标题：制作半导体设备之方法
公开(公告)号：TW304280B
公开(公告)日：1997-05-01
申请号：TW085103853
申请日：1996-04-02
申请人：現代電子產業股份有限公司
发明人：李元在 , 李承錫 , 金昊起 , 金鍾哲
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L28/60 , H01L21/321
摘要：一種製作高集成半導體裝置的方法，其中電容器含有一種展現高介電常數，以獲得足夠高的電容值的介電薄膜。這方法包含，在晶片高溫下所附著的氧化膜上形成底部電極，和完成後的晶片，在真空下促使底部電極具有緊密和平滑結構的退火處理。藉由底部電極的緊密和平滑結構之優點，後續處理步驟較易實施。在半導體裝置上的可靠性和均勻性，同時又能在半導裝置的高集成特性上獲得改善，是可以達成的。
简体摘要：一种制作高集成半导体设备的方法，其中电容器含有一种展现高介电常数，以获得足够高的电容值的介电薄膜。这方法包含，在芯片高温下所附着的氧化膜上形成底部电极，和完成后的芯片，在真空下促使底部电极具有紧密和平滑结构的退火处理。借由底部电极的紧密和平滑结构之优点，后续处理步骤较易实施。在半导体设备上的可靠性和均匀性，同时又能在半导设备的高集成特性上获得改善，是可以达成的。

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