专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

91. 发明专利

TW201101484A 絕緣閘雙極電晶體审中-公开
简体标题：绝缘闸双极晶体管
公开(公告)号：TW201101484A
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW099113381
申请日：2010-04-27
申请人：住友電氣工業股份有限公司
发明人：和田圭司 , 原田真 , 增田健良 , 穗永美紗子 , 西口太郎 , 佐佐木信 , 藤原伸介 , 並川靖生
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7802 , C30B23/00 , C30B29/36 , C30B33/06 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/2007 , H01L29/045 , H01L29/0878 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7395
摘要：本發明提供一種絕緣閘雙極電晶體(IGBT),其係可抑制缺陷之產生且達成導通電阻之降低之垂直式IGBT,該IGBT(100)具備碳化矽基板(1)、漂移層(3)、阱區域(4)、n+區域(5)、射極接觸電極(92)、閘極氧化膜(91)、閘極電極(93)、以及集極電極(96)。碳化矽基板(1)包括包含碳化矽且導電型為p型之基底層(10)、及包含單晶碳化矽且配置於基底層(10)上之SiC層(20),且基底層(10)之p型雜質濃度超過1�1018 cm-3。
简体摘要：本发明提供一种绝缘闸双极晶体管(IGBT),其系可抑制缺陷之产生且达成导通电阻之降低之垂直式IGBT,该IGBT(100)具备碳化硅基板(1)、漂移层(3)、阱区域(4)、n+区域(5)、射极接触电极(92)、闸极氧化膜(91)、闸极电极(93)、以及集极电极(96)。碳化硅基板(1)包括包含碳化硅且导电型为p型之基底层(10)、及包含单晶碳化硅且配置于基底层(10)上之SiC层(20),且基底层(10)之p型杂质浓度超过1�1018 cm-3。

92. 发明专利

TW201030858A 碳化矽基板、磊晶晶圓及碳化矽基板之製造方法 SILICON CARBIDE SUBSTRATE, EPITAXIAL WAFER AND MANUFACTURING METHOD OF SILICON CARBIDE SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：碳化硅基板、磊晶晶圆及碳化硅基板之制造方法 SILICON CARBIDE SUBSTRATE, EPITAXIAL WAFER AND MANUFACTURING METHOD OF SILICON CARBIDE SUBSTRATE
公开(公告)号：TW201030858A
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：TW098143413
申请日：2009-12-17
申请人：住友電氣工業股份有限公司
发明人：佐佐木信 , 原田真
IPC分类号： H01L , C30B
CPC分类号： H01L21/02658 , H01L21/02052 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L29/1608
摘要：一種SiC基板(10),其包括如下步驟:準備具有主面、且包含SiC之基底基板;使用第1鹼性溶液清洗主面;及於使用第1鹼性溶液進行清洗之步驟之後,使用第2鹼性溶液清洗主面;且該SiC基板(10)具有主面(11),主面11之殘渣為0.2個以上且未滿200個。
简体摘要：一种SiC基板(10),其包括如下步骤:准备具有主面、且包含SiC之基底基板;使用第1碱性溶液清洗主面;及于使用第1碱性溶液进行清洗之步骤之后,使用第2碱性溶液清洗主面;且该SiC基板(10)具有主面(11),主面11之残渣为0.2个以上且未满200个。

93. 发明专利

TWI323008B 改良缺陷性半導體材料品質之方法 METHOD OF IMPROVING THE QUALITY OF DEFECTIVE SEMICONDUCTOR MATERIAL 失效
简体标题：改良缺陷性半导体材料品质之方法 METHOD OF IMPROVING THE QUALITY OF DEFECTIVE SEMICONDUCTOR MATERIAL
公开(公告)号：TWI323008B
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW093127515
申请日：2004-09-10
申请人：萬國商業機器公司
发明人：史帝芬W 貝戴爾 , 凱斯E 佛葛爾 , 史瑞許納拉席哈 , 戴芬卓K 莎達納
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02667 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02538 , H01L21/2022 , Y10S438/933
摘要：本發明提供一種使一缺陷性半導體晶體材料經受一非晶化步驟隨後實施一熱處理步驟之方法。該非晶化步驟將一缺陷性半導體晶體材料包括表面區域在內的區域部分或全部非晶化。隨後實施一熱處理步驟以便使該缺陷性半導體晶體材料之非晶化區域重新結晶。在本發明中，該重新結晶可藉由固相晶體自該缺陷性半導體晶體材料未非晶化區域中之再生長來達成。【創作特點】本發明之一目的係提供一種用於改良一上述缺陷性半導體晶體靠近表面的品質之方法。
本發明之另一目的係提供一種簡單、成本有效且可與習知CMOS製程配合使用之改良一缺陷性半導體晶體材料品質之方法。
本發明之再一目的係提供一種改良缺陷性主體或異質結構半導體晶體材料之品質的方法。
在本發明中，可藉由採用一使一缺陷性半導體晶體材料經受一非晶化步驟、隨後實施一熱處理步驟之方法來達成該等及其他目的及優點。根據本發明，該非晶化步驟使一缺陷性半導體晶體材料包括表面區域在內的區域部分或全部非晶化。隨後實施一熱處理步驟以使該缺陷性半導體晶體材料之非晶化區域再結晶。具體而言，在本發明中，該再結晶係藉由固相晶體自該缺陷性半導體晶體材料未非晶化區域中之再生長來達成。
該固相再生長僅轉化彼等穿越該非晶層之缺陷且因而消除了任何與Si(或其他磊晶層)生長有關之缺陷。只要該半導體晶體材料(例如，Si/SiGe異質結構)對於應變-消除缺陷生產係熱力學穩定，則該經非晶化半導體晶體材料即可以相同應變值再結晶而不會引入額外缺陷。在本發明中，只要該非晶形區域不延伸至該半導體晶體材料內之一隱埋非晶形層(例如，隱埋氧化物層)或整個半導體晶體材料，即可出現固相再結晶。在主體應變Si技術中，該等層將以由非晶形/單晶界面之材料品質所界定之缺陷密度再生長。
概言之，本發明之方法包括以下步驟：將一缺陷性半導體晶體材料區域部分或全部非晶化；並熱處理該經非晶化的缺陷性半導體晶體材料以使該部分或全部非晶化區域再結晶，形成一與該缺陷性半導體晶體材料相比缺陷密度降低之再結晶區域。
简体摘要：本发明提供一种使一缺陷性半导体晶体材料经受一非晶化步骤随后实施一热处理步骤之方法。该非晶化步骤将一缺陷性半导体晶体材料包括表面区域在内的区域部分或全部非晶化。随后实施一热处理步骤以便使该缺陷性半导体晶体材料之非晶化区域重新结晶。在本发明中，该重新结晶可借由固相晶体自该缺陷性半导体晶体材料未非晶化区域中之再生长来达成。【创作特点】本发明之一目的系提供一种用于改良一上述缺陷性半导体晶体靠近表面的品质之方法。本发明之另一目的系提供一种简单、成本有效且可与习知CMOS制程配合使用之改良一缺陷性半导体晶体材料品质之方法。本发明之再一目的系提供一种改良缺陷性主体或异质结构半导体晶体材料之品质的方法。在本发明中，可借由采用一使一缺陷性半导体晶体材料经受一非晶化步骤、随后实施一热处理步骤之方法来达成该等及其他目的及优点。根据本发明，该非晶化步骤使一缺陷性半导体晶体材料包括表面区域在内的区域部分或全部非晶化。随后实施一热处理步骤以使该缺陷性半导体晶体材料之非晶化区域再结晶。具体而言，在本发明中，该再结晶系借由固相晶体自该缺陷性半导体晶体材料未非晶化区域中之再生长来达成。该固相再生长仅转化彼等穿越该非晶层之缺陷且因而消除了任何与Si(或其他磊晶层)生长有关之缺陷。只要该半导体晶体材料(例如，Si/SiGe异质结构)对于应变-消除缺陷生产系热力学稳定，则该经非晶化半导体晶体材料即可以相同应变值再结晶而不会引入额外缺陷。在本发明中，只要该非晶形区域不延伸至该半导体晶体材料内之一隐埋非晶形层(例如，隐埋氧化物层)或整个半导体晶体材料，即可出现固相再结晶。在主体应变Si技术中，该等层将以由非晶形/单晶界面之材料品质所界定之缺陷密度再生长。概言之，本发明之方法包括以下步骤：将一缺陷性半导体晶体材料区域部分或全部非晶化；并热处理该经非晶化的缺陷性半导体晶体材料以使该部分或全部非晶化区域再结晶，形成一与该缺陷性半导体晶体材料相比缺陷密度降低之再结晶区域。

94. 发明专利

TWI316268B 製造磊晶半導體基底的方法以及製造半導體元件的方法 METHOD OF MANUFACTURING AN EPITAXIAL SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
简体标题：制造磊晶半导体基底的方法以及制造半导体组件的方法 METHOD OF MANUFACTURING AN EPITAXIAL SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI316268B
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：TW095104007
申请日：2006-02-07
申请人：三星電子股份有限公司
发明人：李浩 , 申東石 , 李化成 , 上野哲嗣 , 李承煥
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/3221 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02535 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：在製造一磊晶半導體基底之方法之一例示性實施例中，在一半導體基底上生長一吸氣層。隨後可在吸氣層之上形成一磊晶層，且在磊晶層上形成一半導體元件。
简体摘要：在制造一磊晶半导体基底之方法之一例示性实施例中，在一半导体基底上生长一吸气层。随后可在吸气层之上形成一磊晶层，且在磊晶层上形成一半导体组件。

95. 发明专利

TW200943388A 形成嵌埋型碳代矽磊晶層的方法 METHOD OF FORMING AN EMBEDDED SILICON CARBON EPITAXIAL LAYER 审中-公开
简体标题：形成嵌埋型碳代硅磊晶层的方法 METHOD OF FORMING AN EMBEDDED SILICON CARBON EPITAXIAL LAYER
公开(公告)号：TW200943388A
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：TW098106589
申请日：2009-02-27
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：波藍約翰 , 葉祉淵 , 金以寬
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/0262 , H01L21/02381 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02639 , H01L29/165 , H01L29/78 , H01L29/7848
摘要：在此揭露一種形成含有矽及碳的嵌埋型磊晶層之方法。特定的實施例是屬於形成含有矽及碳的嵌埋型磊晶層於矽晶圓上。在特定的實施例，矽及碳的磊晶層是非選擇性地形成在一基材或矽晶圓上，移除此層的多個部分以露出下方的基材或矽晶圓，以及形成一含有矽的磊晶層在露出的基材或矽晶圓上。在特定實施例中，閘極形成在最終的含矽磊晶層上。
简体摘要：在此揭露一种形成含有硅及碳的嵌埋型磊晶层之方法。特定的实施例是属于形成含有硅及碳的嵌埋型磊晶层于硅晶圆上。在特定的实施例，硅及碳的磊晶层是非选择性地形成在一基材或硅晶圆上，移除此层的多个部分以露出下方的基材或硅晶圆，以及形成一含有硅的磊晶层在露出的基材或硅晶圆上。在特定实施例中，闸极形成在最终的含硅磊晶层上。

96. 发明专利

TW200908315A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW200908315A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097112032
申请日：2008-04-02
申请人：住友電氣工業股份有限公司 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：增田健良 MASUDA, TAKEYOSHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02433 , C30B29/36 , C30B33/02 , H01L21/02378 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02609 , H01L21/046 , H01L21/0475 , H01L21/3247 , H01L21/8213 , H01L29/0657 , H01L29/1037 , H01L29/1608 , H01L29/66068
摘要：本發明之半導體裝置之製造方法,包括:形成SiC膜之步驟;於SiC膜之表面形成溝槽(20)之步驟;於向SiC膜之表面供給Si之狀態下,對SiC膜進行熱處理之熱處理步驟;及將藉由熱處理步驟於SiC膜之表面所得之複數之巨階部(1)作為通道之步驟。若將溝槽(20)之週期設為L、將溝槽(20)之高度設為h,則週期L與高度h之間成立以下關係,L=h(cot��+cot��)(其中,��、��係滿足0.5≦��、��≦45的變數)。由此,能夠提高半導體裝置之特性。
简体摘要：本发明之半导体设备之制造方法,包括:形成SiC膜之步骤;于SiC膜之表面形成沟槽(20)之步骤;于向SiC膜之表面供给Si之状态下,对SiC膜进行热处理之热处理步骤;及将借由热处理步骤于SiC膜之表面所得之复数之巨阶部(1)作为信道之步骤。若将沟槽(20)之周期设为L、将沟槽(20)之高度设为h,则周期L与高度h之间成立以下关系,L=h(cot��+cot��)(其中,��、��系满足0.5≦��、��≦45的变量)。由此,能够提高半导体设备之特性。

97. 发明专利

TW200840048A 碳化矽半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：碳化硅半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW200840048A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：TW096143947
申请日：2007-11-20
申请人：住友電氣工業股份有限公司 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：原田真 HARADA, SHIN , 增田健良 MASUDA, TAKEYOSHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02639 , H01L21/02658 , H01L29/045 , H01L29/0878 , H01L29/1608 , H01L29/66068
摘要：本發明可獲得一種動作特性優良之碳化矽半導體裝置及其製造方法。於4H-SiC基板(10)上之初期成長層(11)之表面,藉由Si膜覆蓋退火形成放大階面後,使新成長層(21)磊晶成長於初期成長層(11)上。於放大階面上成長低溫穩定之多型的3C-SiC部(21a),於其他區域上成長4H-SiC部(21b)。保留4H-SiC部(21b),選擇性地去除3C-SiC部(21a)而形成溝槽(Tr),於溝槽(Tr)內形成UMOSFET之閘極電極(27)。可將UMOSFET之通道區域控制為低度數面,可獲得通道遷移率高且動作特性優良之碳化矽半導體裝置。
简体摘要：本发明可获得一种动作特性优良之碳化硅半导体设备及其制造方法。于4H-SiC基板(10)上之初期成长层(11)之表面,借由Si膜覆盖退火形成放大阶面后,使新成长层(21)磊晶成长于初期成长层(11)上。于放大阶面上成长低温稳定之多态的3C-SiC部(21a),于其他区域上成长4H-SiC部(21b)。保留4H-SiC部(21b),选择性地去除3C-SiC部(21a)而形成沟槽(Tr),于沟槽(Tr)内形成UMOSFET之闸极电极(27)。可将UMOSFET之信道区域控制为低度数面,可获得信道迁移率高且动作特性优良之碳化硅半导体设备。

98. 发明专利

TW200626740A CVD摻雜構造物 CVD DOPED STRUCTURES 审中-公开
简体标题： CVD掺杂构造物 CVD DOPED STRUCTURES
公开(公告)号：TW200626740A
公开(公告)日：2006-08-01
申请号：TW094134587
申请日：2005-10-04
申请人：歐庫美的克公司 OKMETIC OYJ
发明人：維利瑪蒂阿拉西寧 VELI MATTI AIRAKSINEN , 瑪利亞愛麗納荷卡寧 MARIA ELINA HOKKANEN
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/24 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02579 , H01L21/0262
摘要：本發明揭示一種含有磊晶矽或多晶矽的摻雜物摻雜矽層的新清化學汽相沉積(CVD)生長處理法。該處理在600–1250℃的一高生長溫度下有利地進行，其具有將含有矽之鹵化物當作矽源氣體與一摻雜物使用的一個步驟。
简体摘要：本发明揭示一种含有磊晶硅或多晶硅的掺杂物掺杂硅层的新清化学汽相沉积(CVD)生长处理法。该处理在600–1250℃的一高生长温度下有利地进行，其具有将含有硅之卤化物当作硅源气体与一掺杂物使用的一个步骤。

99. 发明专利

TW200601412A 用以減少堆疊缺陷成核位置之連續平版印刷方法以及具有減少之堆疊缺陷成核位置之結構 SEQUENTIAL LITHOGRAPHIC METHODS TO REDUCE STACKING FAULT NUCLEATION SITES AND STRUCTURES HAVING REDUCED STACKING FAULT NUCLEATION SITES 审中-公开
简体标题：用以减少堆栈缺陷成核位置之连续平版印刷方法以及具有减少之堆栈缺陷成核位置之结构 SEQUENTIAL LITHOGRAPHIC METHODS TO REDUCE STACKING FAULT NUCLEATION SITES AND STRUCTURES HAVING REDUCED STACKING FAULT NUCLEATION SITES
公开(公告)号：TW200601412A
公开(公告)日：2006-01-01
申请号：TW094106799
申请日：2005-03-07
申请人：克立公司 CREE, INC.
发明人：克力斯特何林 HALLIN, CHRISTER , 漢茲雷德門 LENDENMANN, HEINZ , 約瑟分約翰蘇馬克 SUMAKERIS, JOSEPH JOHN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02639 , Y10S438/931
摘要：本發明係關於藉由在一具有一朝向一結晶學方向之離軸定向(off-axis orientation)的碳化矽基板之一表面中形成第一特徵來製作一磊晶碳化矽層。該等第一特徵包括至少一不平行於(意即，傾斜式垂直於)該結晶學方向而定向之側壁。接著，在其中包括第一特徵之該碳化矽基板之該表面上生長一第一磊晶碳化矽層。接著，在該第一磊晶層中形成第二特徵。該等第二特徵包括至少一不平行於該結晶學方向而定向之側壁。接著，在其中包括該等第二特徵之該第一磊晶碳化矽層之表面上生長一第二磊晶碳化矽層。
简体摘要：本发明系关于借由在一具有一朝向一结晶学方向之离轴定向(off-axis orientation)的碳化硅基板之一表面中形成第一特征来制作一磊晶碳化硅层。该等第一特征包括至少一不平行于(意即，倾斜式垂直于)该结晶学方向而定向之侧壁。接着，在其中包括第一特征之该碳化硅基板之该表面上生长一第一磊晶碳化硅层。接着，在该第一磊晶层中形成第二特征。该等第二特征包括至少一不平行于该结晶学方向而定向之侧壁。接着，在其中包括该等第二特征之该第一磊晶碳化硅层之表面上生长一第二磊晶碳化硅层。

100. 发明专利

TW200537592A 使用專一性沉積製程製備MOSFET元件的方法 METHDOS TO FABRICATE MOSFET DEVICES USING SELECTIVE DEPOSITION PROCESSES 审中-公开
简体标题：使用专一性沉积制程制备MOSFET组件的方法 METHDOS TO FABRICATE MOSFET DEVICES USING SELECTIVE DEPOSITION PROCESSES
公开(公告)号：TW200537592A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：TW094115281
申请日：2005-05-11
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：薩摩羅伏阿爾凱帝V. SAMOILOV, ARKADII V. , 金以寬 KIM, YIHWAN , 桑契斯愛羅 SANCHEZ, ERROL , 達利達尼可拉斯C. DALIDA, NICHOLAS C.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/823814 , H01L21/0245 , H01L21/0251 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L21/28044 , H01L21/28114 , H01L21/823807 , H01L29/165 , H01L29/66242 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/78 , H01L29/7834 , H01L29/7848
摘要：本發明實施例提供用以沉積含矽材料的方法，例如專一性磊晶沉積一含有高摻雜物濃度之矽鍺材料的方法。在一實施例中，將一基材暴露在至少兩種不同的製程氣體中以沉積一層在另一層頂部。一種製程氣體含二氯矽烷、一鍺源集一蝕刻劑，另一種製程氣體含矽烷及一蝕刻劑。在其他實施例中，一製程氣體係包含二氯矽烷、甲基矽烷、及氯化氫，或是含矽烷、甲基矽烷及氯化氫。在一態樣中，一沉積層在其晶格中具有間隙位置且在該間隙位置中包含淤3at％或更少量的碳，且後續更經過退火以併入至少一部份該間隙位置中的碳。在另一態樣中，一矽鍺堆疊層具有一分別含有約25at％或更少、約25at％或更多及約5at％之鍺的第一、第二、及第三層。
简体摘要：本发明实施例提供用以沉积含硅材料的方法，例如专一性磊晶沉积一含有高掺杂物浓度之硅锗材料的方法。在一实施例中，将一基材暴露在至少两种不同的制程气体中以沉积一层在另一层顶部。一种制程气体含二氯硅烷、一锗源集一蚀刻剂，另一种制程气体含硅烷及一蚀刻剂。在其他实施例中，一制程气体系包含二氯硅烷、甲基硅烷、及氯化氢，或是含硅烷、甲基硅烷及氯化氢。在一态样中，一沉积层在其晶格中具有间隙位置且在该间隙位置中包含淤3at％或更少量的碳，且后续更经过退火以并入至少一部份该间隙位置中的碳。在另一态样中，一硅锗堆栈层具有一分别含有约25at％或更少、约25at％或更多及约5at％之锗的第一、第二、及第三层。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式