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    • 92. 发明专利
    • 使用液態金屬微動開關之高頻衰減器 HIGH FREQUENCY ATTENUATOR USING LIQUID METAL MICRO SWITCHES
    • 使用液态金属微动开关之高频衰减器 HIGH FREQUENCY ATTENUATOR USING LIQUID METAL MICRO SWITCHES
    • TW200305905A
    • 2003-11-01
    • TW091134209
    • 2002-11-25
    • 安捷倫科技公司 AGILENT TECHNOLOGIES, INC.
    • 路易士R 多芙 LEWIS R. DOVE約翰R 林德希 JOHN R. LINDSEY大衛J 達斯契爾 DAVID J. DASCHER
    • H01H
    • H01P1/22H01H1/0036H01H29/28H01H2029/008
    • 藉由將干擾耦合電容盡可能地減低,並藉由使用一匹配於衰減器繼電器所在之系統之受控阻抗傳輸線之區段之導體來減輕在一衰減器繼電器中由干擾耦合電容以及在取代衰減器區段之開關導體內之電抗所造成之共振。在使用衰減器區段時,一在一開關傳輸線區段之任一側上具有製造於基板上之SPDTLIMMS開關及其相關衰減器之基板將明顯地降低跨於開關之打開部份上的干擾耦合電容。這會增加由跨在衰減器上之RF電壓降所驅動之共振開始之頻率。可藉由在基板上於傳輸線區段之每一末端上包括一對額外的LIMMS阻尼開關來得到共振之振幅之減少。當衰減器區段使用時,這些阻尼開關每個將一終端電阻器連接至傳輸線區段之末端。這載入共振器且減低了共振之振幅。且再藉由在傳輸線區段之中間附近(但以非恰在中間為較好)載入阻尼開關及其終端電阻器之一來得到進一步之改進。
    • 借由将干扰耦合电容尽可能地减低,并借由使用一匹配于衰减器继电器所在之系统之受控阻抗传输线之区段之导体来减轻在一衰减器继电器中由干扰耦合电容以及在取代衰减器区段之开关导体内之电抗所造成之共振。在使用衰减器区段时,一在一开关传输线区段之任一侧上具有制造于基板上之SPDTLIMMS开关及其相关衰减器之基板将明显地降低跨于开关之打开部份上的干扰耦合电容。这会增加由跨在衰减器上之RF电压降所驱动之共振开始之频率。可借由在基板上于传输线区段之每一末端上包括一对额外的LIMMS阻尼开关来得到共振之振幅之减少。当衰减器区段使用时,这些阻尼开关每个将一终端电阻器连接至传输线区段之末端。这加载共振器且减低了共振之振幅。且再借由在传输线区段之中间附近(但以非恰在中间为较好)加载阻尼开关及其终端电阻器之一来得到进一步之改进。
    • 93. 发明专利
    • 具有接地彈跳現象回復之邊界掃描技術 BOUNDARY SCAN WITH GROUND BOUNCE RECOVERY
    • 具有接地弹跳现象回复之边界扫描技术 BOUNDARY SCAN WITH GROUND BOUNCE RECOVERY
    • TW200303426A
    • 2003-09-01
    • TW091134663
    • 2002-11-28
    • 安捷倫科技公司 AGILENT TECHNOLOGIES, INC.
    • 雷蒙J 貝茲爾 RAYMOND JOHN BALZER
    • G01R
    • G01R31/318555
    • 所揭示係一種可在一邊界掃瞄測試期間自接地彈跳回復的系統,其係包括使一TestAccessPort(測試存取埠)控制器(118),自上述接地彈跳所引發至少三個不確定性控制器狀態中的任何一個,以運作方式變遷至一確定性控制器狀態。該等不確定性控制器狀態,可能係選自一UPDATE(更新)狀態、一RUN-TEST/IDLE(執行測試/閒置)狀態、一SELECT-DR-SCAN(選擇-資料暫存器-掃描)狀態、和一CAPTURE-DR(捕捉-資料暫存器)狀態(第4和6圖)。上述之確定性控制器狀態,可為其UPDATE-DR(更新-資料暫存器)狀態(第5F和7J圖)。一旦在此確定性控制器狀態中,上述之TestAccessPort(測試存取埠)控制器(118),亦可自一不確定性資料狀態,以運作方式變遷至一確定性資料狀態(第8圖)。
    • 所揭示系一种可在一边界扫瞄测试期间自接地弹跳回复的系统,其系包括使一TestAccessPort(测试存取端口)控制器(118),自上述接地弹跳所引发至少三个不确定性控制器状态中的任何一个,以运作方式变迁至一确定性控制器状态。该等不确定性控制器状态,可能系选自一UPDATE(更新)状态、一RUN-TEST/IDLE(运行测试/闲置)状态、一SELECT-DR-SCAN(选择-数据寄存器-扫描)状态、和一CAPTURE-DR(捕捉-数据寄存器)状态(第4和6图)。上述之确定性控制器状态,可为其UPDATE-DR(更新-数据寄存器)状态(第5F和7J图)。一旦在此确定性控制器状态中,上述之TestAccessPort(测试存取端口)控制器(118),亦可自一不确定性数据状态,以运作方式变迁至一确定性数据状态(第8图)。
    • 97. 发明专利
    • 半導體特性曲線的比較方法 METHOD FOR COMPARING SEMICONDUCTOR CHARACTERISTIC CURVES
    • 半导体特性曲线的比较方法 METHOD FOR COMPARING SEMICONDUCTOR CHARACTERISTIC CURVES
    • TW200723426A
    • 2007-06-16
    • TW095109640
    • 2006-03-21
    • 安捷倫科技公司 AGILENT TECHNOLOGIES, INC.
    • 石塚好司 ISHIZUKA, KOJI
    • H01L
    • G01R31/31912G01R31/318314
    • 一種分析系統,其係包含:一用於儲存多個半導體裝置測量結果與一曲線圖顯示程式的儲存裝置;一用於以曲線圖顯示該等測量結果於數個視窗內的顯示器;用於選定該等視窗中之一些的輸入裝置;以及,一用於重疊及顯示該等曲線圖於該等視窗內的處理器,藉由使用該曲線圖顯示程式,藉此使得:只有在該輸入裝置所選定視窗中之一視窗內的曲線圖之一顯示區變成透明,該一視窗係位於該顯示器所顯示的最上層;除了該曲線圖之該顯示區以外的區域變成不透明;位於顯示於最下層之視窗中之曲線圖的至少一顯示區變成不透明;以及,位於最上層與最下層之間中之一層的視窗中之曲線圖的至少一顯示區變成透明。
    • 一种分析系统,其系包含:一用于存储多个半导体设备测量结果与一曲线图显示进程的存储设备;一用于以曲线图显示该等测量结果于数个窗口内的显示器;用于选定该等窗口中之一些的输入设备;以及,一用于重叠及显示该等曲线图于该等窗口内的处理器,借由使用该曲线图显示进程,借此使得:只有在该输入设备所选定窗口中之一窗口内的曲线图之一显示区变成透明,该一窗口系位于该显示器所显示的最上层;除了该曲线图之该显示区以外的区域变成不透明;位于显示于最下层之窗口中之曲线图的至少一显示区变成不透明;以及,位于最上层与最下层之间中之一层的窗口中之曲线图的至少一显示区变成透明。
    • 100. 发明专利
    • 用於測量場效電晶體特性之方法 METHOD FOR MEASURING FET CHARACTERISTICS
    • 用于测量场效应管特性之方法 METHOD FOR MEASURING FET CHARACTERISTICS
    • TW200716999A
    • 2007-05-01
    • TW095121029
    • 2006-06-13
    • 安捷倫科技公司 AGILENT TECHNOLOGIES, INC.
    • 大川康司 OKAWA, YASUSHI
    • G01R
    • G01R31/2621G01R27/28
    • 一指示在電壓測量單元的一測量電壓與一由於汲極電流的汲極偏壓電壓中的電壓降間之關係的係數係根據一偏壓T的一S參數與該測量單元的一輸入阻抗來決定,在該汲極的一電壓降係決定自該係數。根據該決定的電壓降,一實際施加至一場效電晶體之汲極的汲極偏壓電壓被決定。同樣地,一用於將該測量單元的測量電壓轉換成一汲極電流的係數係根據該偏壓T的兩個端子對網路的一S參數及該電壓測量單元的輸入阻抗來決定。根據該決定的係數,實際上流入該場效電晶體的一汲極電流被決定。
    • 一指示在电压测量单元的一测量电压与一由于汲极电流的汲极偏压电压中的电压降间之关系的系数系根据一偏压T的一S参数与该测量单元的一输入阻抗来决定,在该汲极的一电压降系决定自该系数。根据该决定的电压降,一实际施加至一场效应管之汲极的汲极偏压电压被决定。同样地,一用于将该测量单元的测量电压转换成一汲极电流的系数系根据该偏压T的两个端子对网络的一S参数及该电压测量单元的输入阻抗来决定。根据该决定的系数,实际上流入该场效应管的一汲极电流被决定。