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91. 发明专利

TW201001747A 表面粗化之氮化鎵系發光元件及其製造方法 GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DEVICE WITH ROUGHED SURFACE AND FABICATING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：表面粗化之氮化镓系发光组件及其制造方法 GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DEVICE WITH ROUGHED SURFACE AND FABICATING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201001747A
公开(公告)日：2010-01-01
申请号：TW097124061
申请日：2008-06-27
申请人：先進開發光電股份有限公司
发明人：黃世晟 , 凃博閔 , 葉穎超 , 林文禹 , 吳芃逸 , 徐智鵬 , 詹世雄
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/14
摘要：一種表面粗化之氮化鎵系發光元件，其可包括一基板、一緩衝層、一n型三族氮化物半導體材料層、一三族氮化物半導體發光層、一第一p型三族氮化物半導體材料層、一p型重摻雜三族氮化物半導體材料層、以及一第二p型三族氮化物半導體粗化層。上述第一p型三族氮化物半導體材料層，成長於上述三族氮化物半導體發光層上。上述p型重摻雜三族氮化物半導體材料層，成長於上述第一p型三族氮化物半導體材料層上。上述第二p型三族氮化物半導體粗化層，成長於上述p型重摻雜三族氮化物半導體材料層上。
简体摘要：一种表面粗化之氮化镓系发光组件，其可包括一基板、一缓冲层、一n型三族氮化物半导体材料层、一三族氮化物半导体发光层、一第一p型三族氮化物半导体材料层、一p型重掺杂三族氮化物半导体材料层、以及一第二p型三族氮化物半导体粗化层。上述第一p型三族氮化物半导体材料层，成长于上述三族氮化物半导体发光层上。上述p型重掺杂三族氮化物半导体材料层，成长于上述第一p型三族氮化物半导体材料层上。上述第二p型三族氮化物半导体粗化层，成长于上述p型重掺杂三族氮化物半导体材料层上。

92. 发明专利

TW200952210A 發光二極體 LIGHT EMITTING DIODE 审中-公开
简体标题：发光二极管 LIGHT EMITTING DIODE
公开(公告)号：TW200952210A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：TW097122069
申请日：2008-06-13
申请人：先進開發光電股份有限公司
发明人：張忠民 , 陳東安 , 王君偉
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種發光二極體，其包括一基板、複數個發光二極體晶粒、一混光裝置以及一封裝體。該複數個發光二極體晶粒設置於基板上。該混光裝置由透光材料製成且該混光裝置內摻雜有散射粒子，該混光裝置位於基板上並環繞該複數個發光二極體晶粒設置。該封裝體設置於該基板上並包覆該混光裝置及複數個發光二極體晶粒。該種發光二極體具有混光均勻之特點。
简体摘要：本发明提供一种发光二极管，其包括一基板、复数个发光二极管晶粒、一混光设备以及一封装体。该复数个发光二极管晶粒设置于基板上。该混光设备由透光材料制成且该混光设备内掺杂有散射粒子，该混光设备位于基板上并环绕该复数个发光二极管晶粒设置。该封装体设置于该基板上并包覆该混光设备及复数个发光二极管晶粒。该种发光二极管具有混光均匀之特点。

93. 发明专利

TW200950827A 光觸媒燈具模組 PHOTOCATALYST LAMP MODULE 审中-公开
简体标题：光触媒灯具模块 PHOTOCATALYST LAMP MODULE
公开(公告)号：TW200950827A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：TW097120423
申请日：2008-06-02
申请人：先進開發光電股份有限公司
发明人：張家誠 , 塗上德 , 吳威宏
IPC分类号： A61L
摘要：一種光觸媒燈具，該光觸媒燈具包括一第一電性基板、多個第一發光二極體及一散熱裝置。其中，第一發光二極體可發出可見光且其配置於第一電性基板上，且第一電性基板配置於散熱裝置下方，而散熱裝置則包括有多個散熱片，其特徵在於：該光觸媒燈具更包括一第二電性基板、多個第二發光二極體及光觸媒材料。其中，光觸媒材料是塗布於散熱片之上，第二發光二極體是配置於該第二電性基板之上，且第二發光二極體可發出紫外光而催化光觸媒材料，而達到淨化空氣之效。此外，散熱裝置更可包括一風扇模組，以提昇光觸媒燈具淨化空氣之效率。
简体摘要：一种光触媒灯具，该光触媒灯具包括一第一电性基板、多个第一发光二极管及一散热设备。其中，第一发光二极管可发出可见光且其配置于第一电性基板上，且第一电性基板配置于散热设备下方，而散热设备则包括有多个散热片，其特征在于：该光触媒灯具更包括一第二电性基板、多个第二发光二极管及光触媒材料。其中，光触媒材料是涂布于散热片之上，第二发光二极管是配置于该第二电性基板之上，且第二发光二极管可发出紫外光而催化光触媒材料，而达到净化空气之效。此外，散热设备更可包括一风扇模块，以提升光触媒灯具净化空气之效率。

94. 发明专利

TW200944725A 光觸媒淨化裝置 PHOTOCATALYST PURIFYING APPARATUS 审中-公开
简体标题：光触媒净化设备 PHOTOCATALYST PURIFYING APPARATUS
公开(公告)号：TW200944725A
公开(公告)日：2009-11-01
申请号：TW097114137
申请日：2008-04-18
申请人：先進開發光電股份有限公司
发明人：徐智鵬 , 張忠民 , 李澤安
IPC分类号： F24F
摘要：本發明提供一種光觸媒淨化裝置，其包括至少一光源、一光觸媒濾網和至少一供水裝置，該光觸媒濾網包括一光觸媒載體和一形成於該光觸媒載體表面之光觸媒材料層，該光觸媒載體具有吸水性，該至少一供水裝置供給該光觸媒載體使其吸水以於該光觸媒材料層表面形成一層水膜。
简体摘要：本发明提供一种光触媒净化设备，其包括至少一光源、一光触媒滤网和至少一供水设备，该光触媒滤网包括一光触媒载体和一形成于该光触媒载体表面之光触媒材料层，该光触媒载体具有吸水性，该至少一供水设备供给该光触媒载体使其吸水以于该光触媒材料层表面形成一层水膜。

95. 发明专利

TW200939519A 三族氮化合物半導體發光二極體 LIGHT EMITTING DEVICE OF III-NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR 审中-公开
简体标题：三族氮化合物半导体发光二极管 LIGHT EMITTING DEVICE OF III-NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR
公开(公告)号：TW200939519A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：TW097107610
申请日：2008-03-05
申请人：先進開發光電股份有限公司 ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY INC.
发明人：黃世晟 HUANG, SHIH CHENG , 楊順貴 YANG, SHUN KUEI , 黃嘉宏 HUANG, CHIA HUNG , 徐智鵬 HSU, CHIH PENG , 詹世雄 CHAN, SHIH HSIUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/06 , H01L33/145
摘要：一種三族氮化合物半導體發光二極體,其包含一基板、一緩衝層、一N型半導體材料層、一主動層及一P型半導體材料層。該主動層包含至少一量子井層、至少兩個夾設該量子井層之電障層及至少一個應力調整層,其中該應力調整層係設於該量子井層及一電障層之間,且該應力調整層之三族氮化合物材料組成係延該量子井層朝向鄰接該電障層方向遞變分佈。
简体摘要：一种三族氮化合物半导体发光二极管,其包含一基板、一缓冲层、一N型半导体材料层、一主动层及一P型半导体材料层。该主动层包含至少一量子井层、至少两个夹设该量子井层之电障层及至少一个应力调整层,其中该应力调整层系设于该量子井层及一电障层之间,且该应力调整层之三族氮化合物材料组成系延该量子井层朝向邻接该电障层方向递变分布。

96. 发明专利

TW200937364A 燈箱模組 LIGHTING BOX MODULE 失效
简体标题：灯箱模块 LIGHTING BOX MODULE
公开(公告)号：TW200937364A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097105514
申请日：2008-02-18
申请人：先進開發光電股份有限公司 ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY INC.
发明人：張家誠 CHANG, CHIA CHEN , 吳威宏 WU, WEI HUNG , 曾仕傑 TSENG, SHIH CHIEH
IPC分类号： G09F
摘要：本發明揭示一種燈箱模組,可容設至少一個長柱狀光源,其包含一底座、至少一個光源固定框、一導光板、一第一透明板及一前蓋。該前蓋與該底座結合,並形成收容該長柱狀光源、光源固定框、導光板及第一透明板之空間。該光源固定框包含一光源收容部及一跑線槽,係設於該底座之四周,並能定位該導光板於該底座內。該光源收容部容設該光源,並可將該光源發出之光線反射至該導光板,該跑線槽容設與該光源連接之線路。該第一透明板係設於該前蓋及該導光板之間。
简体摘要：本发明揭示一种灯箱模块,可容设至少一个长柱状光源,其包含一底座、至少一个光源固定框、一导光板、一第一透明板及一前盖。该前盖与该底座结合,并形成收容该长柱状光源、光源固定框、导光板及第一透明板之空间。该光源固定框包含一光源收容部及一跑线槽,系设于该底座之四周,并能定位该导光板于该底座内。该光源收容部容设该光源,并可将该光源发出之光线反射至该导光板,该跑线槽容设与该光源连接之线路。该第一透明板系设于该前盖及该导光板之间。

97. 发明专利

TW200921942A 發光二極體元件之封裝結構及其製造方法 PACKAGING STRUCTURE OF LIGHT EMITTING DIODE DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：发光二极管组件之封装结构及其制造方法 PACKAGING STRUCTURE OF LIGHT EMITTING DIODE DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200921942A
公开(公告)日：2009-05-16
申请号：TW096142956
申请日：2007-11-14
申请人：先進開發光電股份有限公司 ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY INC.
发明人：曾文良 TSENG, WEN LIANG , 陳隆欣 CHEN, LUNG HSIN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/486 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014
摘要：本發明揭示一種發光二極體元件之封裝結構及其製造方法。該發光二極體元件之封裝結構包含一具有一反射腔之基板、一固定於該反射腔內之晶粒、一設於該反射腔表面之反射層、複數個電極及一位於該反射腔上方之反射式增光偏光膜,其中該複數個電極係設於該基板上相對於該反射腔之表面。該反射式增光偏光膜可將該晶粒產生光線中非穿透方向之偏極光有效反射回該反射層,再經由該反射層反射回該反射式增光偏光膜。而該反射光中有部分偏極光和穿透方向相同,則該部分光線能通過該反射式增光偏光膜而透射出該封裝結構。
简体摘要：本发明揭示一种发光二极管组件之封装结构及其制造方法。该发光二极管组件之封装结构包含一具有一反射腔之基板、一固定于该反射腔内之晶粒、一设于该反射腔表面之反射层、复数个电极及一位于该反射腔上方之反射式增光偏光膜,其中该复数个电极系设于该基板上相对于该反射腔之表面。该反射式增光偏光膜可将该晶粒产生光线中非穿透方向之偏极光有效反射回该反射层,再经由该反射层反射回该反射式增光偏光膜。而该反射光中有部分偏极光和穿透方向相同,则该部分光线能通过该反射式增光偏光膜而透射出该封装结构。

98. 发明专利

TW200921941A 三族氮化合物半導體發光二極體及其製造方法 LIGHT EMITTING DEVICE OF III-NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：三族氮化合物半导体发光二极管及其制造方法 LIGHT EMITTING DEVICE OF III-NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200921941A
公开(公告)日：2009-05-16
申请号：TW096142955
申请日：2007-11-14
申请人：先進開發光電股份有限公司 ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY INC.
发明人： 博閔 TU, PO MIN , 黃世晟 HUANG, SHIH CHENG , 葉穎超 YEH, YING CHAO , 林文禹 LIN, WEN YU , 吳芃逸 WU, PENG YI , 徐智鵬 HSU, CHIH PENG , 詹世雄 CHAN, SHIH HSIUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/22 , H01L21/02658 , H01L33/06 , H01L33/32
摘要：一種三族氮化合物半導體發光二極體,其包含一基板、一緩衝層、一N型半導體材料層、一共形(conformation)主動層及一P型半導體材料層。該N型半導體材料層具有第一表面及第二表面,該第一表面係直接接觸該緩衝層。該第二表面係具有複數個凹部,該共形主動層係形成於該第二表面上及該複數個凹部內。該共形主動層及該N型半導體材料層間之應力可藉由該複數個凹部釋放。
简体摘要：一种三族氮化合物半导体发光二极管,其包含一基板、一缓冲层、一N型半导体材料层、一共形(conformation)主动层及一P型半导体材料层。该N型半导体材料层具有第一表面及第二表面,该第一表面系直接接触该缓冲层。该第二表面系具有复数个凹部,该共形主动层系形成于该第二表面上及该复数个凹部内。该共形主动层及该N型半导体材料层间之应力可借由该复数个凹部释放。

99. 发明专利

TW200919774A 光電元件之封裝結構及其製造方法 PACKAGING STRUCTURE OF PHOTOELECTRIC DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：光电组件之封装结构及其制造方法 PACKAGING STRUCTURE OF PHOTOELECTRIC DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200919774A
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW096139780
申请日：2007-10-24
申请人：先進開發光電股份有限公司 ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY INC.
发明人：曾文良 TSENG, WEN LIANG , 陳隆欣 CHEN, LUNG HSIN , 曾堅信 TSANG, JIAN SHIHN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/486 , H01L31/0203 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L2224/48091 , H01L2924/10253 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種光電元件之封裝結構,其係包含具有一第一表面與一第二表面之矽基材。該第一表面與該第二表面相對,又該第一表面具有一反射腔;該第二表面具有至少兩個與該反射腔相連通之電極介層孔,並於該電極介層孔外側各設有一凹槽。一第一絕緣層包覆該矽基材之該第一表面、該第二表面與該凹槽。又一反射層設於該反射腔表面,及一第二絕緣層覆蓋該反射層。一第一導電層設於該第二絕緣層及該第一絕緣層表面;及一第二導電層係設於該第二表面,並與該第一導電層相連接。一晶粒固定於該反射腔內,並電性連接於該第一導電層。
简体摘要：本发明揭示一种光电组件之封装结构,其系包含具有一第一表面与一第二表面之硅基材。该第一表面与该第二表面相对,又该第一表面具有一反射腔;该第二表面具有至少两个与该反射腔相连通之电极介层孔,并于该电极介层孔外侧各设有一凹槽。一第一绝缘层包覆该硅基材之该第一表面、该第二表面与该凹槽。又一反射层设于该反射腔表面,及一第二绝缘层覆盖该反射层。一第一导电层设于该第二绝缘层及该第一绝缘层表面;及一第二导电层系设于该第二表面,并与该第一导电层相连接。一晶粒固定于该反射腔内,并电性连接于该第一导电层。

100. 发明专利

TWI307178B 發光二極體元件之封裝結構 PACKAGE STRUCTURE OF LED 失效
简体标题：发光二极管组件之封装结构 PACKAGE STRUCTURE OF LED
公开(公告)号：TWI307178B
公开(公告)日：2009-03-01
申请号：TW095110220
申请日：2006-03-24
申请人：先進開發光電股份有限公司 ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY INC.
发明人：曾文良 TSENG, WEN LIANG , 陳隆欣 CHEN, LUNG HSIN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/01012 , H01L2924/0102 , H01L2924/00014
摘要：本發明揭示一種發光二極體元件之封裝結構,其包含一封裝載體、一固定及電性連結於該封裝載體上之發光二極體晶粒、一覆蓋該封裝載體及發光二極體晶粒之模構件以及設於該模構件相對端部之兩個電極。該模構件相對於該發光二極體晶粒之兩側表面分別披覆反光層,因此該發光二極體晶粒發出之光線會被該反光層反射而導向該晶粒電路表面之上方,然後穿透出該模構件而射出至外部。各該電極具有至少兩個相互垂直表面,且與該發光二極體晶粒之兩極端分別電性連接。
简体摘要：本发明揭示一种发光二极管组件之封装结构,其包含一封装载体、一固定及电性链接于该封装载体上之发光二极管晶粒、一覆盖该封装载体及发光二极管晶粒之模构件以及设于该模构件相对端部之两个电极。该模构件相对于该发光二极管晶粒之两侧表面分别披覆反光层,因此该发光二极管晶粒发出之光线会被该反光层反射而导向该晶粒电路表面之上方,然后穿透出该模构件而射出至外部。各该电极具有至少两个相互垂直表面,且与该发光二极管晶粒之两极端分别电性连接。

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