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1. 发明专利

TWI600139B 半導體基板、半導體基板之製造方法、電子裝置，以及電子裝置之製造方法有权
简体标题：半导体基板、半导体基板之制造方法、电子设备，以及电子设备之制造方法
公开(公告)号：TWI600139B
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：TW100114604
申请日：2011-04-27
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：西川直宏 , NISHIKAWA, NAOHIRO , 中野強 , NAKANO, TSUYOSHI , 井上孝行 , INOUE, TAKAYUKI
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/8238
CPC分类号： H01L29/7785 , H01L21/02463 , H01L21/02505 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L27/085 , H01L29/207 , H01L29/66462 , H01L29/812

2. 发明专利

TW201709279A 有高溫穩定基板介面材料的異質磊晶結構审中-公开
简体标题：有高温稳定基板界面材料的异质磊晶结构
公开(公告)号：TW201709279A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105115353
申请日：2016-05-18
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：達斯古塔山薩塔克 , DASGUPTA, SANSAPTAK , 陳漢威 , THEN, HAN WUI , 拉多撒福傑維克馬可 , RADOSAVLJEVIC, MARKO , 珈納薩納斯 , GARDNER, SANAZ K. , 成承訓 , SUNG, SEUNG HOON , 喬羅伯特 , CHAU, ROBERT S.
IPC分类号： H01L21/18 , H01L29/772 , H01L21/20
CPC分类号： H01L29/7786 , H01L21/02381 , H01L21/02439 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0445 , H01L21/8258 , H01L27/085 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/66462
摘要：描述包括從設置在晶體基板上方之溝槽層中的一或多個溝槽延伸之高架晶體結構的晶體異質結構。在部分實施例中，將介面層設置在矽基板表面上方。該介面層促進該高架結構以可另外使該基板表面退化並在該高架結構中導致更多缺陷的成長溫度從該溝槽的底部成長。可將具有暴露該介面層的一部分之溝槽底部的該溝槽層設置在該介面層上方。具有低缺陷密度表面之任意大的合併晶體結構可從該等溝槽過度成長。裝置，諸如，III-N電晶體，可更形成在該凸起的晶體結構上，同時以矽為基的裝置(例如，電晶體)可形成在該矽基板的其他區域中。
简体摘要：描述包括从设置在晶体基板上方之沟槽层中的一或多个沟槽延伸之高架晶体结构的晶体异质结构。在部分实施例中，将界面层设置在硅基板表面上方。该界面层促进该高架结构以可另外使该基板表面退化并在该高架结构中导致更多缺陷的成长温度从该沟槽的底部成长。可将具有暴露该界面层的一部分之沟槽底部的该沟槽层设置在该界面层上方。具有低缺陷密度表面之任意大的合并晶体结构可从该等沟槽过度成长。设备，诸如，III-N晶体管，可更形成在该凸起的晶体结构上，同时以硅为基的设备(例如，晶体管)可形成在该硅基板的其他区域中。

3. 发明专利

TW201405771A 整合多數元件的單石積體電路晶片审中-公开
简体标题：集成多数组件的单石集成电路芯片
公开(公告)号：TW201405771A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW102118432
申请日：2013-05-24
申请人：雷神公司 , RAYTHEON COMPANY
发明人：桑德斯傑佛瑞H , SAUNDERS, JEFFREY H.
IPC分类号： H01L27/04 , H01L29/778
CPC分类号： H01L21/8258 , H01L27/0605 , H01L27/085 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種含有多數個電晶體的罩片積體電路(IC)晶片，包含：一基材；一第一電晶體在該基團上；及一第二電晶體與該第一電晶體一體地形成於該基材上，該第二電晶體具有一與該第一電晶體不同的結構，其中該第一電晶體包含一第一材料系統且該第二電晶體包含一第二材料系統不同於該第一材料系統。該單片IC晶片可更包含一第三電晶體與該第一和第二電晶體一體地形成於該基材上。該第一電晶體可包含氮化鎵(GaN)，且該第二和第三電晶體可包含碳化矽(SiC)。
简体摘要：一种含有多数个晶体管的罩片集成电路(IC)芯片，包含：一基材；一第一晶体管在该基团上；及一第二晶体管与该第一晶体管一体地形成于该基材上，该第二晶体管具有一与该第一晶体管不同的结构，其中该第一晶体管包含一第一材料系统且该第二晶体管包含一第二材料系统不同于该第一材料系统。该单片IC芯片可更包含一第三晶体管与该第一和第二晶体管一体地形成于该基材上。该第一晶体管可包含氮化镓(GaN)，且该第二和第三晶体管可包含碳化硅(SiC)。

4. 发明专利

TW201244093A 具有後表面隔離之半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICES WITH BACK SURFACE ISOLATION 审中-公开
简体标题：具有后表面隔离之半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICES WITH BACK SURFACE ISOLATION
公开(公告)号：TW201244093A
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW100146472
申请日：2011-12-15
申请人：高效電源轉換公司
发明人：里道亞力山大 , 曹建軍 , 畢曲羅伯特 , 史泰登約翰 , 納卡塔亞雷納 , 趙廣元
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/743 , H01L21/761 , H01L21/76283 , H01L21/8252 , H01L21/8258 , H01L23/535 , H01L27/0605 , H01L27/0688 , H01L27/085 , H01L29/1075 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/732 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/7827 , H01L29/88 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：用以獨立地連接在一半導體裝置之一部份中之一周圍材料與其各個裝置之一接頭的多數電路、結構及技術。為達到這目的,設置一或多個導電井之一組合,且該一或多個導電井係以至少一偏極性電氣隔離。
简体摘要：用以独立地连接在一半导体设备之一部份中之一周围材料与其各个设备之一接头的多数电路、结构及技术。为达到这目的,设置一或多个导电井之一组合,且该一或多个导电井系以至少一偏极性电气隔离。

5. 发明专利

TW201218319A 串接式之高電子遷移率電晶體元件及其製造方法 SERIES-CONNECTED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：串接式之高电子迁移率晶体管组件及其制造方法 SERIES-CONNECTED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201218319A
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW099136116
申请日：2010-10-22
申请人：國立交通大學
发明人：張翼 , 許恒通
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L27/085 , H01L29/1608 , H01L29/41766 , H01L29/66068 , H01L29/66462
摘要：一種串接式之高電子遷移率電晶體元件的製造方法,該方法係利用製程中定義出多個高電子遷移率電晶體,並以內連接的方式將所述高電子遷移率電晶體進行串接。因此,在等效電路上可達到累加電壓的效果,故可形成具有高崩潰電壓特性的元件。
简体摘要：一种串接式之高电子迁移率晶体管组件的制造方法,该方法系利用制程中定义出多个高电子迁移率晶体管,并以内连接的方式将所述高电子迁移率晶体管进行串接。因此,在等效电路上可达到累加电压的效果,故可形成具有高崩溃电压特性的组件。

6. 发明专利

TW201140820A 氮化鎵和矽裝置和電路的單體整合、結構及方法 MONOLITHIC INTEGRATION OF GALLIUM NITRIDE AND SILICON DEVICES AND CIRCUITS, STRUCTURE AND METHOD 审中-公开
简体标题：氮化镓和硅设备和电路的单体集成、结构及方法 MONOLITHIC INTEGRATION OF GALLIUM NITRIDE AND SILICON DEVICES AND CIRCUITS, STRUCTURE AND METHOD
公开(公告)号：TW201140820A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW100103039
申请日：2011-01-27
申请人：英特希爾美國公司
发明人：赫伯特法蘭寇西斯
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/0242 , H01L21/0245 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L21/76281 , H01L21/8258 , H01L27/085 , H01L29/2003 , H01L29/66462
摘要：用於包括矽裝置層和氮化鎵(GaN)裝置層的半導體裝置的結構和方法。在實施例中，矽裝置層和GaN裝置層具有彼此共平面的上表面。在另一實施例中，GaN裝置層並不直接位於矽裝置層下面，並且矽裝置層並不直接位於GaN裝置層下面。半導體裝置還可包括在矽裝置層上和/或內形成的矽基半導體裝置，以及在GaN裝置層上和/或內形成的氮化物基半導體裝置。GaN裝置層可包括多個層，所述多個層可形成為共形遮蓋層和然後平坦化，或者可選擇性地形成然後平坦化。
简体摘要：用于包括硅设备层和氮化镓(GaN)设备层的半导体设备的结构和方法。在实施例中，硅设备层和GaN设备层具有彼此共平面的上表面。在另一实施例中，GaN设备层并不直接位于硅设备层下面，并且硅设备层并不直接位于GaN设备层下面。半导体设备还可包括在硅设备层上和/或内形成的硅基半导体设备，以及在GaN设备层上和/或内形成的氮化物基半导体设备。GaN设备层可包括多个层，所述多个层可形成为共形遮盖层和然后平坦化，或者可选择性地形成然后平坦化。

7. 发明专利

TW201126698A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201126698A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099130138
申请日：2010-09-07
申请人：崇貿科技股份有限公司
发明人：蔣昕志 , 邰翰忠
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/085 , H01L29/7803 , H01L29/8083
摘要：一半導體裝置。此半導體包括一基板、一VDMOS、一JFET、一第一電極、一第二電極、一第三電極、以及一第四電極。VDMOS係被形成於基板上。JFET係被形成於基板上。其中,第一電極、第二電極、以及第三電極係連接至VDMOS,並且分別被用來當成VDMOS的一第一閘極電極、一第一汲極電極、以及一第一源極電極。第二電極、第三電極、以及第四電極係連接至JFET,並且分別被用來當成VDMOS的一第二汲極電極、一第二閘極電極、以及一第二源極電極。
简体摘要：一半导体设备。此半导体包括一基板、一VDMOS、一JFET、一第一电极、一第二电极、一第三电极、以及一第四电极。VDMOS系被形成于基板上。JFET系被形成于基板上。其中,第一电极、第二电极、以及第三电极系连接至VDMOS,并且分别被用来当成VDMOS的一第一闸极电极、一第一汲极电极、以及一第一源极电极。第二电极、第三电极、以及第四电极系连接至JFET,并且分别被用来当成VDMOS的一第二汲极电极、一第二闸极电极、以及一第二源极电极。

8. 发明专利

TW201743450A Ga-face III族/氮化物磊晶結構及其主動元件與其製作方法审中-公开
简体标题： Ga-face III族/氮化物磊晶结构及其主动组件与其制作方法
公开(公告)号：TW201743450A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW105118481
申请日：2016-06-14
申请人：江文章
发明人：江文章
IPC分类号： H01L29/778
CPC分类号： H01L21/8252 , H01L21/0254 , H01L21/0274 , H01L21/26546 , H01L21/283 , H01L21/30604 , H01L21/3085 , H01L21/324 , H01L27/0605 , H01L27/0629 , H01L27/085 , H01L27/0883 , H01L29/0684 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/402 , H01L29/41766 , H01L29/42316 , H01L29/66212 , H01L29/66462 , H01L29/7783 , H01L29/861 , H01L29/872
摘要：本發明係關於一種Ga-face III族/氮化物磊晶結構及其主動元件與其製作方法。在此Ga face之AlGaN/GaN磊晶結構包含有一基底；一位於基底上之i-GaN(C-doped)層；一位於i-GaN(C-doped)層上之i-Al(y)GaN緩衝層；一位於i-Al(y)GaN緩衝層上之i-GaN Channel層；以及一位於i-GaN Channel層上之i-Al(x) GaN層，其中該X=0.1-0.3，該y=0.05-0.75。在元件設計上藉由P-GaN倒置梯型閘極或陽極結構使Ga-face III族/氮化物磊晶結構內之2DEG在P-GaN倒置梯型結構下方處能呈現空乏狀態，以製作出P型氮化鎵閘極加強型AlGaN/GaN高速電子遷移率電晶體、P型氮化鎵陽極AlGaN/GaN蕭特基位障二極體或混合型元件。
简体摘要：本发明系关于一种Ga-face III族/氮化物磊晶结构及其主动组件与其制作方法。在此Ga face之AlGaN/GaN磊晶结构包含有一基底；一位于基底上之i-GaN(C-doped)层；一位于i-GaN(C-doped)层上之i-Al(y)GaN缓冲层；一位于i-Al(y)GaN缓冲层上之i-GaN Channel层；以及一位于i-GaN Channel层上之i-Al(x) GaN层，其中该X=0.1-0.3，该y=0.05-0.75。在组件设计上借由P-GaN倒置梯型闸极或阳极结构使Ga-face III族/氮化物磊晶结构内之2DEG在P-GaN倒置梯型结构下方处能呈现空乏状态，以制作出P型氮化镓闸极加强型AlGaN/GaN高速电子迁移率晶体管、P型氮化镓阳极AlGaN/GaN萧特基位障二极管或混合型组件。

9. 发明专利

TW201737353A 共平面Ｐ通道和Ｎ通道氮化鎵為基礎的矽上電晶體及其形成技術审中-公开
简体标题：共平面Ｐ信道和Ｎ信道氮化镓为基础的硅上晶体管及其形成技术
公开(公告)号：TW201737353A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW105135990
申请日：2016-11-04
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：達斯古塔山薩塔克 , DASGUPTA, SANSAPTAK , 陳漢威 , THEN, HAN WUI , 拉多撒福傑維克馬可 , RADOSAVLJEVIC, MARKO , 珈納薩納斯 , GARDNER, SANAZ , 成承訓 , SUNG, SEUNG HOON
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/78 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L27/085 , H01L27/092 , H01L29/045 , H01L29/0847 , H01L29/2003 , H01L29/4236 , H01L29/66462 , H01L29/7781 , H01L29/7786
摘要：揭露了用於製造共平面P通道和N通道氮化鎵(GaN)為基礎的矽(Si)上電晶體的技術。根據一些實施例，Si基板可以被圖案化為具有位於在基板上的介電層中形成的相應開口下面的凹槽。根據一些實施例，在每個凹槽內，可以選擇性地形成包含緩衝層、GaN或氮化銦鎵(InGaN)層以及極化層的堆疊。p通道堆疊進一步可以包含在其極化層上的另一GaN或InGaN層、具有與GaN或InGaN層的m平面或a平面側壁相鄰的源極/汲極(S/D)部分。根據一些實施例，n通道電晶體可以包括在其GaN或InGaN層上、在其極化層內的S/D部分。可以定制閘極堆疊放置以提供用於所得的相鄰p通道和n通道電晶體裝置的增強和空乏模式的任何所需組合。
简体摘要：揭露了用于制造共平面P信道和N信道氮化镓(GaN)为基础的硅(Si)上晶体管的技术。根据一些实施例，Si基板可以被图案化为具有位于在基板上的介电层中形成的相应开口下面的凹槽。根据一些实施例，在每个凹槽内，可以选择性地形成包含缓冲层、GaN或氮化铟镓(InGaN)层以及极化层的堆栈。p信道堆栈进一步可以包含在其极化层上的另一GaN或InGaN层、具有与GaN或InGaN层的m平面或a平面侧壁相邻的源极/汲极(S/D)部分。根据一些实施例，n信道晶体管可以包括在其GaN或InGaN层上、在其极化层内的S/D部分。可以定制闸极堆栈放置以提供用于所得的相邻p信道和n信道晶体管设备的增强和空乏模式的任何所需组合。

10. 发明专利

TWI573178B 具有氮化鎵基元件與矽基元件於其上之矽基板以及於矽基板上形成氮化鎵基元件與矽基元件之方法有权
简体标题：具有氮化镓基组件与硅基组件于其上之硅基板以及于硅基板上形成氮化镓基组件与硅基组件之方法
公开(公告)号：TWI573178B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW100106854
申请日：2011-03-02
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：鄭光茗 , THEI, KONG BENG , 余俊磊 , YU, JIUN LEI JERRY , 蔡俊琳 , TSAI, CHUN LIN , 段孝勤 , TUAN, HSIAO CHIN , 卡尼斯基艾利克斯 , KALNITSKY, ALEX
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/324
CPC分类号： H01L27/0617 , H01L21/26506 , H01L21/8258 , H01L27/085 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

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