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    • 3. 发明专利
    • 製備鉿錯合物的方法 PROCESSES FOR PRODUCING HAFNIUM COMPLEXES
    • 制备铪错合物的方法 PROCESSES FOR PRODUCING HAFNIUM COMPLEXES
    • TW200918544A
    • 2009-05-01
    • TW097122302
    • 2008-06-13
    • 中央硝子股份有限公司 CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED
    • 山田周平 YAMADA, SHUHEI兩川敦 RYOKAWA, ATSUSHI
    • C07FC07C
    • C07C49/92C07C29/70C07C41/18C07C45/77C07C31/28C07C43/04
    • 本發明揭示第一至第六種分別用於製備四-第三丁醇鉿、四(乙醯基丙酮根)鉿、四(1-甲氧基-2-甲基-2-丙醇根)鉿、四-第三戊醇鉿、四(3-甲基-3-戊氧基)鉿及四(六氟基乙醯基丙酮根)鉿之方法。第一種方法包括步驟(a)將化合物A(OyXOnRf)m(例如,CF3SO3H)加入粗胺化鉿Hf【【N(R1)(R2)】】4中;(b)使步驟(a)之產物在減壓下蒸餾;(c)將烷基胺化鋰Li(NR3R4)加入步驟(b)所獲得的餾份中;(d)使步驟(c)之產物在減壓下蒸餾;(e)將第三丁醇加入步驟(d)所獲得的餾份中;及(f)使步驟(e)之產物在減壓下蒸餾。將步驟(e)之第三丁醇在第二至第六種方法中分別以乙醯基丙酮、1-甲氧基-2-甲基-2-丙醇、第三戊醇、3-甲基-3-戊醇及六氟基乙醯基丙酮取代。
    • 本发明揭示第一至第六种分别用于制备四-第三丁醇铪、四(乙酰基丙酮根)铪、四(1-甲氧基-2-甲基-2-丙醇根)铪、四-第三戊醇铪、四(3-甲基-3-戊氧基)铪及四(六氟基乙酰基丙酮根)铪之方法。第一种方法包括步骤(a)将化合物A(OyXOnRf)m(例如,CF3SO3H)加入粗胺化铪Hf【【N(R1)(R2)】】4中;(b)使步骤(a)之产物在减压下蒸馏;(c)将烷基胺化锂Li(NR3R4)加入步骤(b)所获得的馏份中;(d)使步骤(c)之产物在减压下蒸馏;(e)将第三丁醇加入步骤(d)所获得的馏份中;及(f)使步骤(e)之产物在减压下蒸馏。将步骤(e)之第三丁醇在第二至第六种方法中分别以乙酰基丙酮、1-甲氧基-2-甲基-2-丙醇、第三戊醇、3-甲基-3-戊醇及六氟基乙酰基丙酮取代。