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1. 发明专利

TW504488B 單晶雙晶圓穿隧式感應器及其製造方法有权
简体标题：单晶双晶圆穿隧式感应器及其制造方法
公开(公告)号：TW504488B
公开(公告)日：2002-10-01
申请号：TW090116340
申请日：2001-07-04
申请人： HRL實驗室LLC , 休格斯電子公司
发明人：古柏那諾道爾 L , 麗特麥可 J , 立諾伊 H 海可特
IPC分类号： B81B
CPC分类号： B81C1/0015 , B81B2201/0292 , B81C2203/036 , H01H59/0009
摘要：本發明係提供一種用以製作微機電切換器(switch)或穿隧式感應器(tunneling sensor)的方法。其方法係於一第一基底(first substrate)或晶圓之上定義出一懸臂束結構(cantilevered beam structure)及一配合結構(mating structure)，並且於一第二基底(second substrate)或晶圓上形成有至少一接觸結構(contact structure)及一配合結構(mating structure)，於該第二基底或晶圓上之該配合結構之形狀係互補於該第一基底或晶圓上之該配合結構之形狀，同時於其中之該配合結構之上形成一結合層，其中，該結合層又以共晶接合層為佳。隨後，將該第一基底或晶圓之該配合結構定位在相對於該第二基底或晶圓之該配合結構的位置上，藉由加壓方式使得該第一、二基底之兩配合結構於其結合層或共晶接合層上相互結合，繼而將該第一基底或晶圓進行移除以釋放該懸臂束結構。
简体摘要：本发明系提供一种用以制作微机电切换器(switch)或穿隧式感应器(tunneling sensor)的方法。其方法系于一第一基底(first substrate)或晶圆之上定义出一悬臂束结构(cantilevered beam structure)及一配合结构(mating structure)，并且于一第二基底(second substrate)或晶圆上形成有至少一接触结构(contact structure)及一配合结构(mating structure)，于该第二基底或晶圆上之该配合结构之形状系互补于该第一基底或晶圆上之该配合结构之形状，同时于其中之该配合结构之上形成一结合层，其中，该结合层又以共晶接合层为佳。随后，将该第一基底或晶圆之该配合结构定位在相对于该第二基底或晶圆之该配合结构的位置上，借由加压方式使得该第一、二基底之两配合结构于其结合层或共晶接合层上相互结合，继而将该第一基底或晶圆进行移除以释放该悬臂束结构。

2. 发明专利

TW529060B 使用共晶接合之單晶雙晶圓穿隧式、電容性三軸感應器及其製造方法失效
简体标题：使用共晶接合之单晶双晶圆穿隧式、电容性三轴感应器及其制造方法
公开(公告)号：TW529060B
公开(公告)日：2003-04-21
申请号：TW090116335
申请日：2001-07-04
申请人： HRL實驗室LLC
发明人：古柏那諾道爾 L , 强大衛 T
IPC分类号： G01P , B81B , B81C , G01C , H01L
CPC分类号： B81C3/002 , B81B2201/0242 , B81B2201/025 , B81C2201/019 , B81C2203/036 , B81C2203/058 , G01C19/5656 , G01P15/0802 , G01P15/0894 , G01P15/18 , G01P2015/084 , G01P2015/0842 , H01H1/0036 , H01H59/0009
摘要：一種三軸MEM穿隧式/電容性感應器(three axis MEM tunneling/capacitive sensor)及其製作方法。於一第一基底或晶圓上係定義出用以形成相互正交設置之至少兩感應器、相互正交相連之複數配合結構之一懸臂束結構，相互正交設置之該兩感應器係具有相互正交之兩感應敏感性方向。於該第一基底或晶圓上形成至少一第三感應器之一共振器結構(resonator sturcture)，該第三感應器係於一第三方向上具有敏感性，該第三方向係同時正交於相互正交設置之該兩感應敏感性方向，於該共振器結構之上係具有一配合結構。形成複數接觸結構以做為相互正交設置之至少兩感應器之使用，並且於一第二基底或晶圓上形成複數配合結構，於該第二基底或晶圓上之該配合結構之形狀係互補於該第一基底或晶圓上之該配合結構之形狀。將該第一基底或晶圓之該配合結構定位在相對於該第二基底或晶圓之該配合結構的位置上。藉由連接於其中之一配合結構的一共晶接合層係可加速於相對應之配合結構間的結合效果，並且藉由移除該第一基底或晶圓之至少一部件之情況下係可對於該懸臂束結構、該共振器結構進行釋放。
简体摘要：一种三轴MEM穿隧式/电容性感应器(three axis MEM tunneling/capacitive sensor)及其制作方法。于一第一基底或晶圆上系定义出用以形成相互正交设置之至少两感应器、相互正交相连之复数配合结构之一悬臂束结构，相互正交设置之该两感应器系具有相互正交之两感应敏感性方向。于该第一基底或晶圆上形成至少一第三感应器之一共振器结构(resonator sturcture)，该第三感应器系于一第三方向上具有敏感性，该第三方向系同时正交于相互正交设置之该两感应敏感性方向，于该共振器结构之上系具有一配合结构。形成复数接触结构以做为相互正交设置之至少两感应器之使用，并且于一第二基底或晶圆上形成复数配合结构，于该第二基底或晶圆上之该配合结构之形状系互补于该第一基底或晶圆上之该配合结构之形状。将该第一基底或晶圆之该配合结构定位在相对于该第二基底或晶圆之该配合结构的位置上。借由连接于其中之一配合结构的一共晶接合层系可加速于相对应之配合结构间的结合效果，并且借由移除该第一基底或晶圆之至少一部件之情况下系可对于该悬臂束结构、该共振器结构进行释放。

3. 发明专利

TW522440B 具有基底突出物之單晶雙晶圓穿隧式感應器或微機電切換器之製造方法及其組件失效
简体标题：具有基底突出物之单晶双晶圆穿隧式感应器或微机电切换器之制造方法及其组件
公开(公告)号：TW522440B
公开(公告)日：2003-03-01
申请号：TW090116337
申请日：2001-07-04
申请人： HRL實驗室LLC
发明人：古柏那諾道爾 L , 强大衛 T
IPC分类号： G01P , B81B , B81C , G01C , H01H , H01L
CPC分类号： H01H1/0036 , H01H59/0009
摘要：本發明係提供一種用以製作微機電切換器(switch)或穿隧式感應器(tunneling sensor)的方法。其方法係於一第一基底(first substrate)或晶圓之一蝕刻中止層(etch stop)之上定義出一懸臂束結構(cantilevered beam structure)及一配合結構(mating structure)，並且於一第二基底(second substrate)或晶圓上形成有至少一接觸結構(contact structure)及一配合結構(mating structure)，於該第二基底或晶圓上之該配合結構之形狀係互補於該第一基底或晶圓上之該配合結構之形狀，同時於其中之該配合結構之上形成一結合層，其中，該結合層又以共晶接合層為佳。隨後，將該第一基底或晶圓之該配合結構定位在相對於該第二基底或晶圓之該配合結構的位置上，藉由加壓方式使得該第一、二基底之兩配合結構於其結合層或共晶接合層上相互結合，繼而將該第一基底或晶圓及該蝕刻中止層(etch stop)進行移除以釋放該懸臂束結構。
简体摘要：本发明系提供一种用以制作微机电切换器(switch)或穿隧式感应器(tunneling sensor)的方法。其方法系于一第一基底(first substrate)或晶圆之一蚀刻中止层(etch stop)之上定义出一悬臂束结构(cantilevered beam structure)及一配合结构(mating structure)，并且于一第二基底(second substrate)或晶圆上形成有至少一接触结构(contact structure)及一配合结构(mating structure)，于该第二基底或晶圆上之该配合结构之形状系互补于该第一基底或晶圆上之该配合结构之形状，同时于其中之该配合结构之上形成一结合层，其中，该结合层又以共晶接合层为佳。随后，将该第一基底或晶圆之该配合结构定位在相对于该第二基底或晶圆之该配合结构的位置上，借由加压方式使得该第一、二基底之两配合结构于其结合层或共晶接合层上相互结合，继而将该第一基底或晶圆及该蚀刻中止层(etch stop)进行移除以释放该悬臂束结构。

4. 发明专利

TW511125B 具有絕緣層晶片基底之單晶雙晶圓穿隧式感應器或微機電切換器之製造方法及其組件失效
简体标题：具有绝缘层芯片基底之单晶双晶圆穿隧式感应器或微机电切换器之制造方法及其组件
公开(公告)号：TW511125B
公开(公告)日：2002-11-21
申请号：TW090116338
申请日：2001-07-04
申请人： HRL實驗室LLC
发明人：古柏那諾道爾 L , 强大衛 T
IPC分类号： B81B , B81C , G01P , H01H , H01L
CPC分类号： H01H1/0036 , G01P15/0802 , G01P15/0894 , H01H59/0009
摘要：本發明係提供一種用以製作微機電切換器(switch)或穿隧式感應器(tunneling sensor)的方法。其方法係於一第一基底(first substrate)或晶圓之一蝕刻中止層(etch stop)之上定義出一懸臂束結構(cantilevered beam structure)及一配合結構(mating structure)，並且於一第二基底(second substrate)或晶圓上形成有至少一接觸結構(contact structure)及一配合結構(mating structure)，於該第二基底或晶圓上之該配合結構之形狀係互補於該第一基底或晶圓上之該配合結構之形狀，同時於其中之該配合結構之上形成一結合層，其中，該結合層又以共晶接合層為佳。隨後，將該第一基底或晶圓之該配合結構定位在相對於該第二基底或晶圓之該配合結構的位置上，藉由加壓方式使得該第一、二基底之兩配合結構於其結合層或共晶接合層上相互結合，繼而將該第一基底或晶圓及該蝕刻中止層(etch stop)進行移除以釋放該懸臂束結構。
简体摘要：本发明系提供一种用以制作微机电切换器(switch)或穿隧式感应器(tunneling sensor)的方法。其方法系于一第一基底(first substrate)或晶圆之一蚀刻中止层(etch stop)之上定义出一悬臂束结构(cantilevered beam structure)及一配合结构(mating structure)，并且于一第二基底(second substrate)或晶圆上形成有至少一接触结构(contact structure)及一配合结构(mating structure)，于该第二基底或晶圆上之该配合结构之形状系互补于该第一基底或晶圆上之该配合结构之形状，同时于其中之该配合结构之上形成一结合层，其中，该结合层又以共晶接合层为佳。随后，将该第一基底或晶圆之该配合结构定位在相对于该第二基底或晶圆之该配合结构的位置上，借由加压方式使得该第一、二基底之两配合结构于其结合层或共晶接合层上相互结合，继而将该第一基底或晶圆及该蚀刻中止层(etch stop)进行移除以释放该悬臂束结构。

5. 发明专利

TW498410B 單晶雙晶圓穿隧式迴轉儀及其製造方法失效
简体标题：单晶双晶圆穿隧式掉头仪及其制造方法
公开(公告)号：TW498410B
公开(公告)日：2002-08-11
申请号：TW090116339
申请日：2001-07-04
申请人： HRL實驗室LLC
发明人：古柏那諾道爾 L , 强大衛 T
IPC分类号： G01P , B81B , B81C , G01C , H01L
CPC分类号： B81C1/0015 , B81B2201/0242 , B81C2201/014 , B81C2201/0191 , B81C2203/036 , G01C19/5656 , G01P15/0802 , G01P15/0894
摘要：本發明係有關於用以製作微機電(micro electro-mechanical(MEM))迴轉儀之方法。於一第一基底或晶圓上定義出一懸臂束結構、至少兩側驅動電極之複數第一部及一配合結構。於一第二基底或晶圓上形成有至少一接觸結構、至少兩側驅動電極之複數第二部及一配合結構，於該第二基底或晶圓上之該配合結構之形狀係互補於該第一基底或晶圓上之該配合結構之形狀，並且於該側驅動電極之該第二部之形狀係互補於該第一基底或晶圓上之該側驅動電極之該第一部之形狀。於其中之一配合結構上形成有一結合層，該結合層以共晶接合層為佳，並且該第一部或該第二部中之一者係為該側驅動電極。隨後，將該第一基底或晶圓之該配合結構定位在相對於該第二基底或晶圓之該配合結構的位置上，藉由加壓方式使得該第一、二基底之兩配合結構於其結合層或共晶接合層上相互結合，並且也對於複數側驅動電極之該第一部、該第二部之間進行結合，繼而在相對於該第二基底或晶圓之下將該第一基底或晶圓進行移除以釋放該懸臂束結構。上述結合方式係宜以採用共晶結合為佳。
简体摘要：本发明系有关于用以制作微机电(micro electro-mechanical(MEM))掉头仪之方法。于一第一基底或晶圆上定义出一悬臂束结构、至少两侧驱动电极之复数第一部及一配合结构。于一第二基底或晶圆上形成有至少一接触结构、至少两侧驱动电极之复数第二部及一配合结构，于该第二基底或晶圆上之该配合结构之形状系互补于该第一基底或晶圆上之该配合结构之形状，并且于该侧驱动电极之该第二部之形状系互补于该第一基底或晶圆上之该侧驱动电极之该第一部之形状。于其中之一配合结构上形成有一结合层，该结合层以共晶接合层为佳，并且该第一部或该第二部中之一者系为该侧驱动电极。随后，将该第一基底或晶圆之该配合结构定位在相对于该第二基底或晶圆之该配合结构的位置上，借由加压方式使得该第一、二基底之两配合结构于其结合层或共晶接合层上相互结合，并且也对于复数侧驱动电极之该第一部、该第二部之间进行结合，继而在相对于该第二基底或晶圆之下将该第一基底或晶圆进行移除以释放该悬臂束结构。上述结合方式系宜以采用共晶结合为佳。

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