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1. 发明专利

TWI675456B 記憶體裝置的形成方法有权
简体标题：内存设备的形成方法
公开(公告)号：TWI675456B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW107116122
申请日：2018-05-11
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：卓旭棋 , CHO, HSU CHI , 楊政達 , YANG, CHENG TA
IPC分类号： H01L27/11517

2. 发明专利

TW201947742A 記憶體裝置的形成方法审中-公开
简体标题：内存设备的形成方法
公开(公告)号：TW201947742A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW107116122
申请日：2018-05-11
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：卓旭棋 , CHO, HSU CHI , 楊政達 , YANG, CHENG TA
IPC分类号： H01L27/11517
摘要：提供一種記憶體裝置的形成方法。記憶體裝置的形成方法包含在基底上形成浮置閘極，以及在浮置閘極上形成控制閘極。記憶體裝置的形成方法也包含在控制閘極上形成遮罩層，以及在遮罩層之側壁上形成間隙物，其中間隙物覆蓋控制閘極之側壁和浮置閘極之側壁。記憶體裝置的形成方法更包含實施離子佈植製程以將摻質植入間隙物之上部，以及實施濕式蝕刻製程以暴露出控制閘極之側壁。
简体摘要：提供一种内存设备的形成方法。内存设备的形成方法包含在基底上形成浮置闸极，以及在浮置闸极上形成控制闸极。内存设备的形成方法也包含在控制闸极上形成遮罩层，以及在遮罩层之侧壁上形成间隙物，其中间隙物覆盖控制闸极之侧壁和浮置闸极之侧壁。内存设备的形成方法更包含实施离子布植制程以将掺质植入间隙物之上部，以及实施湿式蚀刻制程以暴露出控制闸极之侧壁。

3. 发明专利

TWI574415B 半導體元件及其製造方法有权
简体标题：半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI574415B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW104103418
申请日：2015-02-02
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：楊政達 , YANG, CHENG TA
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/764

4. 发明专利

TWI563635B 非揮發性記憶體裝置及其製造方法有权
简体标题：非挥发性内存设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI563635B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW103131853
申请日：2014-09-16
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：楊政達 , YANG, CHENG TA
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/28

5. 发明专利

TW201630188A 半導體元件及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201630188A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104103418
申请日：2015-02-02
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：楊政達 , YANG, CHENG TA
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/764
摘要：一種半導體元件及其製造方法，其中的製造方法包括提供具有數個堆疊結構的基底，並在堆疊結構之間塗佈流體材料，然後去除部分流體材料，以形成露出部分堆疊結構的犧牲層。在露出的堆疊結構之側壁形成數個介電間隙壁，並完全去除上述犧牲層，再在基底上形成覆蓋堆疊結構的介電層，並在介電間隙壁以下的兩個堆疊結構之間具有空氣間隙。
简体摘要：一种半导体组件及其制造方法，其中的制造方法包括提供具有数个堆栈结构的基底，并在堆栈结构之间涂布流体材料，然后去除部分流体材料，以形成露出部分堆栈结构的牺牲层。在露出的堆栈结构之侧壁形成数个介电间隙壁，并完全去除上述牺牲层，再在基底上形成覆盖堆栈结构的介电层，并在介电间隙壁以下的两个堆栈结构之间具有空气间隙。

6. 发明专利

TW201613073A 非揮發性記憶體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：非挥发性内存设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201613073A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW103131853
申请日：2014-09-16
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：楊政達 , YANG, CHENG TA
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/28
摘要：本揭露提供一種非揮發性記憶體裝置的製造方法，包括提供包括一陣列區的一基板。在基板的陣列區上形成至少二個多晶矽閘極堆疊結構。在上述至少二個多晶矽閘極堆疊結構之間形成一絕緣層。上述至少二個多晶矽閘極堆疊結構之間的絕緣層上具有一溝槽。在溝槽的側壁及底部順應性地形成一第一金屬層。在溝槽中填入一保護層以覆蓋第一金屬層。在上述至少二個多晶矽閘極堆疊結構及保護層的頂部表面上形成一第二金屬層，使第一金屬層及第二金屬層包圍保護層。本揭露亦提供一種非揮發性記憶體裝置。
简体摘要：本揭露提供一种非挥发性内存设备的制造方法，包括提供包括一数组区的一基板。在基板的数组区上形成至少二个多晶硅闸极堆栈结构。在上述至少二个多晶硅闸极堆栈结构之间形成一绝缘层。上述至少二个多晶硅闸极堆栈结构之间的绝缘层上具有一沟槽。在沟槽的侧壁及底部顺应性地形成一第一金属层。在沟槽中填入一保护层以覆盖第一金属层。在上述至少二个多晶硅闸极堆栈结构及保护层的顶部表面上形成一第二金属层，使第一金属层及第二金属层包围保护层。本揭露亦提供一种非挥发性内存设备。

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