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1. 发明专利

TWI666732B 半導體結構及系統晶片（ＳｏＣ）積體電路及其製造方法有权
简体标题：半导体结构及系统芯片（ＳｏＣ）集成电路及其制造方法
公开(公告)号：TWI666732B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW106116731
申请日：2014-09-25
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：歐賴克法羅曼 , OLAC-VAW, ROMAN W. , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 劉培基 , LIU, PEI CHI
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L27/12 , H01L29/78

2. 发明专利

TWI666706B 具有橫向逐漸改變之功函數的電晶體閘極金屬有权
简体标题：具有横向逐渐改变之功函数的晶体管闸极金属
公开(公告)号：TWI666706B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW104122557
申请日：2015-07-13
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：歐雷瓦羅門 , OLAC-VAW, ROMAN , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 張旭佑 , CHANG, HSU YU , 張婷 , CHANG, TING , 瑞瑪斯維米瑞豪 , RAMASWAMY, RAHUL , 劉培基 , LIU, PEI CHI , 迪亞斯奈維爾 , DIAS, NEVILLE
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78

3. 发明专利

TWI664679B 有空洞加速的崩潰的金屬氧化物半導體（ＭＯＳ）反熔絲有权
简体标题：有空洞加速的崩溃的金属氧化物半导体（ＭＯＳ）反熔丝
公开(公告)号：TWI664679B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW104122774
申请日：2015-07-14
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：歐雷瓦羅門 , OLAC-VAW, ROMAN , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 張婷 , CHANG, TING , 劉培基 , LIU, PEI CHI , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 張旭佑 , CHANG, HSU YU , 瑞瑪斯維米瑞豪 , RAMASWAMY, RAHUL , 迪亞斯奈維爾 , DIAS, NEVILLE
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78

4. 发明专利

TW201832349A 具有電介質襯裡之高電壓三維裝置审中-公开
简体标题：具有电介质衬里之高电压三维设备
公开(公告)号：TW201832349A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106139962
申请日：2013-06-13
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 葉震亞 , YEH, JENG YA D. , 蔡柯堤斯 , TSAI, CURTIS , 朴朱東 , PARK, JOODONG , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 哈瑪撒帝古賓納 , BHIMARASETTI, GOPINATH
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/31
摘要：說明具有電介質襯裡的高電壓三維裝置以及具有電介質襯裡的高電壓三維裝置的形成方法。舉例而言，半導體結構包含配置在上述基底上方的第一鰭主動區以及第二鰭主動區。第一閘極結構配置在第一鰭主動區的上表面上方、以及延著第一鰭主動區的側壁。第一閘極結構包含第一閘極電介質、第一閘極電極、及第一間隔器。第一閘極電介質由配置在第一鰭主動區上及延著第一間隔器側壁之第一電介層、以及配置在第一電介層上及延著第一間隔器側壁之第二、不同的電介層構成。半導體結構也包含配置在第二鰭主動區的上表面上方、以及延著第二鰭主動區的側壁之第二閘極結構。第二閘極結構包含第二閘極電介質、第二閘極電極、及第二間隔器。第二閘極電介質由配置在第二鰭主動區上及延著第二間隔器側壁之第二電介層構成。
简体摘要：说明具有电介质衬里的高电压三维设备以及具有电介质衬里的高电压三维设备的形成方法。举例而言，半导体结构包含配置在上述基底上方的第一鳍主动区以及第二鳍主动区。第一闸极结构配置在第一鳍主动区的上表面上方、以及延着第一鳍主动区的侧壁。第一闸极结构包含第一闸极电介质、第一闸极电极、及第一间隔器。第一闸极电介质由配置在第一鳍主动区上及延着第一间隔器侧壁之第一电介层、以及配置在第一电介层上及延着第一间隔器侧壁之第二、不同的电介层构成。半导体结构也包含配置在第二鳍主动区的上表面上方、以及延着第二鳍主动区的侧壁之第二闸极结构。第二闸极结构包含第二闸极电介质、第二闸极电极、及第二间隔器。第二闸极电介质由配置在第二鳍主动区上及延着第二间隔器侧壁之第二电介层构成。

5. 发明专利

TWI663710B 具有電介質襯裡之高電壓三維裝置有权
简体标题：具有电介质衬里之高电压三维设备
公开(公告)号：TWI663710B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW106139962
申请日：2013-06-13
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 葉震亞 , YEH, JENG YA D. , 蔡柯堤斯 , TSAI, CURTIS , 朴朱東 , PARK, JOODONG , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 哈瑪撒帝古賓納 , BHIMARASETTI, GOPINATH
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/31

6. 发明专利

TWI664738B 用於鰭片為主之電子元件的固態源極擴散接面有权
简体标题：用于鳍片为主之电子组件的固态源极扩散接面
公开(公告)号：TWI664738B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW107111952
申请日：2015-06-08
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336

7. 发明专利

TW201828482A 用於鰭片為主之電子元件的固態源極擴散接面审中-公开
简体标题：用于鳍片为主之电子组件的固态源极扩散接面
公开(公告)号：TW201828482A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW107111952
申请日：2015-06-08
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
摘要：固態源極擴散接面被敘述用於鰭片為主之電子元件。於一範例中，鰭片係形成在基板上。第一摻雜劑型的玻片被沈積在該基板之上及在該鰭片的下部之上。第二摻雜劑型的玻片被沈積在該基板及該鰭片之上。該玻片被退火，以使該等摻雜劑開始進入該鰭片及該基板。該玻片被移去，且第一及第二接觸部被形成在該鰭片之上，而不會接觸該鰭片的下部。
简体摘要：固态源极扩散接面被叙述用于鳍片为主之电子组件。于一范例中，鳍片系形成在基板上。第一掺杂剂型的玻片被沉积在该基板之上及在该鳍片的下部之上。第二掺杂剂型的玻片被沉积在该基板及该鳍片之上。该玻片被退火，以使该等掺杂剂开始进入该鳍片及该基板。该玻片被移去，且第一及第二接触部被形成在该鳍片之上，而不会接触该鳍片的下部。

8. 发明专利

TWI626728B 鰭式半導體裝置及方法有权
简体标题：鳍式半导体设备及方法
公开(公告)号：TWI626728B
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：TW106100873
申请日：2014-12-22
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/74 , H01L21/283

9. 发明专利

TW201817006A 用於低電容應用的非對稱間隔物审中-公开
简体标题：用于低电容应用的非对称间隔物
公开(公告)号：TW201817006A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106116139
申请日：2017-05-16
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：林睿彥 , LIN, JUI-YEN , 李呈光 , LEE, CHEN GUAN , 朴朱東 , PARK, JOODONG , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 石坤桓 , SHIH, KUN HUAN
IPC分类号： H01L29/66 , H01L21/8234 , H01L29/78
摘要：實施方式包含一種設備，包含：電晶體，包含源極、汲極及閘極，該閘極具有第一側壁及第二側壁；第一間隔物，在該汲極及該閘極之間的該第一側壁上；第二間隔物，在該源極及該閘極之間的該第二側壁上；及第三間隔物，在該第一間隔物上。其它實施方式於此敘述。
简体摘要：实施方式包含一种设备，包含：晶体管，包含源极、汲极及闸极，该闸极具有第一侧壁及第二侧壁；第一间隔物，在该汲极及该闸极之间的该第一侧壁上；第二间隔物，在该源极及该闸极之间的该第二侧壁上；及第三间隔物，在该第一间隔物上。其它实施方式于此叙述。

10. 发明专利

TWI610444B 具有摻雜次鰭區的ω鰭的非平面半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：具有掺杂次鳍区的ω鳍的非平面半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI610444B
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105132211
申请日：2015-05-21
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：哈瑪撒帝古賓納 , BHIMARASETTI, GOPINATH , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 朴朱東 , PARK, JOODONG , 韓衛民 , HAN, WEIMIN , 寇特納瑞蒙 , COTNER, RAYMOND E. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/36 , H01L21/823431 , H01L21/823475 , H01L21/823481 , H01L27/0886 , H01L29/66545 , H01L29/66803 , H01L29/7853

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