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1. 发明专利

TWI467200B 缺陷檢查裝置及缺陷檢查方法有权
简体标题：缺陷检查设备及缺陷检查方法
公开(公告)号：TWI467200B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW101130715
申请日：2012-08-23
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：林宏幸 , HAYASHI, HIROYUKI
IPC分类号： G01R31/305 , G01R31/307
CPC分类号： H01J37/02 , H01J37/265 , H01J37/28 , H01J2237/2446 , H01J2237/24485 , H01J2237/24564

2. 发明专利

TW201339605A 缺陷檢查裝置及缺陷檢查方法审中-公开
简体标题：缺陷检查设备及缺陷检查方法
公开(公告)号：TW201339605A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW101130715
申请日：2012-08-23
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：林宏幸 , HAYASHI, HIROYUKI
IPC分类号： G01R31/305 , G01R31/307
CPC分类号： H01J37/02 , H01J37/265 , H01J37/28 , H01J2237/2446 , H01J2237/24485 , H01J2237/24564
摘要：本發明之缺陷檢查裝置包含：荷電束照射單元，其係產生荷電束而照射至形成有作為檢查對象之圖案之試料；檢測單元，其係檢測藉由上述荷電束之照射而自上述試料產生之二次荷電粒子或反射荷電粒子並輸出信號；能量濾波器，其係配設於上述檢測單元與上述試料之間，且使因應所施加之直流電壓之能量之上述二次荷電粒子或反射荷電粒子選擇性地通過；及檢查單元，其係對上述能量濾波器施加相互不同條件之電壓，且根據在相互不同之施加電壓條件下獲得之信號間之強度差，而輸出關於上述圖案之缺陷之資訊。
简体摘要：本发明之缺陷检查设备包含：荷电束照射单元，其系产生荷电束而照射至形成有作为检查对象之图案之试料；检测单元，其系检测借由上述荷电束之照射而自上述试料产生之二次荷电粒子或反射荷电粒子并输出信号；能量滤波器，其系配设于上述检测单元与上述试料之间，且使因应所施加之直流电压之能量之上述二次荷电粒子或反射荷电粒子选择性地通过；及检查单元，其系对上述能量滤波器施加相互不同条件之电压，且根据在相互不同之施加电压条件下获得之信号间之强度差，而输出关于上述图案之缺陷之信息。

3. 发明专利

TW201036083A 用於半導體基板的檢測方法及檢測裝置 INSPECTION METHOD AND INSPECTION APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：用于半导体基板的检测方法及检测设备 INSPECTION METHOD AND INSPECTION APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
公开(公告)号：TW201036083A
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：TW099102717
申请日：2010-01-29
申请人：東芝股份有限公司
发明人：林宏幸
IPC分类号： H01L , G01N
CPC分类号： H01L22/12 , H01J37/28 , H01J2237/24592 , H01J2237/2806 , H01J2237/2817 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種用於一半導體基板之檢測方法,其包含輻射一檢測束於形成於一半導體基板上的導線上;偵測自該半導體基板發射的一次級束;根據相應於該次級束之信號强度之一灰階,產生一對比影像,該對比影像指示該半導體基板之一檢測表面之一狀態;指定一導線作為一檢測目標及一導線作為一非檢測目標並獲得作為該非檢測目標之該導線之一位置及一尺寸及相應於一導線非形成區域之一灰階;用具有相應於該導線非形成區域之該灰階之一影像取代該對比影像中之作為該非檢測目標之該導線之一影像;及基於取代處理後之該對比影像,檢測作為該檢測目標之該導線之一缺陷。
简体摘要：本发明揭示一种用于一半导体基板之检测方法,其包含辐射一检测束于形成于一半导体基板上的导在线;侦测自该半导体基板发射的一次级束;根据相应于该次级束之信号强度之一灰阶,产生一对比影像,该对比影像指示该半导体基板之一检测表面之一状态;指定一导线作为一检测目标及一导线作为一非检测目标并获得作为该非检测目标之该导线之一位置及一尺寸及相应于一导线非形成区域之一灰阶;用具有相应于该导线非形成区域之该灰阶之一影像取代该对比影像中之作为该非检测目标之该导线之一影像;及基于取代处理后之该对比影像,检测作为该检测目标之该导线之一缺陷。

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