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1. 发明专利

TW200307186A 剝離光阻之方法审中-公开
简体标题：剥离光阻之方法
公开(公告)号：TW200307186A
公开(公告)日：2003-12-01
申请号：TW092109758
申请日：2003-04-25
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：橫井滋 YOKOI, SHIGERU , 屋和正 , 原口高之
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/425
摘要：本發明揭示包含(I)：於至少有銅(Cu)配線及低介電質層之基板上設光阻圖型，以該光阻圖型為遮罩選擇性蝕刻低介電質層之過程，(III)：經上述(I)過程之基板以臭氧水及／或雙氧水接觸之過程，以及(III)：經上述(II)過程之基板，以至少含四級銨氫氧化物之光阻用剝離液接觸之過程的剝離光阻之方法。根據本發明可提供，雙大馬士革法等，於至少有Cu配線及低介電質層之基板上的微細圖型之形成中，無O2電漿處理之程序中，蝕刻後之光阻膜、蝕刻殘留物亦可有效剝離，且對低介電質層之介電率無不良影響，防蝕性亦優之剝離光阻之方法。
简体摘要：本发明揭示包含(I)：于至少有铜(Cu)配线及低介电质层之基板上设光阻图型，以该光阻图型为遮罩选择性蚀刻低介电质层之过程，(III)：经上述(I)过程之基板以臭氧水及／或双氧水接触之过程，以及(III)：经上述(II)过程之基板，以至少含四级铵氢氧化物之光阻用剥离液接触之过程的剥离光阻之方法。根据本发明可提供，双大马士革法等，于至少有Cu配线及低介电质层之基板上的微细图型之形成中，无O2等离子处理之进程中，蚀刻后之光阻膜、蚀刻残留物亦可有效剥离，且对低介电质层之介电率无不良影响，防蚀性亦优之剥离光阻之方法。

2. 发明专利

TW558800B 保護膜形成用材料失效
简体标题：保护膜形成用材料
公开(公告)号：TW558800B
公开(公告)日：2003-10-21
申请号：TW091110414
申请日：2002-05-17
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：越山淳 , 屋和正
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76808 , Y10T428/1419 , Y10T428/15 , Y10T428/31725
摘要：一種保護膜形成用材料，其特徵為含有有機溶劑、及具有至少2個以上脂環構造之化合物所構成。
简体摘要：一种保护膜形成用材料，其特征为含有有机溶剂、及具有至少2个以上脂环构造之化合物所构成。

3. 发明专利

TW558770B 薄膜之處理方法及使用此方法之半導體元件之製造方法失效
简体标题：薄膜之处理方法及使用此方法之半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TW558770B
公开(公告)日：2003-10-21
申请号：TW091109013
申请日：2002-04-30
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：藤井恭 , 飯田啓之 , 佐藤功 , 屋和正 , 橫井滋
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L21/316 , H01L21/76802
摘要：本發明係提供濕式剝離蝕刻圖案時不易損傷二氧化矽薄膜(層間絕緣膜)的處理方法。
其係對於基板上形成之低介電系數的二氧化矽系薄膜，介由蝕刻圖案蝕刻處理後，以由氦氣衍生的電漿處理上述蝕刻處理後的二氧化矽系薄膜。基此，於下一步驟的蝕刻圖案的濕式剝離處理時，不易損傷二氧化矽系薄膜，而可維持低介電係數。
简体摘要：本发明系提供湿式剥离蚀刻图案时不易损伤二氧化硅薄膜(层间绝缘膜)的处理方法。其系对于基板上形成之低介电系数的二氧化硅系薄膜，介由蚀刻图案蚀刻处理后，以由氦气衍生的等离子处理上述蚀刻处理后的二氧化硅系薄膜。基此，于下一步骤的蚀刻图案的湿式剥离处理时，不易损伤二氧化硅系薄膜，而可维持低介电系数。

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