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1. 发明专利

TW201843263A 異物除去用塗膜形成組成物审中-公开
简体标题：异物除去用涂膜形成组成物
公开(公告)号：TW201843263A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107106956
申请日：2018-03-02
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：岸岡高広 , KISHIOKA, TAKAHIRO , 田村護 , TAMURA, MAMORU , 臼井友輝 , USUI, YUKI , 緒方裕斗 , OGATA, HIROTO
IPC分类号： C09D179/08 , C09D9/00 , B08B7/00 , H01L21/02
摘要：本發明係提供在半導體裝置製造步驟中，形成於基板上之異物除去用之簡便的方法，提供這種方法所使用之異物除去用塗膜形成組成物。　　在半導體基板上，較佳為使用包含由(a)四羧酸二酐化合物與(b)具有至少1個羧基之二胺化合物製造的聚醯胺酸、或由(a)四羧酸二酐化合物、(b)具有至少1個羧基之二胺化合物，及(c)二胺化合物所製造之聚醯胺酸的組成物，於基板上形成塗膜後，以顯影液處理，將存在於塗膜上的異物與塗膜一同除去。
简体摘要：本发明系提供在半导体设备制造步骤中，形成于基板上之异物除去用之简便的方法，提供这种方法所使用之异物除去用涂膜形成组成物。　　在半导体基板上，较佳为使用包含由(a)四羧酸二酐化合物与(b)具有至少1个羧基之二胺化合物制造的聚酰胺酸、或由(a)四羧酸二酐化合物、(b)具有至少1个羧基之二胺化合物，及(c)二胺化合物所制造之聚酰胺酸的组成物，于基板上形成涂膜后，以显影液处理，将存在于涂膜上的异物与涂膜一同除去。

2. 发明专利

TWI647539B 應用光阻下層膜之圖型形成方法有权
简体标题：应用光阻下层膜之图型形成方法
公开(公告)号：TWI647539B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW103129713
申请日：2014-08-28
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：大橋智也 , OHASHI, TOMOYA , 木村茂雄 , KIMURA, SHIGEO , 臼井友輝 , USUI, YUKI , 緒方裕斗 , OGATA, HIROTO
IPC分类号： G03F7/09

3. 发明专利

TW201829371A 包含含醯胺基之聚酯之光阻下層膜形成用組成物审中-公开
简体标题：包含含酰胺基之聚酯之光阻下层膜形成用组成物
公开(公告)号：TW201829371A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106135103
申请日：2017-10-13
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：田村護 , TAMURA, MAMORU , 緒方裕斗 , OGATA, HIROTO , 臼井友輝 , USUI, YUKI , 岸岡高広 , KISHIOKA, TAKAHIRO
IPC分类号： C07C233/43 , C07C233/54 , C07C235/16 , C07C317/40 , C08G59/52 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要：本發明提供可獲得尤其是KrF製程中發揮充分之抗反射功能、高耐溶劑性與乾蝕刻速度之光阻下層膜，可形成良好剖面形狀之光阻圖型之光阻下層膜形成用組成物。　　本發明之光阻下層膜形成用組成物包含含有源自二環氧化合物之構造單位(A)及源自以下述式(1)表示的化合物之構造單元(B)之共聚物： (式中，A表示苯環或環己烷環，X表示氫原子、可經鹵原子取代之碳原子數1至10之烷基或烷氧基、或碳原子數2至11之烷氧羰基，Y表示-COOH或-L-NHCO-Z-COOH，Z表示可經氧原子、硫原子或氮原子中斷之碳原子數3至10之伸烷基，L表示單鍵或間隔基)。
简体摘要：本发明提供可获得尤其是KrF制程中发挥充分之抗反射功能、高耐溶剂性与干蚀刻速度之光阻下层膜，可形成良好剖面形状之光阻图型之光阻下层膜形成用组成物。　　本发明之光阻下层膜形成用组成物包含含有源自二环氧化合物之构造单位(A)及源自以下述式(1)表示的化合物之构造单元(B)之共聚物： (式中，A表示苯环或环己烷环，X表示氢原子、可经卤原子取代之碳原子数1至10之烷基或烷氧基、或碳原子数2至11之烷氧羰基，Y表示-COOH或-L-NHCO-Z-COOH，Z表示可经氧原子、硫原子或氮原子中断之碳原子数3至10之伸烷基，L表示单键或间隔基)。

4. 发明专利

TW201827480A 保護膜形成組成物审中-公开
简体标题：保护膜形成组成物
公开(公告)号：TW201827480A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106131748
申请日：2017-09-15
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：橋本雄人 , HASHIMOTO, YUTO , 徳永光 , TOKUNAGA, HIKARU , 緒方裕斗 , OGATA, HIROTO , 大橋智也 , OHASHI, TOMOYA , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 岸岡高広 , KISHIOKA, TAKAHIRO
IPC分类号： C08G59/62 , C08G65/28 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/306
摘要：本發明課題係提供一種針對過氧化氫水溶液之保護膜形成組成物。　　解決手段為一種針對過氧化氫水溶液之保護膜形成組成物，其係包含下述式(1a)或者式(1b)所示之化合物、或具有下述式(2)所示之取代基之分子量300以上且未達800的化合物或者重量平均分子量300以上且未達800的化合物、及溶劑，且相對於除該溶劑以外的固體成分，含有0.1質量%至60質量%之前述式(1a)或式(1b)所示之化合物，或含有10質量%至100質量%之具有前述式(2)所示之取代基的化合物；(式中，R1表示碳原子數1至4之伸烷基或者伸烯基或直接鍵結，k表示0或1，m表示1至3之整數，n表示2至4之整數)。
简体摘要：本发明课题系提供一种针对过氧化氢水溶液之保护膜形成组成物。　　解决手段为一种针对过氧化氢水溶液之保护膜形成组成物，其系包含下述式(1a)或者式(1b)所示之化合物、或具有下述式(2)所示之取代基之分子量300以上且未达800的化合物或者重量平均分子量300以上且未达800的化合物、及溶剂，且相对于除该溶剂以外的固体成分，含有0.1质量%至60质量%之前述式(1a)或式(1b)所示之化合物，或含有10质量%至100质量%之具有前述式(2)所示之取代基的化合物；(式中，R1表示碳原子数1至4之伸烷基或者伸烯基或直接键结，k表示0或1，m表示1至3之整数，n表示2至4之整数)。

5. 发明专利

TW201815956A 包含具有乙內醯脲環之化合物之阻劑下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：包含具有乙内酰脲环之化合物之阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201815956A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106121642
申请日：2017-06-28
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：緒方裕斗 , OGATA, HIROTO , 後藤裕一 , GOTO, YUICHI , 遠藤雅久 , ENDO, MASAHISA , 臼井友輝 , USUI, YUKI , 岸岡高広 , KISHIOKA, TAKAHIRO
IPC分类号： C08L65/00 , C07D251/34 , C07D403/14 , G03F7/11 , H01L21/027
摘要：本發明係提供一種包含具有乙內醯脲環之化合物之新穎的阻劑下層膜形成組成物。一種阻劑下層膜形成組成物，其特徵為包含：於1分子中至少具有2個以下述式(1)表示之取代基之化合物，及溶劑； (式中，R1及R2係各自獨立表示氫原子或甲基，X1係表示碳原子數1至3之羥基烷基或於主鏈上具有1個或2個之酯鍵之碳原子數2至6之烷基)。
简体摘要：本发明系提供一种包含具有乙内酰脲环之化合物之新颖的阻剂下层膜形成组成物。一种阻剂下层膜形成组成物，其特征为包含：于1分子中至少具有2个以下述式(1)表示之取代基之化合物，及溶剂； (式中，R1及R2系各自独立表示氢原子或甲基，X1系表示碳原子数1至3之羟基烷基或于主链上具有1个或2个之酯键之碳原子数2至6之烷基)。

6. 发明专利

TW201815784A 具有乙內醯脲環之化合物之製造方法审中-公开
简体标题：具有乙内酰脲环之化合物之制造方法
公开(公告)号：TW201815784A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106121640
申请日：2017-06-28
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：後藤裕一 , GOTO, YUICHI , 遠藤雅久 , ENDO, MASAHISA , 緒方裕斗 , OGATA, HIROTO , 孫軍 , SON, GUN
IPC分类号： C07D403/14
摘要：本發明提供具有乙內醯脲環之化合物之新穎製造方法。本發明之具有乙內醯脲環之化合物之製造方法具有下述步驟：於包含至少30質量%之乙醇及/或至少10質量%丙醇之醇類中，於觸媒存在下，使下述式(1)表示之化合物與下述式(2)表示之化合物，以對於該式(1)表示之化合物1莫耳當量，該式(2)表示之化合物為3莫耳當量之比例反應，獲得含有下述式(3)表示之化合物之溶液的反應步驟；及於前述溶液中添加陽離子交換樹脂及陰離子交換樹脂，接著將其攪拌後予以過濾之離子交換處理步驟， (式中，A1表示三價脂肪族基或具有芳香族環或雜環之三價基，Z1表示直接鍵、-O-基或-C(=O)O-基，R1及R2分別獨立表示氫原子或甲基，X表示碳原子數1至3之羥基烷基、碳原子數2至5之烷氧基烷基或碳原子數1至3之烷基)。
简体摘要：本发明提供具有乙内酰脲环之化合物之新颖制造方法。本发明之具有乙内酰脲环之化合物之制造方法具有下述步骤：于包含至少30质量%之乙醇及/或至少10质量%丙醇之醇类中，于触媒存在下，使下述式(1)表示之化合物与下述式(2)表示之化合物，以对于该式(1)表示之化合物1莫耳当量，该式(2)表示之化合物为3莫耳当量之比例反应，获得含有下述式(3)表示之化合物之溶液的反应步骤；及于前述溶液中添加阳离子交换树脂及阴离子交换树脂，接着将其搅拌后予以过滤之离子交换处理步骤， (式中，A1表示三价脂肪族基或具有芳香族环或杂环之三价基，Z1表示直接键、-O-基或-C(=O)O-基，R1及R2分别独立表示氢原子或甲基，X表示碳原子数1至3之羟基烷基、碳原子数2至5之烷氧基烷基或碳原子数1至3之烷基)。

7. 发明专利

TW201906888A 阻劑下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201906888A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107114770
申请日：2018-05-01
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：緒方裕斗 , OGATA, HIROTO , 橋本雄人 , HASHIMOTO, YUTO , 田村護 , TAMURA, MAMORU , 岸岡高広 , KISHIOKA, TAKAHIRO
IPC分类号： C08G59/20 , C08G59/40 , C08L63/00 , C08K5/13 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要：本發明之課題為提供曝光時作為抗反射膜而發揮功能，並且可埋入狹窄間隙及高長寬比之凹部，進而對過氧化氫水溶液之耐性優良的阻劑下層膜形成組成物。　　其解決手段為一種阻劑下層膜形成組成物，其含有樹脂、下述式(1a)或式(1b)表示之化合物，及溶劑，且相對於前述樹脂而言，含有0.01質量%至60質量%的前述式(1a)或式(1b)表示之化合物；(式中，X表示羰基或亞甲基，l及m係分別獨立地表示滿足3≦l+m≦10之關係式的0至5之整數，n表示2至5之整數)。
简体摘要：本发明之课题为提供曝光时作为抗反射膜而发挥功能，并且可埋入狭窄间隙及高长宽比之凹部，进而对过氧化氢水溶液之耐性优良的阻剂下层膜形成组成物。　　其解决手段为一种阻剂下层膜形成组成物，其含有树脂、下述式(1a)或式(1b)表示之化合物，及溶剂，且相对于前述树脂而言，含有0.01质量%至60质量%的前述式(1a)或式(1b)表示之化合物；(式中，X表示羰基或亚甲基，l及m系分别独立地表示满足3≦l+m≦10之关系式的0至5之整数，n表示2至5之整数)。

8. 发明专利

TWI648599B 含有在主鏈具三嗪環及硫原子之共聚物的阻劑下層膜形成組成物有权
简体标题：含有在主链具三嗪环及硫原子之共聚物的阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI648599B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW103144519
申请日：2014-12-19
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：緒方裕斗 , OGATA, HIROTO , 岸岡高広 , KISHIOKA, TAKAHIRO , 広井佳臣 , HIROI, YOSHIOMI , 大橋智也 , OHASHI, TOMOYA , 臼井友輝 , USUI, YUKI
IPC分类号： G03F7/11 , C08G59/66 , C08G63/688 , C08G59/42 , H01L21/027

9. 发明专利

TW201802605A 含有具有甘脲骨架的化合物作為添加劑之阻劑下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：含有具有甘脲骨架的化合物作为添加剂之阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201802605A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106110576
申请日：2017-03-29
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：臼井友輝 , USUI, YUKI , 岸岡高広 , KISHIOKA, TAKAHIRO , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 緒方裕斗 , OGATA, HIROTO
IPC分类号： G03F7/11 , C08K5/3445 , C08L63/00 , G03F7/16 , H01L21/027
CPC分类号： C08K5/3445 , C08L63/00 , G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
摘要：提供在半導體裝置製造的微影術製程中，防止形成於基板上的阻劑圖型的圖型倒塌之機能被具有甘脲骨架的化合物添加劑增強的阻劑下層膜形成組成物、以及使用該組成物的阻劑下層膜及半導體裝置之製造方法。使用下述式(1-1)： (式(1-1)中，R1~R4各自為以羥基、硫醇基、羧基、C1~5烷氧基乙基、C1~5烷基氫硫基、及含酯鍵的有機基所構成群中選出的至少一個基取代氫原子的C2~10烷基或C2~10烯基，且全部可為相同或相異，R5及R6各自為氫原子、C1~10烷基及苯基中選出的基)之阻劑下層膜形成組成物用添加劑。
简体摘要：提供在半导体设备制造的微影术制程中，防止形成于基板上的阻剂图型的图型倒塌之机能被具有甘脲骨架的化合物添加剂增强的阻剂下层膜形成组成物、以及使用该组成物的阻剂下层膜及半导体设备之制造方法。使用下述式(1-1)： (式(1-1)中，R1~R4各自为以羟基、硫醇基、羧基、C1~5烷氧基乙基、C1~5烷基氢硫基、及含酯键的有机基所构成群中选出的至少一个基取代氢原子的C2~10烷基或C2~10烯基，且全部可为相同或相异，R5及R6各自为氢原子、C1~10烷基及苯基中选出的基)之阻剂下层膜形成组成物用添加剂。

10. 发明专利

TW201708296A 陽離子聚合性光阻下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：阳离子聚合性光阻下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201708296A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105109728
申请日：2016-03-28
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：緒方裕斗 , OGATA, HIROTO , 木村茂雄 , KIMURA, SHIGEO , 臼井友輝 , USUI, YUKI , 大橋智也 , OHASHI, TOMOYA , 岸岡高広 , KISHIOKA, TAKAHIRO
IPC分类号： C08G59/20 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/11 , C08G59/20 , C09D163/00
摘要：本發明課題為提供一種用來形成微影用光阻下層膜之組成物，該膜在半導體裝置製造的微影程序中，不僅可使用作為下層抗反射膜，以減輕來自照射至形成於半導體基板上的光阻層的曝光照光在基板的反射，還適合使用作為平坦化膜，用來平坦地填埋尤其是具有凹凸的半導體基板。課題解決手段為一種微影用光阻下層膜形成組成物，其係含有：(A)分子內具有環狀脂肪族骨架、一個以上的環氧基、與光吸收部位之脂環式環氧化合物、(B)熱酸產生劑、以及(C)溶劑。
简体摘要：本发明课题为提供一种用来形成微影用光阻下层膜之组成物，该膜在半导体设备制造的微影进程中，不仅可使用作为下层抗反射膜，以减轻来自照射至形成于半导体基板上的光阻层的曝光照光在基板的反射，还适合使用作为平坦化膜，用来平坦地填埋尤其是具有凹凸的半导体基板。课题解决手段为一种微影用光阻下层膜形成组成物，其系含有：(A)分子内具有环状脂肪族骨架、一个以上的环氧基、与光吸收部位之脂环式环氧化合物、(B)热酸产生剂、以及(C)溶剂。

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