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    • 3. 发明专利
    • 固體電解電容 SOLID ELECTROLYTIC CONDENSER
    • 固体电解电容 SOLID ELECTROLYTIC CONDENSER
    • TW201129468A
    • 2011-09-01
    • TW099144370
    • 2010-12-17
    • 帝化股份有限公司
    • 杉原良介鶴元雄平藤原一都
    • B32BH01GC08K
    • H01G9/028H01G9/0036H01G9/15H01G11/48H01G11/56Y02E60/13
    • 本發明之課題在於提供一種固體電解電容,其ESR低,且耐熱性優異,在高溫條件下的使用之可靠性高。本發明的解決手段為在電容元件的介電體層上,形成以2-烷基-2,3-二氫-噻吩并[3,4-b][1,4]二英為單體藉由氧化聚合所合成的第1導電性高分子之層,於其上形成以2,3-二氫-噻吩并[3,4-b][1,4]二英、或2,3-二氫-噻吩并[3,4-b][1,4]二英和2-烷基-2,3-二氫-噻吩并[3,4-b][1,4]二英的混合物為單體藉由氧化聚合所合成的第2導電性高分子之層,交互地以需要的數目重複彼等第1導電性高分子的層形成與第2導電性高分子的層形成,以該第1導電性高分子與第2導電性高分子構成固體電解質,而製作固體電解電容。
    • 本发明之课题在于提供一种固体电解电容,其ESR低,且耐热性优异,在高温条件下的使用之可靠性高。本发明的解决手段为在电容组件的介电体层上,形成以2-烷基-2,3-二氢-噻吩并[3,4-b][1,4]二英为单体借由氧化聚合所合成的第1导电性高分子之层,于其上形成以2,3-二氢-噻吩并[3,4-b][1,4]二英、或2,3-二氢-噻吩并[3,4-b][1,4]二英和2-烷基-2,3-二氢-噻吩并[3,4-b][1,4]二英的混合物为单体借由氧化聚合所合成的第2导电性高分子之层,交互地以需要的数目重复彼等第1导电性高分子的层形成与第2导电性高分子的层形成,以该第1导电性高分子与第2导电性高分子构成固体电解质,而制作固体电解电容。
    • 7. 发明专利
    • 固體電解電容 SOLID ELECTROLYTIC CONDENSER
    • 固体电解电容 SOLID ELECTROLYTIC CONDENSER
    • TWI362997B
    • 2012-05-01
    • TW099144370
    • 2010-12-17
    • 帝化股份有限公司
    • 杉原良介鶴元雄平藤原一都
    • B32BH01GC08K
    • H01G9/028H01G9/0036H01G9/15H01G11/48H01G11/56Y02E60/13
    • 本發明之課題在於提供一種固體電解電容,其ESR低,且耐熱性優異,在高溫條件下的使用之可靠性高。
      本發明的解決手段為在電容元件的介電體層上,形成以2-烷基-2,3-二氫-噻吩并[3,4-b][1,4]二口咢英為單體藉由氧化聚合所合成的第1導電性高分子之層,於其上形成以2,3-二氫-噻吩并[3,4-b][1,4]二口咢英、或2,3-二氫-噻吩并[3,4-b][1,4]二口咢英和2-烷基-2,3-二氫-噻吩并[3,4-b][1,4]二口咢英的混合物為單體藉由氧化聚合所合成的第2導電性高分子之層,交互地以需要的數目重複彼等第1導電性高分子的層形成與第2導電性高分子的層形成,以該第1導電性高分子與第2導電性高分子構成固體電解質,而製作固體電解電容。
    • 本发明之课题在于提供一种固体电解电容,其ESR低,且耐热性优异,在高温条件下的使用之可靠性高。 本发明的解决手段为在电容组件的介电体层上,形成以2-烷基-2,3-二氢-噻吩并[3,4-b][1,4]二口咢英为单体借由氧化聚合所合成的第1导电性高分子之层,于其上形成以2,3-二氢-噻吩并[3,4-b][1,4]二口咢英、或2,3-二氢-噻吩并[3,4-b][1,4]二口咢英和2-烷基-2,3-二氢-噻吩并[3,4-b][1,4]二口咢英的混合物为单体借由氧化聚合所合成的第2导电性高分子之层,交互地以需要的数目重复彼等第1导电性高分子的层形成与第2导电性高分子的层形成,以该第1导电性高分子与第2导电性高分子构成固体电解质,而制作固体电解电容。