专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201611490A 電源供應電路及其軟啓動電路审中-公开
简体标题：电源供应电路及其软启动电路
公开(公告)号：TW201611490A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW103131599
申请日：2014-09-12
申请人：原景科技股份有限公司 , HIMAX ANALOGIC, INC.
发明人：李秋平 , LEE, CHOWPENG
IPC分类号： H02M1/36 , G06F1/26
摘要：一種軟啟動電路，包含：第一及第二充電電晶體、第一及第二電容以及箝位P型電晶體。第一充電電晶體依據驅動脈衝導通，以每隔預設時間提供第一充電電流，由第一電容接收後使第一輸出端之第一輸出電壓逐步上升。第二充電電晶體依據第一輸出電壓而導通，以提供第二充電電流至第二輸出端，由第二電容電性接收後使第二輸出端之第二輸出電壓逐步上升。箝位P型電晶體包含電性連接於箝位端之源極端、電性連接於接地電位之汲極端以及電性連接於第二輸出端之閘極端，並於箝位端之電壓超過箝位臨界值時導通，以將箝位端之電壓拉低。
简体摘要：一种软启动电路，包含：第一及第二充电晶体管、第一及第二电容以及箝位P型晶体管。第一充电晶体管依据驱动脉冲导通，以每隔默认时间提供第一充电电流，由第一电容接收后使第一输出端之第一输出电压逐步上升。第二充电晶体管依据第一输出电压而导通，以提供第二充电电流至第二输出端，由第二电容电性接收后使第二输出端之第二输出电压逐步上升。箝位P型晶体管包含电性连接于箝位端之源极端、电性连接于接地电位之汲极端以及电性连接于第二输出端之闸极端，并于箝位端之电压超过箝位临界值时导通，以将箝位端之电压拉低。

2. 发明专利

TWI473428B 高壓元件電路及其電壓過低鎖定電路有权
简体标题：高压组件电路及其电压过低锁定电路
公开(公告)号：TWI473428B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：TW100129236
申请日：2011-08-16
申请人：原景科技股份有限公司 , HIMAX ANALOGIC, INC.
发明人：李秋平 , LEE, CHOWPENG
IPC分类号： H03K17/30 , H03K17/28

3. 发明专利

TWI470398B 驅動電路及其中之電流控制電路有权
简体标题：驱动电路及其中之电流控制电路
公开(公告)号：TWI470398B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：TW101126806
申请日：2012-07-25
申请人：原景科技股份有限公司 , HIMAX ANALOGIC, INC.
发明人：李秋平 , LEE, CHOWPENG
IPC分类号： G05F3/26

4. 发明专利

TW201401780A 驅動電路审中-公开
简体标题：驱动电路
公开(公告)号：TW201401780A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW101123078
申请日：2012-06-27
申请人：原景科技股份有限公司 , HIMAX ANALOGIC, INC.
发明人：李秋平 , LEE, CHOWPENG
IPC分类号： H03K19/0185
摘要：一種驅動電路，用以驅動功率金氧半電晶體，包含：第一驅動支路以及第二驅動支路。第一驅動支路包含：相串聯之第一開關N型金氧半電晶體、電流源以及第一箝位P型金氧半電晶體。第二驅動支路包含：相串聯之第二開關N型金氧半電晶體、電流供應P型金氧半電晶體以及第二箝位P型金氧半電晶體。第一及第二開關N型金氧半電晶體之第一及第二開關閘極分別接收開關訊號及反相之開關訊號。第一及第二箝位P型金氧半電晶體之第一及第二箝位閘極接收參考電壓。第二箝位P型金氧半電晶體之第二箝位源極輸出驅動電壓至功率金氧半電晶體之功率閘極。
简体摘要：一种驱动电路，用以驱动功率金氧半晶体管，包含：第一驱动支路以及第二驱动支路。第一驱动支路包含：相串联之第一开关N型金氧半晶体管、电流源以及第一箝位P型金氧半晶体管。第二驱动支路包含：相串联之第二开关N型金氧半晶体管、电流供应P型金氧半晶体管以及第二箝位P型金氧半晶体管。第一及第二开关N型金氧半晶体管之第一及第二开关闸极分别接收开关信号及反相之开关信号。第一及第二箝位P型金氧半晶体管之第一及第二箝位闸极接收参考电压。第二箝位P型金氧半晶体管之第二箝位源极输出驱动电压至功率金氧半晶体管之功率闸极。

5. 发明专利

TW201320601A 電壓準位移位電路有权
简体标题：电压准位移位电路
公开(公告)号：TW201320601A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW100139797
申请日：2011-11-01
申请人：原景科技股份有限公司 , HIMAX ANALOGIC, INC.
发明人：李秋平 , LEE, CHOWPENG
IPC分类号： H03K19/0175
摘要：本發明揭露一種電壓準位移位電路，其包含輸出級、輸入級以及箝位模組。輸出級用以產生輸出訊號，輸出級包含第一功率電晶體以及第二功率電晶體，其中第一功率電晶體耦接至高輸出準位之電壓源，第二功率電晶體耦接至低輸出準位之電壓源。輸入級根據輸入訊號選擇性地由第一功率電晶體或第二功率電晶體產生輸出訊號。箝位模組中的第一箝位單元用以將第一功率電晶體之閘極之操作電壓箝位於高輸出準位與第一箝位電壓之間。
简体摘要：本发明揭露一种电压准位移位电路，其包含输出级、输入级以及箝位模块。输出级用以产生输出信号，输出级包含第一功率晶体管以及第二功率晶体管，其中第一功率晶体管耦接至高输出准位之电压源，第二功率晶体管耦接至低输出准位之电压源。输入级根据输入信号选择性地由第一功率晶体管或第二功率晶体管产生输出信号。箝位模块中的第一箝位单元用以将第一功率晶体管之闸极之操作电压箝位于高输出准位与第一箝位电压之间。

6. 发明专利

TWI586106B 單觸發電路有权
简体标题：单触发电路
公开(公告)号：TWI586106B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW103131597
申请日：2014-09-12
申请人：原景科技股份有限公司 , HIMAX ANALOGIC, INC.
发明人：李秋平 , LEE, CHOWPENG
IPC分类号： H03K3/355

7. 发明专利

TW201611523A 單觸發電路审中-公开
简体标题：单触发电路
公开(公告)号：TW201611523A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW103131597
申请日：2014-09-12
申请人：原景科技股份有限公司 , HIMAX ANALOGIC, INC.
发明人：李秋平 , LEE, CHOWPENG
IPC分类号： H03K3/355
摘要：一種單觸發電路，包含：定電壓產生模組、時脈偏移模組以及邏輯運算模組。定電壓產生模組根據系統電壓運作，，以產生小於系統電壓且不隨系統電壓改變之定電壓。時脈偏移模組包含：延遲電路及第一反相器。延遲電路用以接收並延遲時脈訊號，以產生第一延遲時脈訊號。第一反相器電性連接於延遲電路，根據固定電壓運作而具有固定之轉態點，用以接收第一延遲時脈訊號並產生與時脈訊號具有相同週期但延遲預設時間之第二延遲時脈訊號。邏輯運算模組俾接收時脈訊號以及第二延遲時脈訊號進行邏輯運算，以產生單觸發訊號。
简体摘要：一种单触发电路，包含：定电压产生模块、时脉偏移模块以及逻辑运算模块。定电压产生模块根据系统电压运作，，以产生小于系统电压且不随系统电压改变之定电压。时脉偏移模块包含：延迟电路及第一反相器。延迟电路用以接收并延迟时脉信号，以产生第一延迟时脉信号。第一反相器电性连接于延迟电路，根据固定电压运作而具有固定之转态点，用以接收第一延迟时脉信号并产生与时脉信号具有相同周期但延迟默认时间之第二延迟时脉信号。逻辑运算模块俾接收时脉信号以及第二延迟时脉信号进行逻辑运算，以产生单触发信号。

8. 发明专利

TW201401781A 驅動電路审中-公开
简体标题：驱动电路
公开(公告)号：TW201401781A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW101123079
申请日：2012-06-27
申请人：原景科技股份有限公司 , HIMAX ANALOGIC, INC.
发明人：李秋平 , LEE, CHOWPENG
IPC分类号： H03K19/0185
摘要：一種驅動電路，用以驅動功率金氧半(MOS)電晶體，包含：具有相串聯之第一開關NMOS電晶體、電流源以及第一箝位PMOS電晶體之第一驅動支路、具有相串聯之第二開關NMOS電晶體、電流供應PMOS電晶體以及第二箝位PMOS電晶體之第二驅動支路以及電容串。第一及第二開關NMOS電晶體之第一及第二開關閘極分別接收開關訊號及反相之開關訊號。第一及第二箝位PMOS電晶體之第一及第二箝位閘極接收參考電壓。第二箝位PMOS電晶體之第二箝位源極輸出驅動電壓至功率金氧半電晶體之功率閘極。電容串將反相之開關訊號耦合至電流供應PMOS電晶體之電流供應閘極。
简体摘要：一种驱动电路，用以驱动功率金氧半(MOS)晶体管，包含：具有相串联之第一开关NMOS晶体管、电流源以及第一箝位PMOS晶体管之第一驱动支路、具有相串联之第二开关NMOS晶体管、电流供应PMOS晶体管以及第二箝位PMOS晶体管之第二驱动支路以及电容串。第一及第二开关NMOS晶体管之第一及第二开关闸极分别接收开关信号及反相之开关信号。第一及第二箝位PMOS晶体管之第一及第二箝位闸极接收参考电压。第二箝位PMOS晶体管之第二箝位源极输出驱动电压至功率金氧半晶体管之功率闸极。电容串将反相之开关信号耦合至电流供应PMOS晶体管之电流供应闸极。

9. 发明专利

TWI407656B 過電流保護電路及過電流保護方法有权
简体标题：过电流保护电路及过电流保护方法
公开(公告)号：TWI407656B
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW099113966
申请日：2010-04-30
申请人：原景科技股份有限公司 , HIMAX ANALOGIC, INC.
发明人：李秋平 , LEE, CHOW-PENG
IPC分类号： H02H3/087

10. 发明专利

TWI405405B 發光二極體電路及其誤差放大器有权
简体标题：发光二极管电路及其误差放大器
公开(公告)号：TWI405405B
公开(公告)日：2013-08-11
申请号：TW099117245
申请日：2010-05-28
申请人：原景科技股份有限公司 , HIMAX ANALOGIC, INC.
发明人：尹明德 , YINN, AUNGAUNG , 李秋平 , LEE, CHOWPENG
IPC分类号： H03F3/45 , H05B37/02

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式