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1. 发明专利

TW201810434A 電晶體及其製造方法审中-公开
简体标题：晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TW201810434A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW105125326
申请日：2016-08-09
申请人：元太科技工業股份有限公司 , E INK HOLDINGS INC.
发明人：陳蔚宗 , CHEN, WEI TSUNG , 林柏辛 , LIN, PO HSIN , 蔡學宏 , TSAI, XUE HUNG
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/428 , H01L21/477
摘要：一種製造電晶體之方法，包含：(i)形成金屬氧化物半導體層於基材上方；(ii)形成源極和汲極於金屬氧化物半導體層的不同兩側上；(iii)形成介電層於源極、汲極以及金屬氧化物半導體層上；(iv)形成含氫絕緣層於介電層上方，其中含氫絕緣層具有間隙露出介電層的表面，且在垂直此表面的方向上，所述間隙與金屬氧化物半導體層重疊；(v)藉由對含氫絕緣層進行處理，使金屬氧化物半導體層之局部的氫濃度增加，而形成源極區以及汲極區；以及(vi)形成閘極於間隙中。
简体摘要：一种制造晶体管之方法，包含：(i)形成金属氧化物半导体层于基材上方；(ii)形成源极和汲极于金属氧化物半导体层的不同两侧上；(iii)形成介电层于源极、汲极以及金属氧化物半导体层上；(iv)形成含氢绝缘层于介电层上方，其中含氢绝缘层具有间隙露出介电层的表面，且在垂直此表面的方向上，所述间隙与金属氧化物半导体层重叠；(v)借由对含氢绝缘层进行处理，使金属氧化物半导体层之局部的氢浓度增加，而形成源极区以及汲极区；以及(vi)形成闸极于间隙中。

2. 发明专利

TW201605046A 電晶體及其製作方法审中-公开
简体标题：晶体管及其制作方法
公开(公告)号：TW201605046A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW103124570
申请日：2014-07-17
申请人：元太科技工業股份有限公司 , E INK HOLDINGS INC.
发明人：冉曉雯 , ZAN, HSIAO WEN , 蔡娟娟 , TSAI, CHUANG CHUANG , 喬欣 , CHIAO, HSIN , 陳蔚宗 , CHEN, WEI TSUNG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/24 , H01L21/28008 , H01L21/3242 , H01L29/401 , H01L29/41725 , H01L29/42376 , H01L29/66795 , H01L29/785
摘要：一種電晶體，包括一基板、一源極、一汲極、一主動部、一鰭狀閘極以及一絕緣層。源極配置於基板上。汲極配置於基板上。主動部連接源極與汲極。鰭狀閘極包覆主動部。絕緣層的一第一部分分隔鰭狀閘極與主動部，絕緣層的一第二部分分隔鰭狀閘極與基板，絕緣層的一第三部分分隔鰭狀閘極與源極，且分隔鰭狀閘極與汲極，且絕緣層的一第四部分配置於鰭狀閘極之背對於主動部的表面上。絕緣層為一體成型。一種電晶體的製作方法亦被提出。
简体摘要：一种晶体管，包括一基板、一源极、一汲极、一主动部、一鳍状闸极以及一绝缘层。源极配置于基板上。汲极配置于基板上。主动部连接源极与汲极。鳍状闸极包覆主动部。绝缘层的一第一部分分隔鳍状闸极与主动部，绝缘层的一第二部分分隔鳍状闸极与基板，绝缘层的一第三部分分隔鳍状闸极与源极，且分隔鳍状闸极与汲极，且绝缘层的一第四部分配置于鳍状闸极之背对于主动部的表面上。绝缘层为一体成型。一种晶体管的制作方法亦被提出。

3. 发明专利

TW201444095A 主動元件审中-公开
简体标题：主动组件
公开(公告)号：TW201444095A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW102116110
申请日：2013-05-06
申请人：元太科技工業股份有限公司 , E INK HOLDINGS INC.
发明人：冉曉雯 , ZAN, HSIAO WEN , 蔡娟娟 , TSAI, CHUANG CHUANG , 余沛慈 , YU, PEI CHEN , 劉洪銓 , LIU, HUNG CHUAN , 吳炳樞 , WU, BING SHU , 賴逸群 , LAI, YI CHUN , 陳蔚宗 , CHEN, WEI TSUNG
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要：一種主動元件，設置於一基板上。主動元件包括一閘極、一氧化物半導體通道層、一閘絕緣層、多個奈米導線、一源極與一汲極。閘絕緣層配置於閘極與氧化物半導體通道層之間。奈米導線分佈於氧化物半導體通道層中且不接觸閘絕緣層。奈米導線沿一方向排列且彼此互不交錯。源極與汲極配置於氧化物半導體通道層的相對兩側。氧化物半導體通道層的一部分暴露於源極與汲極之間。
简体摘要：一种主动组件，设置于一基板上。主动组件包括一闸极、一氧化物半导体信道层、一闸绝缘层、多个奈米导线、一源极与一汲极。闸绝缘层配置于闸极与氧化物半导体信道层之间。奈米导线分布于氧化物半导体信道层中且不接触闸绝缘层。奈米导线沿一方向排列且彼此互不交错。源极与汲极配置于氧化物半导体信道层的相对两侧。氧化物半导体信道层的一部分暴露于源极与汲极之间。

4. 发明专利

TWI508305B 主動元件有权
简体标题：主动组件
公开(公告)号：TWI508305B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW102116110
申请日：2013-05-06
申请人：元太科技工業股份有限公司 , E INK HOLDINGS INC.
发明人：冉曉雯 , ZAN, HSIAO WEN , 蔡娟娟 , TSAI, CHUANG CHUANG , 余沛慈 , YU, PEI CHEN , 劉洪銓 , LIU, HUNG CHUAN , 吳炳樞 , WU, BING SHU , 賴逸群 , LAI, YI CHUN , 陳蔚宗 , CHEN, WEI TSUNG
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/78696

5. 发明专利

TWI505476B 薄膜電晶體結構有权
简体标题：薄膜晶体管结构
公开(公告)号：TWI505476B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW101150646
申请日：2012-12-27
申请人：元太科技工業股份有限公司 , E INK HOLDINGS INC.
发明人：徐振航 , HSU, CHENG HANG , 余宗瑋 , YU, TZUNG WEI , 陳蔚宗 , CHEN, WEI TSUNG , 辛哲宏 , SHINN, TED HONG
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78633 , H01L29/7869

6. 发明专利

TWI478344B 電晶體與其製造方法有权
简体标题：晶体管与其制造方法
公开(公告)号：TWI478344B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW101124055
申请日：2012-07-04
申请人：元太科技工業股份有限公司 , E INK HOLDINGS INC.
发明人：楊智翔 , YANG, CHIH HSIANG , 辛哲宏 , SHINN, TED HONG , 陳蔚宗 , CHEN, WEI TSUNG , 吳幸怡 , WU, HSING YI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/26 , H01L29/66477 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78 , H01L29/78606 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696

7. 发明专利

TWI653753B 感測元件有权
简体标题：传感组件
公开(公告)号：TWI653753B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW106131287
申请日：2017-09-12
申请人：元太科技工業股份有限公司 , E INK HOLDINGS INC.
发明人：冉曉雯 , ZAN, HSIAO WEN , 蔡娟娟 , TSAI, CHUANG CHUANG , 毛宇農 , MAO, YU NUNG , 劉洪銓 , LIU, HUNG CHUAN , 李宗玹 , LI, ZONG XUAN , 陳蔚宗 , CHEN, WEI TSUNG
IPC分类号： H01L27/28 , B82Y15/00

8. 发明专利

TWI619173B 電晶體及其製造方法有权
简体标题：晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TWI619173B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW105125326
申请日：2016-08-09
申请人：元太科技工業股份有限公司 , E INK HOLDINGS INC.
发明人：陳蔚宗 , CHEN, WEI TSUNG , 林柏辛 , LIN, PO HSIN , 蔡學宏 , TSAI, XUE HUNG
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/428 , H01L21/477

9. 发明专利

TWI478033B 電容式觸控面板的電容結構有权
简体标题：电容式触摸皮肤的电容结构
公开(公告)号：TWI478033B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW101132861
申请日：2012-09-07
申请人：元太科技工業股份有限公司 , E INK HOLDINGS INC.
发明人：陳蔚宗 , CHEN, WEI TSUNG , 辛哲宏 , SHINN, TED HONG , 蔡娟娟 , TSAI, CHUANG CHUANG , 唐文忠 , TANG, WEN CHUNG , 楊智翔 , YANG, CHIH HSIANG
IPC分类号： G06F3/044 , H01L21/28
CPC分类号： H01G4/1272 , G06F3/044 , H01L28/40

10. 发明专利

TW201427028A 薄膜電晶體結構审中-公开
简体标题：薄膜晶体管结构
公开(公告)号：TW201427028A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW101150646
申请日：2012-12-27
申请人：元太科技工業股份有限公司 , E INK HOLDINGS INC.
发明人：徐振航 , HSU, CHENG HANG , 余宗瑋 , YU, TZUNG WEI , 陳蔚宗 , CHEN, WEI TSUNG , 辛哲宏 , SHINN, TED HONG
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78633 , H01L29/7869
摘要：一種薄膜電晶體結構，包括一基板、一閘極、一氧化物半導體層、一閘絕緣層、一源極、一汲極、一矽質吸光層以及一絕緣層。閘絕緣層配置於氧化物半導體層與閘極之間。氧化物半導體層與閘極在一厚度方向上堆疊。源極與汲極都配置於基板上並接觸氧化物半導體層。氧化物半導體層的一部份沒有被源極與汲極接觸而定義出一通道區，且通道區位於源極與汲極之間。氧化物半導體層位於基板與矽質吸光層之間。矽質吸光層的能隙小於2.5eV。絕緣層配置於氧化物半導體層與矽質吸光層之間，且絕緣層與矽質吸光層彼此接觸。
简体摘要：一种薄膜晶体管结构，包括一基板、一闸极、一氧化物半导体层、一闸绝缘层、一源极、一汲极、一硅质吸光层以及一绝缘层。闸绝缘层配置于氧化物半导体层与闸极之间。氧化物半导体层与闸极在一厚度方向上堆栈。源极与汲极都配置于基板上并接触氧化物半导体层。氧化物半导体层的一部份没有被源极与汲极接触而定义出一信道区，且信道区位于源极与汲极之间。氧化物半导体层位于基板与硅质吸光层之间。硅质吸光层的能隙小于2.5eV。绝缘层配置于氧化物半导体层与硅质吸光层之间，且绝缘层与硅质吸光层彼此接触。

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