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    • 4. 发明专利
    • 積層造形用Ni基耐蝕合金粉末、使用此粉末之積層造形品及半導體製造裝置用構件之製造方法
    • 积层造形用Ni基耐蚀合金粉末、使用此粉末之积层造形品及半导体制造设备用构件之制造方法
    • TW201920705A
    • 2019-06-01
    • TW107129950
    • 2018-08-28
    • 日本商日立金屬股份有限公司HITACHI METALS, LTD.
    • 太期雄三DAIGO, YUZO菅原克生SUGAHARA, KATSUO
    • C22C19/05B22F3/105B33Y70/00B33Y10/00B33Y80/00H01L21/00
    • 本發明提供一種適於積層造形用之Ni基耐蝕合金粉末,且提供使用此粉末之耐蝕性優異且缺陷較少之積層造形品、半導體製造裝置用構件。 本發明係一種積層造形用Ni基耐蝕合金粉末及使用此Ni基耐蝕合金粉末進行積層造形之積層造形品、半導體製造裝置用構件之製造方法,該Ni基耐蝕合金粉末以質量%計,含有Cr:14.5~24.0%、Mo:12.0~23.0%、Fe:0.01~7.00%、Co:0.001~2.500%、Mg:0.0001~0.0050%、N:0.001~0.040%、Mn:0.005~0.50%、Si:0.001~0.200%、Al:0.01~0.50%、Ti:0.001~0.500%、Cu:0.001~0.250%、V:0.001~0.300%、B:0.0001~0.0050%、Zr:0.0001~0.0100%、O:0.0010~0.0300%,剩餘部分包含Ni及不可避免之雜質,且作為不可避免之雜質含有之C、S、P分別為C:未達0.05%、S:未達0.01%、及P:未達0.01%。
    • 本发明提供一种适于积层造形用之Ni基耐蚀合金粉末,且提供使用此粉末之耐蚀性优异且缺陷较少之积层造形品、半导体制造设备用构件。 本发明系一种积层造形用Ni基耐蚀合金粉末及使用此Ni基耐蚀合金粉末进行积层造形之积层造形品、半导体制造设备用构件之制造方法,该Ni基耐蚀合金粉末以质量%计,含有Cr:14.5~24.0%、Mo:12.0~23.0%、Fe:0.01~7.00%、Co:0.001~2.500%、Mg:0.0001~0.0050%、N:0.001~0.040%、Mn:0.005~0.50%、Si:0.001~0.200%、Al:0.01~0.50%、Ti:0.001~0.500%、Cu:0.001~0.250%、V:0.001~0.300%、B:0.0001~0.0050%、Zr:0.0001~0.0100%、O:0.0010~0.0300%,剩余部分包含Ni及不可避免之杂质,且作为不可避免之杂质含有之C、S、P分别为C:未达0.05%、S:未达0.01%、及P:未达0.01%。