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1. 外观设计

TWD205309S 包裝用瓶有权
简体标题：包装用瓶
公开(公告)号：TWD205309S
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW108306145
申请日：2019-10-04
申请人：南韓商好麗友濟州熔岩水 , ORION JEJU YONGAMSOO , 韓國科學技術院 , KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
设计人：裵相旻 , BAE, SANG MIN

2. 发明专利

TW201737550A 用於傳送電磁波訊號之波導审中-公开
简体标题：用于发送电磁波信号之波导
公开(公告)号：TW201737550A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW106110139
申请日：2017-03-27
申请人：韓國科學技術院 , KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：裵玄民 , BAE, HYEON MIN , 宋河逸 , SONG, HA IL , 李埈榮 , LEE, JOON YEONG , 尹泰勳 , YOON, TAE HOON , 元孝燮 , WON, HYO SUP
IPC分类号： H01P3/00 , H01P3/16
摘要：本發明係關於一種用於傳送電磁波訊號之波導。根據本發明之一個態樣，提供一種用於傳送電磁波訊號之波導，其包含：一介電質部分，其包含具有不同電容率之兩種或多於兩種介電質；以及一導體部分，其包圍該介電質部分之至少一部分。
简体摘要：本发明系关于一种用于发送电磁波信号之波导。根据本发明之一个态样，提供一种用于发送电磁波信号之波导，其包含：一介电质部分，其包含具有不同电容率之两种或多于两种介电质；以及一导体部分，其包围该介电质部分之至少一部分。

3. 发明专利

TWI517995B 用來控制多數群組駕駛之系統與方法有权
简体标题：用来控制多数群组驾驶之系统与方法
公开(公告)号：TWI517995B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW099105505
申请日：2010-02-25
申请人：韓國科學技術院 , KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：徐南杓 , SUH, NAM PYO , 張舜興 , CHANG, SOON HEUNG , 趙東浩 , CHO, DONGHO , 金榮敏 , KIM, YOUNGMIN , 崔釉僎 , CHOI, YOUJUN , 李淳鍾 , LEE, SUNJONG , 姜大濬 , KANG, DAEJUN , 李雄燮 , LEE, WOONGSUP , 尹世暎 , YUN, SEYOUNG , 片聖曄 , PYUN, SUNGYEOP , 金祐贊 , KIM, WOOCHAN , 文廷 , MOON, JUNG-MIN , 李淇松 , LEE, KISONG
IPC分类号： B60W30/00
CPC分类号： G08G1/096716 , G08G1/096758 , G08G1/096783

4. 发明专利

TW201446724A 封裝在結構崩塌沸石內且具有金屬簇之催化劑及其用途审中-公开
简体标题：封装在结构崩塌沸石内且具有金属簇之催化剂及其用途
公开(公告)号：TW201446724A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103114296
申请日：2014-04-18
申请人： SK新技術股份有限公司 , SK INNOVATION CO., LTD. , 韓國科學技術院 , KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：崔珉箕 , CHOI, MIN KEE , 任柱煥 , IM, JU HWAN , 金度完 , KIM, DO WOAN , 金度京 , KIM, DO KYOUNG , 金泰禛 , KIM, TAE JIN , 吳承勳 , OH, SEUNG HOON , 石泰洪 , SEOK, TAE HONG
IPC分类号： C07C5/02 , C07C5/32 , B01J29/70 , B01J37/30 , B01J37/08 , C10G45/46
CPC分类号： B01J29/123 , B01J29/08 , B01J29/082 , B01J29/103 , B01J29/143 , B01J29/7003 , B01J29/7207 , B01J29/74 , B01J29/7407 , B01J29/7607 , B01J37/0201 , B01J37/08 , B01J37/082 , B01J37/088 , B01J2229/186 , B01J2229/40 , C01B39/026 , C01B39/14 , C01B39/22 , C07C5/3337 , C07C5/367 , C10G3/42 , C10G3/49 , C10G45/00 , C10G45/04 , C10G45/12 , C10G45/60 , C10G45/64 , C10G45/68 , Y02P30/20
摘要：本發明涉及一種以氫溢流為基礎的催化劑及其用途，其中氫活化金屬簇以封裝於一晶體或非晶型鋁矽酸鹽基體中的形式而被分散，鋁矽酸鹽基體係為部分或完全結構崩塌的沸石，藉以表現出較高的氫化或脫氫活性且抑制碳-碳氫解活性。
简体摘要：本发明涉及一种以氢溢流为基础的催化剂及其用途，其中氢活化金属簇以封装于一晶体或非晶型铝硅酸盐基体中的形式而被分散，铝硅酸盐基体系为部分或完全结构崩塌的沸石，借以表现出较高的氢化或脱氢活性且抑制碳-碳氢解活性。

5. 发明专利

TWI357929B 新型的瘤胃細菌變體與藉以製作琥珀酸的方法 NOVEL RUMEN BACTERIA VARIANTS AND PROCESS FOR PREPARING SUCCINIC ACID EMPLOYING THE SAME 有权
简体标题：新型的瘤胃细菌变体与借以制作琥珀酸的方法 NOVEL RUMEN BACTERIA VARIANTS AND PROCESS FOR PREPARING SUCCINIC ACID EMPLOYING THE SAME
公开(公告)号：TWI357929B
公开(公告)日：2012-02-11
申请号：TW094116771
申请日：2005-05-23
申请人：韓國科學技術院
发明人：李相燁 , 李尚俊
IPC分类号： C12N , C12P , C12R
摘要：本發明有關於新型的瘤胃菌變體，其由瘤胃菌的乳糖去氫酶基因(Lactate Dehydrogenase Gene,ldhA)與pyruvate formate-lyase基因(pfl)(與乳酸、甲酸、及乙酸的製造有關)裂解而成。一種新的細菌變體(Mannheimia succiniciproducens LPK7)，由ldhA、pfl、磷酸乙醯轉移酶基因(phosphotransacetylase gene,pta)，與乙酸激酶基因(acetate kinase gene,ackA)裂解而成；一種新的細菌變體(Mannheimiasucciniciproducens LPK4)與產出琥珀酸的代謝路徑中二氧化碳的固定作用有關，由ldhA、pfl、與磷酸烯醇丙酮酸羧化酶基因(phosphoenolpyruvate carboxylase gene,ppc)裂解而成；以及一種產出琥珀酸的方法，其特徵為在厭氧條件下培養上述變體菌種。這些發明的變體菌種與製造出各種不同有機酸的原生品種相較之下，於製造出高濃度的琥珀酸時僅產生微不足道的其他有機酸，因此在作為工業生產琥珀酸的品種上十分有用。
简体摘要：本发明有关于新型的瘤胃菌变体，其由瘤胃菌的乳糖去氢酶基因(Lactate Dehydrogenase Gene,ldhA)与pyruvate formate-lyase基因(pfl)(与乳酸、甲酸、及乙酸的制造有关)裂解而成。一种新的细菌变体(Mannheimia succiniciproducens LPK7)，由ldhA、pfl、磷酸乙酰转移酶基因(phosphotransacetylase gene,pta)，与乙酸激酶基因(acetate kinase gene,ackA)裂解而成；一种新的细菌变体(Mannheimiasucciniciproducens LPK4)与产出琥珀酸的代谢路径中二氧化碳的固定作用有关，由ldhA、pfl、与磷酸烯醇丙酮酸羧化酶基因(phosphoenolpyruvate carboxylase gene,ppc)裂解而成；以及一种产出琥珀酸的方法，其特征为在厌氧条件下培养上述变体菌种。这些发明的变体菌种与制造出各种不同有机酸的原生品种相较之下，于制造出高浓度的琥珀酸时仅产生微不足道的其他有机酸，因此在作为工业生产琥珀酸的品种上十分有用。

6. 发明专利

TW201029183A 具有氧化鈦作為活性層之薄膜電晶體及其製造方法 THIN FILM TRANSISTOR INCLUDING TITANIUM OXIDES AS ACTIVE LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：具有氧化钛作为活性层之薄膜晶体管及其制造方法 THIN FILM TRANSISTOR INCLUDING TITANIUM OXIDES AS ACTIVE LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201029183A
公开(公告)日：2010-08-01
申请号：TW098102986
申请日：2009-01-23
申请人：韓國科學技術院
发明人：朴在佑 , 李東潤 , 柳承夾
IPC分类号： H01L
摘要：本發明所揭露者為一種製造具有氧化鈦活性層之薄膜電晶體的方法與利用此方法製得之薄膜電晶體結構。該薄膜電晶體包括有基板；使用多晶形或非晶形氧化鈦形成於該基板上的活性層；以及形成於該活性層上的絕緣體層。其中，該活性層具有藉由控制其厚度或是控制導入沉積腔室之陰離子源的量所決定出的開/關電流比。本發明的優勢在於可提升薄膜電晶體的性能、可低成本地製造出薄膜電晶體、可解決危害環境的問題以及可廣泛地將薄膜電晶體應用於特定的電子裝置。
简体摘要：本发明所揭露者为一种制造具有氧化钛活性层之薄膜晶体管的方法与利用此方法制得之薄膜晶体管结构。该薄膜晶体管包括有基板；使用多晶形或非晶形氧化钛形成于该基板上的活性层；以及形成于该活性层上的绝缘体层。其中，该活性层具有借由控制其厚度或是控制导入沉积腔室之阴离子源的量所决定出的开/关电流比。本发明的优势在于可提升薄膜晶体管的性能、可低成本地制造出薄膜晶体管、可解决危害环境的问题以及可广泛地将薄膜晶体管应用于特定的电子设备。

7. 发明专利

TW200913014A 藉由嵌段共聚物以形成精細圖樣的方法 METHOD OF FORMING FINE PATTERNS USING A BLOCK COPOLYMER 审中-公开
简体标题：借由嵌段共聚物以形成精细图样的方法 METHOD OF FORMING FINE PATTERNS USING A BLOCK COPOLYMER
公开(公告)号：TW200913014A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：TW097125953
申请日：2008-07-09
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. , 韓國科學技術院 KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：李時鏞 YI, SHI-YONG , 金京澤 KIM, KYOUNG-TAEK , 金賢友 KIM, HYUN-WOO , 崔成雲 CHOI, SEONG-WOON , 金相旭 KIM, SANG-OUK
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y30/00
摘要：本發明係關於一種圖樣化一基板之方法,其包括加工該基板之第一區以形成一第一圖樣,該等第一區界定在相鄰第一區之間的第二區;將一嵌段共聚物排列於第一及第二區上,該嵌段共聚物包括一第一組份及一第二組份,將該嵌段共聚物之該第一組份於該等第一區上對準;及選擇性移除該嵌段共聚物之該第一組份及該第二組份中之一者,以形成一具有一小於一第一區與一相鄰第二區之間距之間距的第二圖樣。
简体摘要：本发明系关于一种图样化一基板之方法,其包括加工该基板之第一区以形成一第一图样,该等第一区界定在相邻第一区之间的第二区;将一嵌段共聚物排列于第一及第二区上,该嵌段共聚物包括一第一组份及一第二组份,将该嵌段共聚物之该第一组份于该等第一区上对准;及选择性移除该嵌段共聚物之该第一组份及该第二组份中之一者,以形成一具有一小于一第一区与一相邻第二区之间距之间距的第二图样。

8. 发明专利

TW200850078A 電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW200850078A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：TW097104726
申请日：2008-02-05
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. , 韓國科學技術院 KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：黃太亨 HWANG, TAE-HYUNG , 張鴻永 CHANG, HONG-YOUNG
IPC分类号： H05H , H01L
摘要：本發明係關於一種可產生均勻之電漿、對於大面積基板可進行均勻之處理之電漿處理裝置及處理方法。本發明之電漿處理裝置,包括:真空腔;配置於真空腔內部下側,且包含複數個區塊之下部電極;配置於真空腔內部上側,且接地之上部電極;對真空腔內部供給製程氣體之製程氣體供給部;與下部電極連接,施加源功率之源功率供給部;與下部電極之各區塊分別連接,對各區塊獨立地施加偏壓功率之偏壓功率供給部;及計算施加於下部電極之各區塊之偏壓功率,控制偏壓功率供給部之控制部。
简体摘要：本发明系关于一种可产生均匀之等离子、对于大面积基板可进行均匀之处理之等离子处理设备及处理方法。本发明之等离子处理设备,包括:真空腔;配置于真空腔内部下侧,且包含复数个区块之下部电极;配置于真空腔内部上侧,且接地之上部电极;对真空腔内部供给制程气体之制程气体供给部;与下部电极连接,施加源功率之源功率供给部;与下部电极之各区块分别连接,对各区块独立地施加偏压功率之偏压功率供给部;及计算施加于下部电极之各区块之偏压功率,控制偏压功率供给部之控制部。

9. 发明专利

TW486618B 微處理器用低功率指令解碼方法有权
简体标题：微处理器用低功率指令译码方法
公开(公告)号：TW486618B
公开(公告)日：2002-05-11
申请号：TW089123526
申请日：2000-11-08
申请人：韓國科學技術院
发明人：禹籃燦 , 柳會峻
IPC分类号： G06F
CPC分类号： G06F1/3203
摘要：本發明係指一種運用靜態指令之析取與指令解碼旁視緩衝區(I-DLB)來降低系統功率的微處理器用低功率指令解碼方法。本發明的特徵在於包括：析取一個靜態析取指令集(SES)的第一步驟，其中係於微處理器設計模擬階段在執行各種應用程式期間取出少數一些最常用的指令，若干指令則會因指令解碼器的邏輯轉換而引起功率損耗；以從記憶體所讀取的一個指令與第一步驟所析取之SES做比較的第二步驟；如果第二步驟的指令經確定與SES相符，連接到指令解碼旁視緩衝區(I-DLB)的訊號便被保留而禁止在指令解碼器中從事邏輯轉換，以及對採取唯讀記憶體(ROM)形式之I-DLB中所儲存的控制訊號加以產生，據以析取不必從指令進行解碼邏輯轉換之訊號的第三步驟；和如果第二步驟的指令經確定與SES不符，I-DLB即被抑制，同時連接到I-DLB的訊號便換成與從記憶體讀取之指令相同的數值，以執行正常指令解碼過程的第四步驟。
简体摘要：本发明系指一种运用静态指令之析取与指令译码旁视缓冲区(I-DLB)来降低系统功率的微处理器用低功率指令译码方法。本发明的特征在于包括：析取一个静态析取指令集(SES)的第一步骤，其中系于微处理器设计仿真阶段在运行各种应用进程期间取出少数一些最常用的指令，若干指令则会因指令译码器的逻辑转换而引起功率损耗；以从内存所读取的一个指令与第一步骤所析取之SES做比较的第二步骤；如果第二步骤的指令经确定与SES相符，连接到指令译码旁视缓冲区(I-DLB)的信号便被保留而禁止在指令译码器中从事逻辑转换，以及对采取唯读内存(ROM)形式之I-DLB中所存储的控制信号加以产生，据以析取不必从指令进行译码逻辑转换之信号的第三步骤；和如果第二步骤的指令经确定与SES不符，I-DLB即被抑制，同时连接到I-DLB的信号便换成与从内存读取之指令相同的数值，以运行正常指令译码过程的第四步骤。

10. 发明专利

TW201829502A 含氟基之二嵌段共聚物审中-公开
公开(公告)号：TW201829502A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106132674
申请日：2017-09-22
申请人： SK新技術股份有限公司 , SK INNOVATION CO., LTD. , 韓國科學技術院 , KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：咸珍守 , HAM, JIN SU , 鄭連植 , JUNG, YEON SIK , 金善英 , KIM, SUN YOUNG , 許允衡 , HUR, YOON HYUNG , 李光國 , LEE, KWANG KUK , 宋承垣 , SONG, SEUNG WON
IPC分类号： C08F293/00 , C08F212/08 , C08F214/18 , C08F220/14 , C08F220/18
摘要：本發明提供一種二嵌段共聚物，該二嵌段共聚物包含一第一嵌段及一第二嵌段，該第一嵌段具有由下面的化學式1表示之重複單元，該第二嵌段具有由下面的化學式2表示之重複單元：其中，R1至R5、X1至X5、l、n及m係如請求項1之定義。
简体摘要：本发明提供一种二嵌段共聚物，该二嵌段共聚物包含一第一嵌段及一第二嵌段，该第一嵌段具有由下面的化学式1表示之重复单元，该第二嵌段具有由下面的化学式2表示之重复单元：其中，R1至R5、X1至X5、l、n及m系如请求项1之定义。

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