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    • 1. 发明授权
    • 시안화 페릴렌 화합물
    • KR102470798B1
    • 2022-11-28
    • KR1020167034138
    • 2015-05-08
    • C07C255/52C09K11/06C09K11/77H05B33/20F21S10/02C07C255/57F21Y115/10
    • 본발명은화학식 I의시안화페릴렌화합물및 그의혼합물에관한것이다. TIFF112016119409016-pct00058.tif6252 여기서 Z 치환기중 1개및 Z* 치환기중 1개는시아노이고, 나머지 Z 치환기및 나머지 Z* 치환기는각각독립적으로 CO2R9, CONR10R11, 임의로치환된알킬, 알케닐, 알키닐, 시클로알킬또는 C6-C14-아릴이고, 여기서 R9, R10 및 R11은각각청구범위에정의된바와같다. 본발명은추가로화학식 I의시안화페릴렌화합물또는그의혼합물을포함하는조성물, 및그의제조방법; 매트릭스물질로서의적어도 1종의중합체및 형광염료로서의적어도 1종의시안화페릴렌화합물또는그의혼합물또는적어도 1종의시안화페릴렌화합물또는그의혼합물을포함하는조성물을포함하는색 변환기; 이들색 변환기의용도, 및적어도 1개의 LED 및적어도 1개의색 변환기를포함하는조명디바이스에관한것이다.
    • 7. 发明公开
    • LED 디스플레이 장치, 백라이트 유닛 및 조명장치
    • LED显示装置,背光单元和照明装置
    • KR1020170122008A
    • 2017-11-03
    • KR1020160051031
    • 2016-04-26
    • 엘지이노텍 주식회사
    • 박선우
    • H05B33/12H05B33/20H05B33/26H01L33/00
    • 실시예는 LED 디스플레이정치, 백라이트유닛및 조명장치에관한것이다. 실시예의 LED 디스플레이장치는복수의게이트라인및 복수의데이터라인이교차되는영역에배치된복수의서브화소; 및서브화소각각에병렬연결된적어도 2 이상의발광소자를갖는발광부를포함하고, 복수의서브화소에는스위칭 TFT 및구동 TFT를포함하고, 구동 TFT와전기적으로연결된적어도 2 이상의화소전극을포함하고, 화소전극은발광부와전기적으로연결되는적어도 2 이상의접촉부를포함할수 있다. 실시예는불량화소에의한신뢰성및 수율저하를개선할수 있고, 불량화소를줄여리페어(Repair) 공정에의한제조비용및 제조시간상승을개선할수 있고, 열화를개선할수 있다.
    • 实施例涉及LED显示器固定装置,背光单元和照明装置。 在LED显示装置的实施例包括多条栅极线和多条与多个设置在所述交叉区域的子像素的数据线; 和子像素和包括具有并联连接的至少两个发光元件的光发射,将多个子像素包括开关TFT和驱动TFT和像素电极,至少两个或更多个连接到驱动TFT误传术语,像素电极 并且至少两个接触部分电连接到银发光部分。 实施例可以提高可靠性并通过缺陷像素降低成品率,减少缺陷像素,通过修复工艺改善制造成本和制造时间,并改善劣化。
    • 10. 发明公开
    • 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법
    • 使用半导体发光元件的显示装置的制造方法
    • KR1020170074577A
    • 2017-06-30
    • KR1020150184018
    • 2015-12-22
    • 엘지전자 주식회사
    • 위경태이병준심봉주
    • H05B33/14H05B37/00H05B33/20F21S2/00F21K99/00
    • 본발명은디스플레이장치의제조방법에관한것으로특히, 반도체발광소자를이용한디스플레이장치의제조방법에관한것이다. 본발명에따른디스플레이장치의제조방법은, 기판상에제1도전형반도체층, 활성화층및 제2도전형반도체층을순차적으로성장하는단계와, 식각을통하여상기기판상에복수의반도체발광소자들을형성하는단계, 및이방성전도성필름을이용하여상기복수의반도체발광소자들을배선기판에부착하는단계를포함한다. 상기이방성전도성필름은, 이방성전도매질(anisotropic conductive medium)을액상물질에혼합하여혼합액을형성하는단계와, 상기혼합액이필름을형성하도록롤러를이용하여상기혼합액을압연하는단계와, 자기장을이용하여상기필름에서상기이방성전도매질의배열을조절하는단계, 및상기필름을건조장치에통과시켜상기필름을건조하는단계를통하여제조될수 있다.
    • 本发明涉及一种特别是,根据该显示装置的制造方法中使用该半导体发光装置的显示装置的制造方法。 根据本发明,第一导电半导体层,有源层和第二导电类型的半导体层,其包括一种制造显示装置的方法,包括:在顺序生长,多个半导体光穿过基板上的蚀刻发射在基片上的设备 并且使用各向异性导电膜将多个半导体发光元件附着到布线板。 的各向异性导电膜,各向异性导电介质(各向异性导电介质)形成通过使用用辊的工序和磁场混合的液体材料,以便具有所述混合溶液以形成膜滚动混合溶液的混合物 调整薄膜中各向异性传导介质的排列,并通过使薄膜通过干燥装置来干燥薄膜。