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1. 发明公开

KR1020090123542A 스핀파의 주파수 제어가 가능한 마그노닉 결정 스핀파 소자 有权
标题翻译：能够控制旋转频率的磁性晶体转子装置
公开(公告)号：KR1020090123542A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：KR1020080049681
申请日：2008-05-28
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 김상국 , 이기석 , 한동수
IPC分类号： H03H2/00
CPC分类号： H01P1/218 , H01F1/40 , H01F1/408 , Y10T428/32
摘要： PURPOSE: A magnonic crystal spin wave device is provided to reduce a size of the device by manufacturing the spin wave device including a magnonic crystal part comprised of a unit material in a spin waveguide periodically. CONSTITUTION: A spin wave device(1100) includes a first magnonic determining unit(1110), a second magnonic determining unit(1120), and a third magnonic determining unit(1130). The spin waveguide guides the spin wave to one direction. One of a shape, an area, a central line, and a shape of a cross section in an orthogonal direction to a progressing direction of a spin wave in the magnonic determining unit is periodically changed. The magnonic determining units are arranged in the progressing direction of the spin wave. At least two magnonic determining units have different one of the structure of the unit corresponding to one period and the length of the unit in the progressing direction of the spin wave.
摘要翻译：目的：提供一种磁性晶体自旋波装置，通过周期性地制造包括由旋转波导中的单位材料构成的磁共振晶体部分的自旋波器件来减小器件的尺寸。构成：自旋波装置（1100）包括第一磁力决定单元（1110），第二磁力决定单元（1120）和第三磁力决定单元（1130）。自旋波导将自旋波引导到一个方向。周期性地改变与磁控决定单元中的自旋波的前进方向正交的方向的形状，面积，中心线和截面形状。磁子确定单元布置在自旋波的前进方向上。至少两个磁力确定单元具有与一个周期相对应的单元的结构和在自旋波的前进方向上的单元的长度不同的一个。

2. 发明授权

KR100213238B1 단일 전원에서 동작하는 톨러런스 입출력회로 失效
标题翻译：容差输入输出电路可用于单个源
公开(公告)号：KR100213238B1
公开(公告)日：1999-08-02
申请号：KR1019970014464
申请日：1997-04-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 여협구
IPC分类号： H03H2/00
摘要： 본 발명은 단일 전원에서 동작하는 톨러런스 입출력 회로에 관한 것이다. 본 발명은 내부 전원, Y게이트 신호 발생기, 킬폴리 신호 발생기, P게이트 신호 발생기, 및 출력단을 포함하는 톨러런스 입출력 회로를 포함한다. 상기 Y게이트 신호 발생기는 외부로부터 상기 입출력 회로로 인가되는 하이 레벨의 패드 신호를 입력하여 내부 전원 레벨의 신호를 출력한다. 상기 킬폴리 신호 발생기는 상기 패드 신호가 로우 레벨일 때는 내부 전원 레벨의 신호를 출력하고 상기 패드 신호가 하이 레벨일 때는 패드 신호를 그대로 출력한다. 상기 P게이트 신호 발생기는 입력 모드에서는 상기 패드 신호가 로우 레벨이면 내부 전원 레벨의 신호를, 상기 패드 신호가 하이 레벨이면 패드 신호를 그대로 P게이트 신호로서 출력한다. 그리고 상기 P게이트 신호 발생기는 출력 모드에서는 패드에 인가되는 신호가 로우 레벨이면 내부 전원 레벨의 신호를, 상기 패드 신호가 하이 레벨이면 로우 레벨의 신호를 P게이트 신호로서 출력한다. 출력단은 입력 모드에서는 트리 스태이트가 되고, 출력 모드에서는 정상적으로 동작하여 내부 전원 레벨을 하이 레벨로서 가지는 신호를 패드 신호로서 출력한다. 상기 킬폴리 신호 발생기의 출력은 킬폴리 신호 발생기, P게이트 신호 발생기, 및 출력단을 구성하는 PMOS 트랜지스터들의 벌크 영역들로 피드백 되어 인가된다.

3. 发明授权

KR100212148B1 테스트 모드시 내부 전원전압 클램프 회로 失效
标题翻译：内部电源电压钳位电路在测试模式下
公开(公告)号：KR100212148B1
公开(公告)日：1999-08-02
申请号：KR1019960048110
申请日：1996-10-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 남경우 , 경계현
IPC分类号： H03H2/00
摘要： 본 발명은 외부 전원전압을 입력하여 내부 전원전압을 발생하는 내부전원 발생수단; 테스트 모드에서 인에이블되어 상기 외부 전원전압과 상기 내부 전원전압을 비교하는 비교수단, 및 상기 비교수단의 출력에 응답하여 상기 내부 전원전압의 레벨이 상기 외부 전원전압보다 높을 경우에 상기 내부전원 발생수단의 출력전류를 방전시켜 내부 전원전압이 상기 외부 전원전압 이상으로 상승되는 것을 방지하는 클램프 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 반도체 메모리 장치의 여러 가지 테스트 과정에서 높은 전압과 온도를 가하게 될 경우에 공급되는 외부 전원전압으로 내부 전원전압을 만들어 사용하는 제품에서 공급되는 외부 전원전압이 높아짐에 따라 내주 전원전압도 따라서 높아지거나 내부 전원전압이 외부 전원전압보다 높은 경우에 발생할 수 있는 문제를 해결하여 반도체 메모리 장치의 테스트 과정에서 장치에 무리를 주지 않으면서 안정한 테스트가 가능하게 한다.

4. 发明公开

KR1019980026072A 특정 대역 주파수를 갖는 신호 생성 방법 无效
标题翻译：产生具有特定频带频率的信号的方法
公开(公告)号：KR1019980026072A
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019960044397
申请日：1996-10-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 홍기준 , 김영식
IPC分类号： H03H2/00
摘要： 본 발명은 특정 대역 주파수를 갖는 신호 생성 방법에 관한 것으로서, 특히 디지탈 필터를 이용하여 제한된 대역의 신호를 생성할 수있는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 목적을 위하여 전대역의 주파수 특성을 갖는 임펄스 신호를 필터링하여 원하는 특정 대역의 주파수 대역의 신호로 생성하는 제1단계, 제1단계에서 생성된 임펄스 형태의 신호를 어레이로 생성하여 전대역의 주파수 대역을 갖는 아날로그 신호로 변환되는 제2단계를 포함한다. 본 발명에 의하면 일정한 대역에서의 연속적인 주파수 특성을 갖는 신호를 주파수 변환 시켜가며 사인파를 합성시키는 기존의 방법에 비해 신호 생성을 위한 시간이 절약되며, 높은 주파수 해상도를 갖는 신호를 생성할 수있는 이점이 있다.

5. 发明公开

KR1019950007276A 방전관용 인버터회로 失效
标题翻译：用于放电管的逆变器电路
公开(公告)号：KR1019950007276A
公开(公告)日：1995-03-21
申请号：KR1019940021535
申请日：1994-08-30
申请人： 후지무라다다마사 , 우시지마 마사카즈
发明人： 후지무라다다마사 , 우시지마마사카즈
IPC分类号： H03H2/00
摘要： 냉음극 형광등, 열음극 형광등, 수은 아크등, 금속 헬라이드등, 네온등 등과 같은 방전 램프나 방전관과 함께 사용하기 위한 인버터 회로가 제공된다. 상기 인버터 회로에서 사용되는 승압 변압기의 이차면 회로는 고주파 전원 회로로서 구성되고 상기 승압 변압기의 상기 이차 면 회로에서 생성되는 기생용량 또는 스트레이 용량이 누설 자속형 승압 변압기의 유도 출력과 기생용량, 스트레이용량으로서만 구성되는 공진 회로의 부분 또는 그 구성요소로서 사용된다.

6. 发明授权

KR102427963B1 주파수 선택성 리미터 有权
公开(公告)号：KR102427963B1
公开(公告)日：2022-08-01
申请号：KR1020197035631
申请日：2018-05-24
IPC分类号： H01P1/218 , H01P1/22 , H01P1/23 , H01P3/00 , H03G11/00 , H03H7/38 , H03H2/00
摘要： 테이퍼진폭을갖는전송라인구조를갖는주파수선택성리미터(FSL)가제공된다. FSL은자성재료를갖는기판, 기판상에배치되는신호 (또는중앙) 전도체및 기판상에배치되는제 1 및제 2 접지면전도체를포함한다. 신호전도체는신호전도체의제 1 단부및 제 2 단부사이에테이퍼가구비되도록제 1 폭을갖는제 1 단부와, 상이한제 2 폭을갖는제 2 단부를구비하는신호전도체. 제 1 및제 2 접지면전도체는신호전도체의제 1 단부로부터신호전도체의제 2 단부로변화하는거리만큼신호전도체의제 1 및제 2 에지로부터각각이격되고, 제 1 및제 2 접지면전도체는동일평면상의도파관전송라인을형성한다.

7. 发明授权

KR101700844B1 필터 모듈 有权
标题翻译：过滤模块
公开(公告)号：KR101700844B1
公开(公告)日：2017-01-31
申请号：KR1020150127146
申请日：2015-09-08
申请人： (주)와이솔
发明人： 이승재
IPC分类号： H03H3/08 , H03H2/00 , H03H7/38 , H03H3/007
摘要： 본발명의필터모듈은, 기판, 상기기판위에형성되는복수의필터, 상기기판위에형성되는증폭기, 상기복수의필터와상기증폭기를상기기판과연결하는연결부, 상기복수의필터와상기증폭기를덮을수 있도록상기기판상에형성되는커버층을포함하는필터모듈에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种过滤器模块。过滤器模块包括：基板; 形成在所述基板上的多个过滤器; 形成在基板上的放大器; 连接单元，其将所述多个滤波器和所述放大器连接到所述基板; 以及形成在所述基板上以覆盖所述多个滤波器和所述放大器的覆盖层。因此，本发明可以通过包括放大器，滤波器和匹配装置来匹配形成在衬底上的器件的阻抗来稳定电路。

8. 发明公开

KR1020160110028A 필터 모듈 有权
标题翻译：过滤器模块
公开(公告)号：KR1020160110028A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：KR1020150127146
申请日：2015-09-08
申请人： (주)와이솔
发明人： 이승재
IPC分类号： H03H3/08 , H03H2/00 , H03H7/38 , H03H3/007
摘要： 본발명의필터모듈은, 기판, 상기기판위에형성되는복수의필터, 상기기판위에형성되는증폭기, 상기복수의필터와상기증폭기를상기기판과연결하는연결부, 상기복수의필터와상기증폭기를덮을수 있도록상기기판상에형성되는커버층을포함하는필터모듈에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种过滤器模块。过滤器模块包括：基板; 形成在所述基板上的多个过滤器; 形成在基板上的放大器; 连接单元，其将所述多个滤波器和所述放大器连接到所述基板; 以及形成在所述基板上以覆盖所述多个滤波器和所述放大器的覆盖层。因此，本发明可以通过包括放大器，滤波器和匹配装置来匹配形成在衬底上的器件的阻抗来稳定电路。

9. 发明授权

KR101616255B1 위성에 탑재되는 마이크로웨이브 장치용 전자 디바이스 有权
标题翻译：用于微波设备的电子设备安装在卫星上
公开(公告)号：KR101616255B1
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：KR1020107017925
申请日：2008-12-16
申请人： 탈레스
发明人： 이베르크리스또쁘 , 드바르쥬세실
IPC分类号： H03F1/32 , H03H2/00
CPC分类号： H03H2/00 , H03F1/30 , H03F1/32 , H03F3/189 , H03F2200/189 , H03F2200/459
摘要： 본출원발명은, 마이크로웨이브체인의유도된자화율에대한사양의개선및 유지보수에대한솔루션으로구성된다. 본발명은, 충분히유도된자화율성능을나타내지않는유닛들 (CRF1, CRF2) 사이에단순히하나이상의 180°위상시프터 (PHI) 를부가함으로써, 위성에통합되는디바이스들과같은마이크로웨이브디바이스들의마이크로웨이브체인내에서운반되는기생변조신호 (PAR4) 의상당한감쇠를가능하게하는주 이점을갖는다. 그결과, 본발명은모든보완마이크로웨이브장비내에존재하는전원및 기타 DC/DC 변환기 (SUPP1) 에일반적으로통합되는기생신호의감쇠를담당하는특정한엘리먼트를없앨수 있다.

10. 发明授权

KR100316635B1 고조파전류 방지회로 失效
标题翻译：谐波电流防止电路
公开(公告)号：KR100316635B1
公开(公告)日：2002-02-19
申请号：KR1019970040906
申请日：1997-08-26
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 최흥균
IPC分类号： H03H2/00
摘要： PURPOSE: A harmonics current preventing circuit is provided, which is capable of preventing harmonics current through combination of a switch and a coil based on an input power supply voltage. CONSTITUTION: A bridge diode(10) rectifies an input power, and the second switch(20) has one end connected to a plus output of the bridge diode. The first switch part(30) has one end connected to a neutral of the power, and the first condenser(C1) is connected between the other end of the second switch and the other end of the first switch. The second condenser(C2) is connected between the other end of the first switch and a minus output of the bridge diode. A transformation part(T) applies an output transferred through the first and second condensers to a primary side(n1) based on a switch operation of a switching part(Q). A switching element(40) is used as the switches(20,30) and consists of a coil(L).

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