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1. 发明授权

KR102483040B1 집적 회로에 인덕터 및 패턴 접지 실드를 구현하기 위한 회로들 및 그 방법들 有权
公开(公告)号：KR102483040B1
公开(公告)日：2022-12-29
申请号：KR1020197022883
申请日：2017-11-30
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/64 , H01L21/768 , H10N97/00 , H01L29/40 , H03B5/12
摘要： 집적회로디바이스가설명된다. 집적회로디바이스는기판(202); 복수의금속라우팅상호접속층들(710, 712, 716); 복수의금속라우팅상호접속층들중 적어도하나의금속층에형성된인덕터(108); 및복수의금속라우팅상호접속층들과기판사이의하부금속층(702)을포함하고, 패턴접지실드(302)가하부금속층에형성된다. 집적회로디바이스에인덕터를구현하는방법이또한개시된다.

2. 发明授权

KR102421690B1 고출력 마그네트론에서의 자기장 가변장치 有权
公开(公告)号：KR102421690B1
公开(公告)日：2022-07-18
申请号：KR1020170157191
申请日：2017-11-23
IPC分类号： H03B9/10 , H01F7/02 , H01F3/00

3. 发明公开

KR1020220090429A 광대역 전압 제어 발진기 회로부 审中-实审
公开(公告)号：KR1020220090429A
公开(公告)日：2022-06-29
申请号：KR1020210178631
申请日：2021-12-14
IPC分类号： H03B5/12
摘要： 전자디바이스는전압제어발진기(VCO) 신호에기초하여신호들을상향변환하거나하향변환하는믹서회로부를갖는송수신기를포함할수 있다. 송수신기회로부는제1, 제2, 제3 및제4 VCO들을포함할수 있다. 각각의 VCO는제어전압을수신하는 VCO 코어및 VCO 코어에결합된인덕터를포함할수 있다. 고정선형커패시터들이 VCO 코어들사이에결합될수 있다. 스위칭네트워크는 VCO들사이에결합될수 있다. 제어회로부는 4개의상이한동작모드들중 하나에 VCO 회로를배치할수 있고, 인덕터들각각에서전류방향을선택적으로제어하기위해동작모드들사이에서스위칭할수 있다. VCO 회로부는동작모드들각각에서각각의주파수범위내에서 VCO 신호를생성할수 있다. VCO 회로부는시스템에최소위상잡음을도입하면서모든동작모드에걸쳐비교적넓은주파수범위를나타낼수 있다.

4. 发明授权

KR102397395B1 광역 LO 생성기 및 이를 포함하는 장치 有权
公开(公告)号：KR102397395B1
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：KR1020170117224
申请日：2017-09-13
IPC分类号： H03B19/00 , H03B27/00 , H04B1/403
摘要： 본개시의예시적실시예에따라믹서에국부발진신호를제공하는 LO(local oscillator) 생성기는, 입력발진신호를수신하고제1 내부발진신호를출력하는입력버퍼, 제1 내부발진신호의주파수를분주함으로써제2 내부발진신호를출력하는주파수분주회로, 및제2 내부발진신호를수신하고국부발진신호를출력하는출력버퍼를포함할수 있고, 입력버퍼및 주파수분주회로는출력버퍼와는독립적으로전원전압을수신하도록구성될수 있다.

5. 发明公开

KR1020220037973A 잡음 제거 기능이 있는 믹서 회로부 审中-实审
公开(公告)号：KR1020220037973A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：KR1020210122255
申请日：2021-09-14
IPC分类号： H03D7/14 , H03B5/12 , H04B1/10 , H04B15/00
摘要： 전자디바이스는기저대역프로세서, 송수신기, 프런트엔드모듈및 안테나가있는무선회로부를포함할수 있다. 상기송수신기는믹서회로부를포함할수 있다. 상기믹서회로부는발진기신호에의해제어되는스위치가포함할수 있다. 상기믹서회로부는반전발진기신호에의해제어되는발진기위상잡음제거축전기를더 포함할수 있다. 이러한방식으로작동되는상기믹서회로부는개선된잡음수치성능을나타낸다.

6. 发明公开

KR1020220019632A 발진기 장치 및 발진기 장치 동작 방법 审中-实审
公开(公告)号：KR1020220019632A
公开(公告)日：2022-02-17
申请号：KR1020210103727
申请日：2021-08-06
IPC分类号： H03B5/18 , H03B19/10
摘要： 본개시는발진기장치에관한것이며, 발진기장치는, 폐쇄루프를형성하는차동송신라인, 차동송신라인에전기적으로연결되고차동송신라인의손실을보상하도록구성된복수의능동코어구성요소, 차동송신라인과전기적으로결합되는복수의튜닝요소, 및차동송신라인의유효전기적길이가변경되도록활성화하거나비활성화하는복수의튜닝요소의각각의튜닝요소를제어하도록구성된프로세서를포함한다.

7. 发明授权

KR102335966B1 위상잠금루프 회로를 이용한 다중 동기신호를 출력하는 다중 전압제어발진기 장치 有权
公开(公告)号：KR102335966B1
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：KR1020190131783
申请日：2019-10-22
IPC分类号： H03B5/12 , H03B5/20
摘要： 본발명에따른위상잠금루프회로를이용한다중동기신호를출력하는다중전압제어발진기장치는각각의입력전압을조정하여서로다른주파수를생성할수 있는복수의전압제어발진부를구비한오실레이터모듈, 상기오실레이터모듈에입력되는전위를조절하는전압제어비트모듈; 및상기복수의전압제어발진부의각 출력주파수를피드백클럭으로입력받고기준클럭에동기화하는 PLL 모듈을포함하되, 상기오실레이터모듈은스위칭을하는스위칭다이오드부, 커패시터값을조정하는커패시터블럭,전압을변경할수 있는변경전압부, 및커패시터값을조정하는조정커패시터부를더 포함한다.

8. 发明授权

KR102331883B1 주파수 4배 체배기 有权
公开(公告)号：KR102331883B1
公开(公告)日：2021-11-29
申请号：KR1020190109656
申请日：2019-09-04
IPC分类号： H03B19/10 , H03B19/14
摘要： 본발명은, 전류재사용주파수 4배체배기에관한것으로, 입력된신호에서기본주파수의 2배주파수를체배하는제1모듈, 상기제1 모듈에서체배된신호를입력받아위상이반대인신호를출력하는제2모듈및 상기제1모듈및 제2모듈과연결되고, 상기제1모듈및 상기제2모듈로부터입력된신호를기반으로, 상기기본주파수의 4배주파수를체배하는제3모듈을포함하고, 상기제1 , 제2 및제3 모듈은, C등급(Class C) 트랜지스터를포함하는것을특징으로한다.

9. 发明授权

KR102243455B1 안정화된 마이크로파-주파수 소스 有权
公开(公告)号：KR102243455B1
公开(公告)日：2021-04-21
申请号：KR1020167020004
申请日：2015-01-26
申请人： 캘리포니아 인스티튜트 오브 테크놀로지 , 거번먼트 오브 더 유나이티드 스테이츠 오브 아메리카, 애즈 레프리젠티드 바이 더 세크리터리 오브 커머스
发明人： 바하라,켈리 , 디드담스,스코트 , 리,지앙 , 이,수 , 이,한석
IPC分类号： H04B10/50 , H04B10/25 , H04B10/2507 , H04B10/2575 , H03B17/00 , H03L7/08 , H03L7/16
摘要： 주파수(fM)에서마이크로파-주파수소스는: 듀얼광학-주파수기준소스, 전기-광학측파대생성기, 광학대역통과필터, 광학검출기, 기준발진기, 전기회로, 및전압-제어발진기(VCO)를포함한다. 측파대생성기는 v1±n1fM 및 v2±n2fM에서측파대신호들을생성하기위하여 v2 및 v1에서듀얼광학기준신호들을변조한다. 대역통과필터는 v1±n1fM 및 v2±n2fM에서측파대신호들을송신한다. 광학검출기는 (v2-N2fM)-(v1+N1fM)에서비트음색(beat note)을생성한다. 비트음색및 기준발진기신호는 VCO에입력하기위한루프-필터링에러신호를생성하도록회로에의해프로세싱된다. fM에서 VCO의출력은측파대생성기를드라이브하고마이크로파-주파수출력신호를형성한다. 결과적주파수분할은마이크로파-주파수신호에대해감소된위상노이즈를초래한다.

10. 发明授权

KR102227706B1 커패시터 유닛, 통합 커패시터, 및 공진 유닛 有权
公开(公告)号：KR102227706B1
公开(公告)日：2021-03-15
申请号：KR1020197011840
申请日：2016-10-10
申请人： 후아웨이 테크놀러지 컴퍼니 리미티드
发明人： 루오,순 , 첸,후이젠
IPC分类号： H01L49/02 , H03B5/20
摘要： 본출원의실시예들은커패시터유닛, 통합커패시터, 및공진유닛을제공한다. 커패시터유닛은도전성캐비티(100) - 수용공간(101)은도전성캐비티(100)에서종방향으로관통하여설정됨 -; 및도전성코어(200) - 도전성코어(200)의제1 부분(210) 및도전성코어(200)의제2 부분(220)은비아홀을이용하여연결되고, 도전성코어(200)의제1 부분(210)은도전성캐비티(100)의위에또는아래에위치되고, 도전성코어(200)의제2 부분(220)은도전성캐비티(100)의수용공간(101)에위치됨 - 를포함하고; 및도전성캐비티(100)는산화물층 또는절연층을이용하여도전성코어(200)로부터격리된다. 본출원의실시예들은커패시터유닛에대한외부로부터의충격을감소시킬수 있고, 따라서커패시터유닛의안정성이향상될수 있다.

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