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热词
    • 7. 发明公开
    • 송수광 단일렌즈 광학계 구조를 가지는 스캐닝 라이다
    • 一种具有单光透镜光学系统结构的扫描激光束
    • KR1020170135415A
    • 2017-12-08
    • KR1020160067296
    • 2016-05-31
    • 전자부품연구원
    • 최현용최철준오승훈조현창
    • G01S7/481H01S3/094G02B27/30H01S5/00H01S5/026H01S3/123H01S5/022
    • 본발명의일 실시예에따른송수광단일렌즈광학계구조를가지는스캐닝라이다는수평면과소정의제1 각도를이루도록배치되고, 반사면을구비하는반사미러, 상기반사면의반대면을향하도록배치되고, 상기반사미러의상단끝부분과이격되어형성되는송광경로를따라펄스레이저를출력하는광원, 상기펄스레이저가측정타겟으로진행하도록콜리메이트빔(collimated beam) 또는다이버전스빔(divergence beam)을생성하고, 상기측정타겟에서반사된광을수광하여상기반사미러에전달하는송수광단일렌즈, 및상기반사면을향하도록배치되고, 상기반사면에서반사된광을전기신호로변환하는광검출부를포함할수 있다.
    • 根据本发明的实施例的具有光接收和接收单透镜光学系统结构的扫描盖布置成与水平面形成预定的第一角度并且被布置为面对具有反射表面的反射镜, 一种光源,用于沿着从反射镜的上端部分形成的光发射路径,准直光束或发散光束输出脉冲激光,使得脉冲激光前进到测量目标 ,它可以包含一个光学检测单元,用于从所述测量目标反射的接收光转换被设置成面对所述发射机接收的单透镜,是根据mitsang表面传递到反射镜,通过基面反射的光转换成电信号 。
    • 9. 发明授权
    • 반도체 광 소자 및 그 제조 방법
    • 半导体光学器件及其制造方法
    • KR101754280B1
    • 2017-07-07
    • KR1020110042251
    • 2011-05-04
    • 한국전자통신연구원
    • 김동철김기수김현수최병석권오균정종술오대곤
    • G02B6/12H01S5/10H01S5/026
    • H01S5/1028H01S5/0265H01S5/0425H01S5/1003H01S5/101H01S5/1014H01S5/2222H01S2301/16
    • 반도체광 소자및 그제조방법을제공한다. 이반도체광 소자는반도체기판의제1 모드변환영역, 광증폭영역, 제2 모드변환영역및 광변조영역상에각각배치된제1 모드변환코어, 광증폭코어, 제2 모드변환코어및 광변조코어; 및적어도광 증폭코어의측벽및 상부면을덮는전류차단부를포함한다. 제1 모드변환코어, 광증폭코어, 제2 모드변환코어및 광변조코어는일 방향을따라순차적으로배열되어서로버트결합(butt joint)되고, 전류차단부는차례로적층된제1, 제2 및제3 클래딩패턴들을포함한다. 제2 클래딩패턴은제1 도전형의도펀트로도핑되고, 제1 및제3 클래딩패턴들은제2 도전형의도펀트로도핑된다.
    • 提供了一种半导体光学器件及其制造方法。 伊凡导体光学元件是第一模式转换区域,所述光放大区域,所述第二模式改变区域和各自布置在所述第一模式中的光调制的区域交换核心,光放大器芯,所述第二模式切换芯和半导体基板的光调制 核心; 以及电流阻挡部分,其至少覆盖光放大核心的侧壁和上表面。 第一模式转换核心,光学放大核心,第二模式转换核心和光学调制核心沿一个方向顺序布置以对接,并且电流中断部分包括第一,第二和第三包层 它包括一个图案。 第二包层图案掺杂有第一导电类型的掺杂剂,第一和第三包层图案掺杂有第二导电类型的掺杂剂。