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1. 发明授权

KR102088629B1 금속-반도체-금속(MSM) 이종접합 다이오드 有权
公开(公告)号：KR102088629B1
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：KR1020147032120
申请日：2013-04-19
申请人： 카네기 멜론 유니버시티
发明人： 후신로자나 , 천이쉬안 , 뤄이
IPC分类号： H01L29/86 , H01L29/872

2. 发明授权

KR101654975B1 반도체 조립체 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体装配及其制造方法
公开(公告)号：KR101654975B1
公开(公告)日：2016-09-06
申请号：KR1020140079461
申请日：2014-06-27
申请人： 제네럴 일렉트릭 컴퍼니
发明人： 카샵애비나쉬스리크리시난 , 샌드빅피터미카 , 조우뤼
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/16 , H01L29/86
CPC分类号： H01L27/0248 , H01L21/8213 , H01L21/8232 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L27/0617 , H01L29/2003 , H01L29/267 , H01L29/7786
摘要： 모놀리식적으로집적된반도체조립체가제공된다. 모놀리식적으로집적된반도체조립체는실리콘탄화물(SiC)을포함하는기판, 및상기기판상에제조된갈륨질화물(GaN) 반도체소자를포함한다. 상기반도체조립체는상기기판내에또는기판상에제조된적어도하나의과도전압억제(TVS) 구조물을더 포함하고, 상기 TVS 구조물은 GaN 반도체소자와전기적으로접촉한다. 상기 GaN 반도체소자에걸쳐인가된전압이문턱값전압보다클 때, 상기 TVS 구조물이펀치스루모드, 전자사태모드, 또는이들의조합들로동작하도록구성된다. 또한, 모놀리식적으로집적된반도체조립체의제조방법이제공된다.

3. 发明授权

KR101640298B1 ＴＯ 하우징 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：住房及其制造方法
公开(公告)号：KR101640298B1
公开(公告)日：2016-07-15
申请号：KR1020140005429
申请日：2014-01-16
申请人： 쇼오트 아게
发明人： 헤틀러로베르트 , 탄케니스 , 미터마이어게오르크 , 드뢰게뮐러카르스텐
IPC分类号： H01L23/66 , H01L29/86
CPC分类号： H01L23/08 , H01L23/045 , H01L23/3157 , H01L23/64 , H01L23/66 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/6622 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48011 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48245 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/2065 , H01L2924/20649 , H01L2924/20645 , H01L2924/20644 , H01L2924/20643 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
摘要： 본발명은 TO 하우징에관한것으로서, 이 TO 하우징의경우에상측에서본딩와이어의길이가단축되어있고단자와마주하는쪽에서연결선이돌출부를가지고있다.
摘要翻译：提供了在上表面具有接合线的晶体管轮廓外壳。接合线的长度减小，并且在与接合端相对的端部处具有连续引线，其具有多余的长度。

4. 发明公开

KR1020160029930A 투명 다이오드 无效
标题翻译：透明二极管
公开(公告)号：KR1020160029930A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：KR1020140118800
申请日：2014-09-05
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 김연상 , 이응규 , 임건희
IPC分类号： H01L29/86
CPC分类号： H01L29/86 , H01L33/00
摘要： 본발명은 PN 접합다이오드, 트랜지스터백투백다이오드등의다른다이오드에비해제조비용을절감할수 있고고성능이며, 투명디스플레이에적용될수 있는신규한구조의투명다이오드에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种具有新颖结构的透明二极管，与其它二极管（例如PN结二极管，晶体管背对背二极管等）相比可降低制造成本。透明二极管具有高性能，可应用于透明显示器。透明二极管包括：阳极基板; 正极基板上的绝缘层; 绝缘层上的半导体层; 以及半导体层上的阴极电极。

5. 发明公开

KR1020150096914A 저정전용량 TVS 제조방법 및 그 방법으로 제조된 TVS 소자 有权
标题翻译：使用该方法制造低电容TVS和器件的方法
公开(公告)号：KR1020150096914A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：KR1020140017791
申请日：2014-02-17
申请人： 주식회사 시지트로닉스
发明人： 조덕호 , 심규환
IPC分类号： H01L29/86 , H01L27/06
CPC分类号： H01L29/86 , H01L27/0255 , H01L27/06
摘要： 본 발명은 제조공정이 매우 간단하고 반대 도핑 영향이 없는 소자들로서 다이나믹 저항이 감소되어 TLP 테스트시 전류구동 능력을 향상시킬 수 있고 ESD 내성이 높은 저정전용량 TVS 제조방법에 관한 것으로서, P
+ N
- N
+ P
- P
+ 구조의 제1 저정전용량 TVS 칩을 제조하는 단계, P
+ N
- N
+ 구조의 제2 저정전용량 TVS 칩을 제조하는 단계, 상기 제2 저정전용량 TVS 칩의 하부 금속패드를 제1 리드프레임에 다이본딩하고 상기 제1 저정전용량 TVS 칩의 하부 금속패드를 제2 리드프레임에 다이본딩하는 단계 및 상기 제2 저정전용량 TVS 칩의 상부 금속패드와 상기 제2 리드프레임을 와이어 본딩하고 상기 제1 저정전용량 TVS 칩의 상부 금속패드와 상기 제1 리드프레임을 와이어 본딩하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 단방향 보호기능을 갖는 저정전용량 TVS 제조방법에 관한 기술이다.
摘要翻译：本发明涉及一种具有简单制造工艺的低电容瞬态电压抑制器（TVS）的制造方法，提高了传输线脉冲（TLP）测试中的电流驱动性能，因为在没有反相掺杂的器件中动态电阻降低，并具有高耐ESD性。本发明涉及一种具有单向保护功能的低电容TVS的制造方法的技术，包括：制造P ^ + N ^ -N ^ + P ^ - 的第一低电容TVS芯片的步骤， P ^ +结构; 制造P ^ + N ^ -N ^ +结构的第二低电容TVS芯片的步骤; 在第一引线框上将第二低电容TVS芯片的下金属焊盘芯片焊接在第二引线框架上的步骤，以及第一低电容器TVS芯片的下金属焊盘; 以及使用所述第一引线框架将所述第二低电容TVS芯片的上金属焊盘与所述第二引线框架和所述第一低电容TVS芯片的上金属焊盘引线接合的步骤。

6. 发明公开

KR1020150092011A 전계 효과 트랜지스터 스위칭 회로 审中-实审
标题翻译：场效应晶体管开关电路
公开(公告)号：KR1020150092011A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：KR1020150016442
申请日：2015-02-03
申请人： 트리퀸트 세미컨덕터 인코퍼레이티드
发明人： 노라죠지
IPC分类号： H01L29/86
CPC分类号： H03K17/162 , H03K17/165 , H03K17/6872 , H03K17/693 , H03K2217/0018 , H01L29/86 , H01L2924/1306
摘要： 실시예들은 스위칭 회로와 관련된 장치, 방법 및 시스템을 포함한다. 몇몇 실시예에서, 스위칭 회로는 단일 경로에서 하나의 n 채널 FET를 포함하는 제 1 스위치를 포함할 수 있다. 또한 스위칭 회로는 제 1 스위치에 대한 분로(shunt)에서 제 2 스위치를 포함할 수 있다. 제 2 스위치는 스위치 트랜지스터의 바디에 대한 방전 경로를 제공하는 방전 트랜지스터를 포함할 수 있다. 다른 실시예들이 설명되고 청구된다.
摘要翻译：在实施例中提供了与开关电路有关的装置，方法和系统。在一些实施例中，开关电路包括在单个路径中包括一个n沟道FET的第一开关。此外，开关电路包括用于第一开关的分流器中的第二开关。第二开关包括提供用于开关晶体管的主体的放电路径的放电晶体管。解释和要求保护其他实施例。

7. 发明公开

KR1020150090656A 일함수 조절이 가능한 그래핀 배리스터를 포함하는 반도체 소자 审中-实审
标题翻译：具有用于调谐功能的石墨棒的半导体器件
公开(公告)号：KR1020150090656A
公开(公告)日：2015-08-06
申请号：KR1020140011554
申请日：2014-01-29
申请人： 한국과학기술원
发明人： 최성율 , 박익준 , 박하민 , 하영욱
IPC分类号： H01L29/86 , H01L33/00
CPC分类号： H01L27/15 , H01C7/1013 , H01L27/3225 , H01L51/5206
摘要： 본발명에따른반도제소자는그래핀을포함하는제1 단자구조체, 제1 단자구조체에결합되는발광레이어, 발광레이어에결합되는제2 단자구조체및 제1,2 단자구조체중 어느하나의단자구조체에접하는기판을포함하고, 상기제1 단자구조체는게이트단자, 절연체, 및그래핀이순서대로적층된구조로서상기그래핀은제1 단자구조체및 발광레이어사이에배치되는것이특징이다. 본발명은그래핀배리스터에서사용된전기장값에따라일함수가변하는그래핀의고유의특성을 LED 또는 OLED의발광장치에적용시켜자유로운일함수조절이가능하게하고, 그래핀전극이공기중에노출되지않게함으로써시간경과여부에관계없이그래핀전극본연의특성을잘 유지할수 있게한다.
摘要翻译：根据本发明的半导体器件包括：第一端子结构，其包括石墨烯，与第一端子结构组合的发光层，与发光层组合的第二端子结构和接触的基板与第一和第二终端结构之一。第一端子结构包括依次层叠的栅极端子，绝缘体和石墨烯。石墨烯被布置在第一端子结构和发光层之间。本发明通过将作用功能根据用于石墨烯阻尼杆的电场值发生变化的石墨烯的独特特性应用于LED或OLED的发光装置而自由地控制功函数。通过防止石墨烯电极暴露于空气，保持石墨烯电极的原始性质，而不管时间的流逝。

8. 发明授权

KR101511494B1 다이오드, 및 이것을 갖는 표시장치 有权
标题翻译：包含二极管的二极管和显示器件
公开(公告)号：KR101511494B1
公开(公告)日：2015-04-13
申请号：KR1020080130637
申请日：2008-12-19
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키순페이 , 호소야쿠니오 , 스즈키야스타카 , 후지카와사이시
IPC分类号： H01L29/86
CPC分类号： H01L29/66765 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L29/04 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/78696
摘要： 본발명은박막트랜지스터의오프전류를저감하는것을목적의하나로한다. 또한, 다이오드의역방향전류를저감하는것을목적의하나로한다. 또한, 박막트랜지스터를사용하는표시장치의화질의향상을목적의하나로한다. 게이트전극위에, 게이트절연막을개재하여상기게이트전극의단부에도달하지않는내측영역에형성된미결정반도체막과, 미결정반도체막의상면및 측면을피복하는비정질반도체막과, 비정질반도체막위에, 소스영역및 드레인영역을각각형성하는 1 도전형의불순물원소가첨가된불순물반도체막을갖고, 미결정반도체막은, 도너가되는불순물원소를포함하는박막트랜지스터이다.

9. 发明公开

KR1020150016865A 고전압 애플리케이션을 위한 실리콘 제어 정류기 有权
标题翻译：用于高压应用的硅控制整流器
公开(公告)号：KR1020150016865A
公开(公告)日：2015-02-13
申请号：KR1020130146502
申请日：2013-11-28
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 창위-펭
IPC分类号： H01L29/86 , H01L21/329
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L29/7436 , H01L29/86 , H01L21/326 , H01L29/74
摘要： 실리콘 제어 정류기에서, 애노드 영역은 n 타입 우물 영역에 의해 측방으로 둘러싸인 p 타입 애노드 우물 영역들을 포함한다. 제1 방향에서 측정된 p 타입 애노드 우물 영역의 길이는 제1 방향에 수직인 제2 방향에서 측정된 p 타입 애노드 우물 영역의 폭보다 더 크다. p 타입 우물 영역은 접합부에서 n 타입 우물 영역과 만나며, 접합부는 p 타입 우물 영역과 n 타입 우물 영역 사이에 제2 방향으로 연장한다. 캐소드 영역은 p 타입 우물 영역에 형성되는 복수의 n 타입 캐소드 우물 영역들을 포함한다. 제1 방향에서 측정된 n 타입 캐소드 우물 영역의 길이는 제2 방향에서 측정된 n 타입 캐소드 우물 영역의 폭보다 더 크다.
摘要翻译：在可控硅整流器中，阳极区域包括由n型阱区域横向包围的p型阳极阱区域。在第一方向上测量的p型阳极阱区的长度大于在与第一方向垂直的第二方向上测量的p型阳极阱区的宽度。 p型阳极阱区域与接合部分中的n型阱区域相交。接合部分在p型阳极阱区域和n型阱区域之间沿第二方向延伸。阴极区域包括p型阱区域中的多个n型阴极阱区域。在第一方向上测量的n型阴极阱区的长度大于在第二方向上测量的n型阴极阱区的宽度。

10. 发明授权

KR101448158B1 저전압-고전류용 고성능 고속회복다이오드(ＨＰ－ＦＲＤ) 및 그 제조방법 有权
标题翻译：用于低电压和高电流的高性能FRD的结构和制造方法
公开(公告)号：KR101448158B1
公开(公告)日：2014-10-07
申请号：KR1020130098081
申请日：2013-08-19
申请人： 주식회사 시지트로닉스
发明人： 심규환 , 조덕호
IPC分类号： H01L29/86 , H01L29/868 , H01L29/872
摘要： The HP-FRD of the present invention relates to a structure using a MOS gate and a manufacturing method. Peculiarly, the HP-FRD can increase power efficiency in a low power operation condition by using a structure where a vertical channel and a horizontal channel are formed by an MOS gate using a mesa and a sidewall. The HP-FRD effectively prevents a reverse leakage current by extending a space charge region by depletion when a reverse bias is applied. That is, the degree of integration for driving a MOS gate is increased and stable properties for manufacture by self-alignment can be maintained. The purpose of the present invention is to provide a HP-FRD which is mainly used in a switching mode in a range of 0-2k V, 0-60 A for low voltage-AC current.
摘要翻译：本发明的HP-FRD涉及使用MOS栅极的结构和制造方法。特别地，HP-FRD可以通过使用通过使用台面和侧壁的MOS栅极形成垂直沟道和水平沟道的结构来在低功率操作条件下提高功率效率。 HP-FRD通过在施加反向偏压时通过耗尽扩展空间电荷区域来有效地防止反向泄漏电流。也就是说，用于驱动MOS栅极的集成度增加，并且可以保持用于通过自对准的制造的稳定的性质。本发明的目的是提供一种HP-FRD，其主要用于低压交流电流的0-2kV，0-60A的开关模式。

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