专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR102296316B1 비휘발성 메모리 소자 및 이의 동작 방법 有权
公开(公告)号：KR102296316B1
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：KR1020200010030
申请日：2020-01-28
IPC分类号： H01L45/00 , G11C13/00 , H01L27/144
摘要： 비휘발성메모리소자는, 저항변화층(resistance switching layer), 저항변화층의상부또는하부에위치하는게이트(Gate), 저항변화층과게이트사이에형성된게이트산화물층(Gate Oxide Layer), 및저항변화층 상에형성되고, 서로이격되는소스(Source) 및드레인(Drain)을포함할수 있다. 저항변화층의저항값은, 저항변화층의상부를통해조사되는빛의조도(illumination) 에기초하여변화되고, 변화된저항값으로유지될수 있다.

2. 发明授权

KR101725561B1 포토 다이오드 및 포토 다이오드 어레이 有权
公开(公告)号：KR101725561B1
公开(公告)日：2017-04-10
申请号：KR1020117017765
申请日：2010-02-15
申请人： 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
发明人： 야마무라가즈히사 , 사카모토아키라 , 나가노데루마사 , 이시카와요시타카 , 가와이사토시
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/028 , H01L27/144 , H01L27/146 , H01L31/107 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02366 , H01L27/1446 , H01L27/1464 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/107 , H01L31/1804 , Y02E10/547
摘要： p형반도체기판(20)은서로대향하는제1 주면(20a) 및제2 주면(20b)을가지고, 광감응영역(21)을포함하고있다. 광감응영역(21)은 n형불순물영역(23)과, p형불순물영역(25)과, p형반도체기판(20)에있어서바이어스전압을인가했을때에공핍화하는영역으로이루어진다. p형반도체기판(20)의제2 주면(20b)에는불규칙한요철(10)이형성되어있다. p형반도체기판(20)의제2 주면(20b) 측에는어큐뮬레이션층(37)이형성되어있고, 어큐뮬레이션층(37)에있어서광 감응영역(21)에대향하고있는영역은광학적으로노출되어있다.

3. 发明公开

KR1020160060101A 결함 감소된 에피택셜 광 디바이스 제공 방법 및 결과 구조물 审中-实审
标题翻译：提供缺陷和结构结构减少的外来光电器件的方法
公开(公告)号：KR1020160060101A
公开(公告)日：2016-05-27
申请号：KR1020167010193
申请日：2014-10-16
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크
发明人： 미드,로이
IPC分类号： H01L27/144 , H01L27/146 , H01L21/64 , H01L31/18
CPC分类号： H01L27/1446 , G02B6/12004 , H01L21/64 , H01L27/14625 , H01L31/103 , H01L31/18 , H01L31/1804 , H01L31/1852 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 기판표면에형성되는트렌치분리구역위에서횡방향으로, 그리고, 기판표면위에서수직으로에피택셜-성장하는광 디바이스의형성방법및 결과적구조물이설명된다.
摘要翻译：描述了形成光子器件和所得结构的方法，其中光子器件在衬底表面上垂直地外延生长，并横向地形成在衬底表面中形成的沟槽隔离区域上。

4. 发明公开

KR1020140148449A 전계 효과형 트랜지스터 및 그 제조 방법, 표시 장치, 이미지 센서 그리고 X선 센서 有权
标题翻译：场效应晶体管及其制造方法，显示装置，图像传感器和X射线传感器
公开(公告)号：KR1020140148449A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：KR1020147029981
申请日：2013-04-10
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 오노마사시 , 다카타마사히로 , 다나카아츠시 , 스즈키마사유키
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L27/144 , H01L27/146 , H01L27/32
CPC分类号： H01L27/14658 , H01L21/02422 , H01L21/0254 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/78693 , H01L29/78696 , H01L2251/5338 , H01L29/7869
摘要： 전계 효과형 트랜지스터는, 산화물 반도체층과, 소스 전극과, 드레인 전극과, 게이트 절연막과, 게이트 전극을 갖는 전계 효과형 트랜지스터로서, 상기 산화물 반도체층은, In
(a) Sn
(b) Zn
(c) O
(d) (a ＞ 0, b ＞ 0, c ＞ 0, d ＞ 0, a ＋ b ＋ c = 1) 를 포함하는 제 1 영역과, 상기 제 1 영역보다 상기 게이트 전극으로부터 먼 측에 배치되어 있고, In
(e) Ga
(f) Zn
(g) O
(h) (e ＞ 0, f ＞ 0, g ＞ 0, h ＞ 0, e ＋ f ＋ g = 1) 를 포함하는 제 2 영역을 갖는다.

5. 发明公开

KR1020100097073A 후면 조명 이미지 센서를 위한 패드 설계 有权
标题翻译：背面照明图像传感器的PAD设计
公开(公告)号：KR1020100097073A
公开(公告)日：2010-09-02
申请号：KR1020100016861
申请日：2010-02-24
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 왕웬-드 , 영둔-니언 , 리우젠-쳉 , 장춘-체 , 린젱-시안
IPC分类号： H01L27/144
CPC分类号： H01L27/14636 , H01L23/481 , H01L27/14621 , H01L27/1464 , H01L27/14683
摘要： PURPOSE: A pad design for a back light image sensor is provided to minimize a wafer area which can be wasted due to a CSP(Chip Scale Package) process by providing an improved I/O terminal property. CONSTITUTION: A device substrate(250) has a pixel region and a circuit region. A pixel array(204) is formed within the pixel region. A control circuit(206) is formed within the circuit region. An interconnecting structure is formed on the pixel array and the control circuit. The interconnecting structure electrically interlinks the control circuit to the pixel array.
摘要翻译：目的：提供背光图像传感器的焊盘设计，以通过提供改进的I / O端子性能来最小化由于CSP（芯片级封装）工艺而浪费的晶圆面积。构成：器件衬底（250）具有像素区域和电路区域。像素阵列（204）形成在像素区域内。控制电路（206）形成在电路区域内。在像素阵列和控制电路上形成互连结构。互连结构将控制电路与像素阵列电连接。

6. 发明公开

KR1020070051782A 실리콘 광전자 증배관 및 상기 실리콘 광전자 증배관을위한 셀 有权
标题翻译：硅胶（变种）及其细胞
公开(公告)号：KR1020070051782A
公开(公告)日：2007-05-18
申请号：KR1020067025572
申请日：2005-05-05
申请人： 막스-플랑크-게젤샤프트 츄어 푀르더룽 데어 비쎈샤프텐 에.파우. , 돌고쉐인, 보리스 아나토리에비치
发明人： 돌고쉐인,보리스아나토리에비치 , 포포바,엘레나비크토롭나 , 클레민,세르게이니콜라에비치 , 필라토프,레오니드아마토리에비치 , 테시마,마사히로 , 미르조얀,라즈미크
IPC分类号： H01L27/144 , H01L27/146 , H01L31/06 , H01L31/107
CPC分类号： H01L31/107 , H01L27/144 , H01L27/14643 , H01L31/115
摘要： 본 발명은 반도체 소자 분야에 관한 것이며, 더 세부적으로는 스펙트럼의 가시 부분을 포함하는 광 발산 검출에 있어 높은 효율을 갖는 검출기에 관한 것이고, 본 발명은 원자력 및 레이저 기술에서 사용될 수 있고, 산업 및 의료 단층 촬영 등에서 사용될 수 있다.
실리콘 광전자 증배관에 의한 기술적 효과가 획득된다(실시예 1).
10
18 -10
20 ㎝
-3 의 도핑 에이전트 농도를 갖는 p++ 전도성 타입의 기판을 포함하고, 셀들로 구성된 실리콘 광전자 증배관(photoelectric multiplier)에 있어서, 상기 각각의 셀은, 공간적으로 변화하는 10
18 -10
14 ㎝
-3 의 도핑 에이전트 농도를 갖는 p 전도성 타입의 에피택시 층(상기 기판 위에서 성장하는 상기 에피택시 층)과, 10
15 -10
17 ㎝
-3 의 도핑 에이전트 농도를 갖는 p 전도성 타입 층과, 10
18 -10
20 ㎝
-3 의 도핑 에이전트 농도를 갖는 n+ 전도성 타입 층과, 전압 배분 버스와, 각각의 셀에서, 실리콘 옥사이드 층 위에 위치하는 폴리실리콘 저항(상기 n+ 전도성 타입의 층을 전압 배분 버스와 연결시키는 상기 폴리실리콘 저항)을 포함하며, 이때, 분리 요소가 상기 셀들 사이에 배치된다.
실리콘 광전자 증배관으로 인한 기술적 효과가 얻어진다(실시예 2).
n 전도성 타입의 기판과, 상기 기판 상에 공급되는 10
18 -10
20 ㎝
-3 의 도핑 에이 전트 농도를 갖는 p++ 전도성 타입의 층을 포함하는 실리콘 광전자 증배관(photoelectric multiplier)에 있어서, 상기 증배관은 셀들로 구성되어 있고, 각각의 셀은, 공간적으로 변화하는 10
18 -10
14 ㎝
-3 의 도핑 에이전트 농도를 갖는 p 전도성 타입의 에피택시 층(즉, 상기 p++ 전도성 타입 층 위에서 성장되는 상기 p 전도성 타입의 에피택시 층)과, 10
15 -10
17 ㎝
-3 의 도핑 에이전트 농도를 갖는 p 전도성 타입의 층과, 10
18 -10
20 ㎝
-3 의 도핑 에이전트 농도를 갖는 n+ 전도성 타입의 층과, 전압 배분 버스와, 상기 각각의 셀에서, 실리콘 옥사이드 층 위에 위치하는 폴리실리콘 저항(상기 n+ 전도성 타입의 층을 상기 전압 배분 버스에 연결시키는 상기 폴리실리콘 저항)을 포함하며, 이때, 분리 요소가 상기 셀들 사이에 배치된다.

7. 实用新型

KR2019990030235U 전하결합소자의 전하전송부 无效
标题翻译：电荷转移部分的电荷转移部分，
公开(公告)号：KR2019990030235U
公开(公告)日：1999-07-26
申请号：KR2019970042911
申请日：1997-12-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김항규
IPC分类号： H01L27/144
摘要： 전하전송효율을 개선할 수 있는 전하결합소자의 전하전송방식을 제공하기 위한 것으로, 이와 같은 목적을 달성하기 위한 전하결합소자의 전하전송부는 영상신호를 전기신호로 바꾸어서 출력하기 위하여 포토다이오드와 수직전하전송영역과 수평전하전송영역 및 센스앰프를 구비하여 구성된 전하결합소자에 있어서, 상기 포토다이오드와 수직전하전송영역을 통한 신호전하를 전송받는 상기 수평전하전송영역과, 상기 수평전하전송영역으로 전송된 신호전하를 수평전하전송 클럭신호를 인가하여 순차적으로 전달하기 위한 복수개의 전송게이트와, 상기 수평전하전송영역의 최종단으로 이동한 신호전하를 상기 수평전하전송 클럭신호가 인가되는 방향으로 전송되도록 하는 머지부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

8. 发明授权

KR100069630B1 반도체집적회로장치의 제조방법 失效
公开(公告)号：KR100069630B1
公开(公告)日：1994-01-10
申请号：KR1019900005076
申请日：1990-04-12
申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤
发明人： 사사키고로
IPC分类号： H01L27/144

9. 发明授权

KR100060974B1 반도체장치 失效
公开(公告)号：KR100060974B1
公开(公告)日：1993-03-30
申请号：KR1019890018306
申请日：1989-12-11
申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤
发明人： 시가노부오
IPC分类号： H03F3/08 , H04B10/60 , H01L27/144

10. 发明公开

KR880002279A 감광성 반도체 소자와 광전자 초점 에러 검출 시스템 및 광학 정보 기록 판독장치 失效
公开(公告)号：KR880002279A
公开(公告)日：1988-04-30
申请号：KR870006608
申请日：1987-06-29
IPC分类号： H01L31/09 , G01T1/24 , G11B7/09 , G11B7/13 , G11B7/135 , H01L27/144 , H01L31/02
摘要： 내용없음

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式