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    • 멀티칩 스택 반도체 패키지 및 이의 제조방법
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    • 본발명은전기적패턴이양면에각각형성된한 개이상의제1기판(110), 제1기판(110) 하면의금속층(111)에전기적으로접합되고, 한개 이상의전기적단자(121)가형성된한 개이상의제1반도체칩(120), 제1기판(110) 상면의금속층(113)에전기적으로접합되고, 한개 이상의전기적단자(131)가형성된한 개이상의제2반도체칩(130), 전기적패턴이형성되어, 제1반도체칩(120)의하면에전기적으로접합되는제2기판(140), 전기적패턴이형성되어, 제2반도체칩(130)의하면에전기적으로접합되는제3기판(150), 제1기판(110)과제1반도체칩(120)과제2반도체칩(130)을감싸서전기적으로절연하는봉지재(160), 및제1기판(110) 내지제3기판(150) 중어느한 개이상의기판으로전기적신호를전달하도록봉지재(160) 외부로노출되는한 개이상의터미널단자(170)를포함하고, 제1기판(110)을기준으로상하에각각스택되어접합된제1반도체칩(120)의상면과제2반도체칩(130)의상면사이의칩간거리(T)는 0.15mm 내지 2.0mm 범위이내이도록형성하여서, 두께를줄여박형화하면서반도체칩의집적률을높이고휨 현상및 폼팩터를최소화할수 있는, 멀티칩스택반도체패키지및 이의제조방법을개시한다.