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1. 发明授权

KR102476266B1 다중 통과 레이저 스크라이빙 프로세스 및 플라즈마 에칭 프로세스를 사용하는 하이브리드 웨이퍼 다이싱 접근법 有权
公开(公告)号：KR102476266B1
公开(公告)日：2022-12-08
申请号：KR1020207028876
申请日：2019-02-13
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/76 , B23K26/38 , H01L21/033
摘要： 반도체웨이퍼들을다이싱하는방법들이설명된다. 예에서, 집적회로들을상부에갖는반도체웨이퍼를다이싱하는방법은반도체웨이퍼위에마스크를형성하는단계를수반하며, 마스크는집적회로들을덮고보호하는층으로구성된다. 이어서, 마스크는, 집적회로들사이의반도체웨이퍼의구역들을노출시키는갭들을갖는패터닝된마스크를제공하기위해, 다중통과레이저스크라이빙프로세스로패터닝되며, 다중통과레이저스크라이빙프로세스는제1 에지스크라이빙경로를따르는제1 통과, 중앙스크라이빙경로를따르는제2 통과, 제2 에지스크라이빙경로를따르는제3 통과, 제2 에지스크라이빙경로를따르는제4 통과, 중앙스크라이빙경로를따르는제5 통과, 및제1 에지스크라이빙경로를따르는제6 통과를포함한다. 이어서, 반도체웨이퍼는, 집적회로들을싱귤레이팅하기위해, 패터닝된마스크내의갭들을통해플라즈마에칭된다.

2. 发明授权

KR102468635B1 레이저 가공 장치 有权
公开(公告)号：KR102468635B1
公开(公告)日：2022-11-17
申请号：KR1020160113320
申请日：2016-09-02
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/268 , H01L21/76 , H01L21/683 , H01L21/677 , H01L21/687
摘要： 레이저가공장치를적어도구성하는레이저광선의레이저발진기로서, 출력이큰 레이저발진기를채용한경우여도, 그능력을충분히살릴수 있는레이저가공장치를제공한다. 레이저가공장치로서, 피가공물을유지하는제 1 척테이블을 X 축, Y 축방향으로가공이송하는제 1 X 축이송수단, 제 1 Y 축이송수단과, 피가공물에레이저광선을집광하는제 1 집광기를포함하는제 1 레이저기구와, 피가공물을유지하는제 2 척테이블을 X 축방향, Y 축방향으로가공이송하는제 2 X 축이송수단과, 제 2 Y 축이송수단과, 피가공물에레이저광선을집광하는제 2 집광기를포함하는제 2 레이저기구와, 레이저발진기가발진한레이저광선을그 제 1 집광기와그 제 2 집광기로분기하는광학계와, 그제 1, 제 2 레이저기구에대해각각가공조건을설정하는제 1 조작패널, 제 2 조작패널을포함한다.

3. 发明授权

KR102468060B1 하이브리드 레이저 스크라이빙 및 플라즈마 식각 웨이퍼 싱귤레이션 프로세스를 위한 식각 마스크 有权
公开(公告)号：KR102468060B1
公开(公告)日：2022-11-17
申请号：KR1020187036242
申请日：2017-04-27
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/3065
摘要： 반도체웨이퍼들을다이싱하는방법들및 식각마스크들이설명된다. 예에서, 웨이퍼싱귤레이션프로세스를위한식각마스크는, 고체성분및 물기재의수용성매트릭스를포함한다. 식각마스크는또한, 수용성매트릭스전체에분산된복수의입자들을포함한다. 복수의입자들은대략 5 ― 100 나노미터범위의평균직경을갖는다. 고체성분의중량% 대복수의입자들의중량%의비율은대략 1:0.1 ― 1:4의범위에있다.

4. 发明授权

KR102466076B1 반송 장치 有权
公开(公告)号：KR102466076B1
公开(公告)日：2022-11-10
申请号：KR1020170000158
申请日：2017-01-02
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/02 , B65G49/06 , B65G47/91
摘要： 본발명은일련의웨이퍼의가공프로세스중에있어서작동하는웨이퍼등을반송하는반송장치에의해, 장치구성전체가대형화하는것을해소하는것을과제로한다. 웨이퍼(W)를유지하는웨이퍼유지수단(10)과, 링프레임(F)을유지하는링 프레임유지수단(11)을구비하고, 웨이퍼(W)와링 프레임(F)을선택하여반송할수 있게하는반송장치(1)로서, 웨이퍼유지수단(10)은, 웨이퍼(W)의면을흡인유지하는웨이퍼유지부(100)와, 웨이퍼유지부(100)를지지하는제1 아암(101)을구비하고, 링프레임유지수단(11)은, 링프레임(F)을상하로부터협지하는링 프레임협지부(110)와, 링프레임협지부(110)를지지하는제2 아암(111)을구비하며, 웨이퍼유지수단(10)과링 프레임유지수단(11) 중의어느하나를선택하는선택수단(12)을구비하는반송장치이다.

5. 发明授权

KR102457882B1 부채형 웨이퍼편의 가공 방법 有权
公开(公告)号：KR102457882B1
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：KR1020180058889
申请日：2018-05-24
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/67 , H01L21/683

6. 发明授权

KR102454030B1 웨이퍼의 생성 방법 有权
公开(公告)号：KR102454030B1
公开(公告)日：2022-10-12
申请号：KR1020160066447
申请日：2016-05-30
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/02 , H01L21/268

7. 发明授权

KR102451845B1 취성 재료 기판의 분단 방법 및 분단 장치 有权
公开(公告)号：KR102451845B1
公开(公告)日：2022-10-07
申请号：KR1020170159226
申请日：2017-11-27
IPC分类号： H01L21/78 , B28D5/00 , H01L21/76

8. 发明授权

KR102450309B1 웨이퍼의 가공 방법 有权
公开(公告)号：KR102450309B1
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：KR1020180054748
申请日：2018-05-14
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/67 , H01L21/683

9. 发明授权

KR102439405B1 드레서 툴 및 이 드레서 툴을 사용한 절삭 블레이드의 선단 형상 성형 방법 有权
公开(公告)号：KR102439405B1
公开(公告)日：2022-09-01
申请号：KR1020160086130
申请日：2016-07-07
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/683 , H01L21/76 , B24B53/12 , B24B3/36
摘要： 본발명은, 절삭블레이드의선단을용이하게원하는형상으로성형할수 있는드레서툴 및상기드레서툴을사용한절삭블레이드의선단형상성형방법을제공하는것을목적으로한다. 원하는형상의반전형상의홈이형성되어있는드레서툴을사용하여절삭블레이드의선단을원하는형상으로성형하는절삭블레이드의성형방법으로서, 상기드레서툴을척 테이블로흡인유지하는유지단계와, 상기절삭블레이드를고속회전시키면서상기척 테이블에유지된상기드레서툴의홈에절입시키고, 상기절삭블레이드와상기척 테이블에유지된상기드레서툴을상대적으로이동시킴으로써, 상기절삭블레이드의선단형상을원하는형상으로성형하는성형단계를포함한다.

10. 发明授权

KR102437901B1 웨이퍼의 가공 방법 有权
公开(公告)号：KR102437901B1
公开(公告)日：2022-08-29
申请号：KR1020160052128
申请日：2016-04-28
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/683 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/304 , H01L21/306
摘要： 본발명은, 웨이퍼의내부에분할예정라인을따라복수의개질층을적층하여형성하지않아도웨이퍼를개질층이형성된분할예정라인을따라확실하게분할할수 있는웨이퍼의가공방법을제공하는것을목적으로한다. 표면에복수의분할예정라인이격자형으로형성되어있고복수의분할예정라인에의해구획된복수의영역에디바이스가형성된웨이퍼를, 분할예정라인을따라개개의디바이스로분할하는웨이퍼의가공방법으로서, 웨이퍼의표면에점착테이프를접착시키는점착테이프접착공정과, 웨이퍼에대하여투과성을갖는파장의펄스레이저광선의집광점을웨이퍼의이면측으로부터내부에위치시켜분할예정라인을따라조사하고, 웨이퍼의내부에분할예정라인을따라개질층을형성하는개질층형성공정과, 개질층형성공정이실시된웨이퍼의표면에접착되어있는점착테이프를가열함으로써, 개질층으로부터웨이퍼의표면을향해크랙을신장시키는점착테이프가열공정과, 점착테이프가열공정이실시된웨이퍼에외력을부여하고, 웨이퍼를개질층및 표면을향해신장되는크랙이형성된분할예정라인을따라개개의디바이스로분할하는분할공정을포함한다.

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