专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR102481682B1 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 웨이퍼 有权
公开(公告)号：KR102481682B1
公开(公告)日：2022-12-28
申请号：KR1020180001478
申请日：2018-01-05
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/18 , H01L21/67
摘要： 반도체장치의제조수율을향상시킨다. 제품칩과패턴금지영역 PNR 사이에의사칩 SC2가형성된반도체웨이퍼 SW를준비한다. 그리고, 반도체웨이퍼 SW의에지부분 EGP를남기고, 그내측의반도체기판 SS의하면 Sb를연삭한후, 반도체웨이퍼 SW를링 형상으로절단하여, 에지부분 EGP를제거한다. 여기서, 의사칩 SC2에서는, 반도체기판 SS의상면 Sa 상에도전패턴 ME를덮는보호막 RF가형성되어있고, 보호막 RF의패턴금지영역 PNR에대향하는단부면이도전패턴 ME 상에위치한다. 또한, 평면에서보아, 에지부분 EGP의내주단은패턴금지영역 PNR에위치하고, 에지부분 EGP의내주단과의사칩 SC2 사이의패턴금지영역 PNR이링 형상으로절단된다.

2. 发明授权

KR102440471B1 표시 장치 및 이를 제조하는 방법 有权
公开(公告)号：KR102440471B1
公开(公告)日：2022-09-07
申请号：KR1020170092267
申请日：2017-07-20
IPC分类号： H01L27/32 , H01L21/18 , H01L51/52 , H01L51/56
摘要： 본발명의실시예에따른표시장치의제조방법은상부기판을형성하는단계, 하부기판을형성하는단계, 및상기상부기판및 하부기판을합착하는단계를포함하고, 상기상부기판을형성하는단계는, 제1 기판의제1 면상에차광층을패터닝하는단계, 상기차광층을패터닝한후에, 상기제1 면과대향하는상기제1 기판의제2 면상에직접배치되는컬러필터층을형성하는단계, 및상기컬러필터층을형성한후에, 상기제1 기판의상기제1 면에복수의변환필터들을포함하는광변환층을형성하는단계를포함하고, 상기복수의변환필터들각각은복수의변환입자들을포함하고, 상기컬러필터층은상기변환필터들각각으로부터출사된광을선택적으로투과한다.

3. 发明授权

KR102434123B1 접합 방법, 프로그램, 컴퓨터 기억 매체, 접합 장치 및 접합 시스템 有权
公开(公告)号：KR102434123B1
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：KR1020150164754
申请日：2015-11-24
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/67
摘要： 본발명의과제는기판의접합처리의상태를검사하여, 당해접합처리를적절히행하는것이다. 상부척의하면에보유지지된상부웨이퍼와하부척의상면에보유지지된하부웨이퍼를대향배치한다(공정 S11). 그후, 액추에이터부를하강시켜, 당해액추에이터부에의해상부웨이퍼의중심부와하부웨이퍼의중심부를가압하여접촉시킨다(공정 S12). 그후, 상부웨이퍼의중심부와하부웨이퍼의중심부가접촉한상태에서, 상부웨이퍼와하부웨이퍼사이의접합을중심부로부터외주부까지확산시킨다(공정 S13). 그후, 상부척에의한상부웨이퍼의외주부진공화를정지한다(공정 S14). 그후, 상부웨이퍼와하부웨이퍼가접합된다(공정 S15). 공정 S11 내지 S15에있어서, 제1 하부척 이동부의구동부의전류값을검출하여, 접합처리의상태를검사한다.

4. 发明授权

KR102377658B1 코디어라이트질 소결체, 그 제법 및 복합 기판 有权
公开(公告)号：KR102377658B1
公开(公告)日：2022-03-24
申请号：KR1020170033839
申请日：2017-03-17
IPC分类号： C04B35/195 , C04B35/645 , H01L21/18
摘要： 본발명의코디어라이트질소결체는, 코디어라이트를주성분으로하고, 질화규소또는탄화규소를포함하는것이다. 이코디어라이트질소결체는, 40∼400℃에서의열팽창계수가 2.4 ppm/℃미만이며, 개기공률이 0.5% 이하이고, 평균결정입경이 1 ㎛이하인것이바람직하다.

5. 发明授权

KR102378167B1 기판을 결합하기 위한 방법 및 장치 有权
公开(公告)号：KR102378167B1
公开(公告)日：2022-03-23
申请号：KR1020187024947
申请日：2016-03-22
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/67 , H01L21/683
摘要： 본발명은서로를향해배열된기판(4o, 4u)의접촉면(4k)들에서제1 기판(4o)을제2 기판(4u)과결합하기위한방법에관한것으로서, 상기방법은, 제1 기판(4o)을제1 고정장치(1, 1' 1'', 1''', 1IV, 1V, 1VI)의제1 고정표면(1s, 1s', 1s'', 1s''')에고정시키고제2 기판(4u)을제2 고정장치(1, 1' 1'', 1''', 1IV, 1V, 1VI)의제2 고정표면(1s, 1s', 1s'', 1s''')에고정시키는단계, 및접촉면(4k)에접촉하기전에접촉면(4k)들을구부리는단계를포함하되, 제1 기판(4o)의접촉면(4k)의곡률변화및/또는제2 기판(4u)의접촉면(4k)의곡률변화는결합동안에조절된다. 또한, 본발명은이에상응하는결합장치에관한것이다.

6. 发明授权

KR102374639B1 불순물 주입 장치 및 이를 이용한 N형 반도체 다이아몬드의 형성방법 有权
公开(公告)号：KR102374639B1
公开(公告)日：2022-03-16
申请号：KR1020160019715
申请日：2016-02-19
IPC分类号： H01L21/223 , H01L21/04 , H01L21/324 , H01L21/54 , H01L21/02 , H01L21/18 , H01L21/67
摘要： 불순물주입장치는그 내부에제공된고체물질을승화시켜소스가스를형성하는소스부, 상기소스부로부터이송된상기소스가스를해리하는가열부, 및상기해리된소스가스를대상막상으로분사하는토출부를포함한다. 상기토출부는제1 홀들을포함하는제1 분사유닛, 및제2 홀들을포함하고상기제1 분사유닛과중첩하도록제공되는제2 분사유닛을포함한다. 상기해리된소스가스는상기제1 홀들및 상기제2 홀들을통해상기대상막상으로분사되고, 상기제1 분사유닛이회전함에따라상기해리된소스가스의분사량이제어된다.

7. 发明公开

KR1020220027766A 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 审中-实审
公开(公告)号：KR1020220027766A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：KR1020210109642
申请日：2021-08-19
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687 , H01L21/683 , H01L21/18
摘要： 기판처리장치의스루풋을향상시키는기술을제공한다. 기판처리장치는, 접합장치와, 반송장치와, 제어장치를구비한다. 상기접합장치는, 제 1 기판과제 2 기판을접합하여, 중합기판을제작한다. 상기접합장치는, 제 1 유지부와, 제 2 유지부와, 이동기구를포함한다. 상기제 1 유지부는, 상기제 1 기판을상방으로부터유지한다. 상기제 2 유지부는, 상기제 2 기판을하방으로부터유지한다. 상기이동기구는, 상기제 1 유지부와상기제 2 유지부와의상대위치를기판전달위치와접합위치와의사이에서이동시킨다. 상기제어장치는, 상기반송장치가상기접합장치에대한기판반입반출위치로부터이동개시한후로서, 또한상기제 1 유지부와상기제 2 유지부와의상기상대위치가상기기판전달위치로돌아옴과동시에, 또는돌아오기전에, 상기반송장치를상기기판반입반출위치에도착시킨다.

8. 发明授权

KR102365284B1 기판 결합 방법 有权
公开(公告)号：KR102365284B1
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：KR1020217031633
申请日：2016-02-16
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/324 , H01L21/67
摘要： 본발명은기판(2, 2')의접촉표면(2o, 2o')에서제1 기판(2)을제2 기판(2')과결합하기위한방법에관한것으로서, 상기결합방법은: - 고정력(FH1)으로제1 기판(2)을제1 샘플홀더(1)의제1 샘플홀더표면(1o)에고정시키고, 고정력(FH2)으로제2 기판(2')을제2 샘플홀더(1')의제2 샘플홀더표면(1o')에고정시키는단계, - 접촉표면(2o, 2')을결합시작지점(20)에접촉시키고적어도제2 샘플홀더표면(1o, 1o')을가열온도(TH)로가열시키는단계, - 결합시작지점(20)으로부터기판(2, 2')의측면에지(2s, 2s')로전파되는결합파를따라제1 기판(2)을제2 기판(2')과결합시키는단계를포함하며, 가열온도(TH)는결합공정동안제2 샘플홀더표면(1o')에서감소되는것을특징으로한다.

9. 发明授权

KR102364246B1 가공 방법 有权
公开(公告)号：KR102364246B1
公开(公告)日：2022-02-16
申请号：KR1020180030785
申请日：2018-03-16
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/18
摘要： (과제) 성막된판상의피가공물을분할하는경우에, 절삭블레이드에로딩을발생시키지않으며, 또한, 레이저가공장치를이용하지않아도피가공물을가공할수 있도록한다. (해결수단) 피가공물 (W) 의표면 (W1a) 으로부터분단예정라인 (S) 을따라서홈 (M1) 을형성하는홈 형성스텝과, 홈형성스텝을실시한후에피가공물 (W) 의표면 (W1a) 에익스팬드시트 (T3) 를첩착하는익스팬드시트첩착스텝과, 익스팬드시트첩착스텝을실시한후, 익스팬드시트 (T3) 를확장하는확장스텝과, 확장스텝을실시한후, 피가공물 (W) 의막 (W2) 에분사물 (P) 을분사하는분사스텝을구비한가공방법이다.

10. 发明授权

KR102361311B1 접합웨이퍼의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102361311B1
公开(公告)日：2022-02-10
申请号：KR1020167024282
申请日：2015-02-12
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L27/12 , H01L21/02
摘要： 본발명은, 본드웨이퍼의표면으로부터수소이온등의가스이온을이온주입하여이온주입층을형성하고, 본드웨이퍼와베이스웨이퍼를접합한후, 이온주입층에서본드웨이퍼를박리시킴으로써, 베이스웨이퍼상에박막을갖는접합웨이퍼를제작하고, 접합웨이퍼에대하여, 수소가스함유분위기하에서 RTA처리를행하는접합웨이퍼의제조방법에있어서, RTA처리의최고온도로부터강온하여열처리로로부터접합웨이퍼를취출할때까지의동안, 열처리로내에서박막의표면에보호막을형성하고, 그후 보호막이형성된접합웨이퍼를열처리로로부터취출하여, 그후 보호막및 박막의에칭이가능한세정액을이용하여세정하는접합웨이퍼의제조방법이다. 이에따라, RTA처리와그 후의세정을행한후에도박막의막두께의면내균일성을양호하게유지할수 있는접합웨이퍼의제조방법이제공된다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式