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1. 发明授权

KR102483421B1 반도체 웨이퍼들의 주입을 위한 주입기, 장치, 및 그 방법 有权
公开(公告)号：KR102483421B1
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：KR1020187022750
申请日：2017-01-04
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/317 , H01L21/425 , H01L21/67 , H01J37/30 , H01J27/02
摘要： 반도체웨이퍼들의주입을위한주입기, 장치, 및그 방법이제공된다. 이온주입기는, 기판을홀딩하기위한정전클램프; 기판상에충돌하는전자들의플럭스(flux)를생성하는플라즈마플러드건(plasma flood gun); 및플라즈마플러드건에결합되며, 측정신호에응답하여플라즈마플러드건의동작을목표동작레벨로조정하기위한제어신호를생성하는컴포넌트를포함하는제어기를포함할수 있다. 목표동작레벨에서, 전자들의플럭스는전자들의안정화(stabilizing) 농도를포함할수 있으며, 전자들의안정화농도는정전클램프내의클램프전류편차를목표값으로감소시키며, 목표값은플라즈마플러드건이동작하지않을때의클램프전류편차의제 2 값보다더 작다.

2. 发明授权

KR102472439B1 웨이퍼로 이온 빔을 전달하기 위한 정전 필터 및 이온 주입 시스템 有权
公开(公告)号：KR102472439B1
公开(公告)日：2022-11-30
申请号：KR1020207026617
申请日：2019-01-22
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/317
摘要： 이온주입기내의입자들을감소시키기위한접근방식들이본원에서제공되며, 구체적으로, 웨이퍼로이온빔을전달하기위한정전필터및 이온주입시스템이제공된다. 정전필터는하우징및 하우징내의복수의전도성빔 광학부들을포함할수 있다. 전도성빔 광학부들은웨이퍼를향해지향되는이온빔-라인주위에배열되며, 하우징의입구개구에근접한입구개구전극들을포함할수 있다. 전도성빔 광학부들은, 입구개구전극들로부터이온빔-라인을따라하류측의에너지전극들및 에너지전극들로부터하류측의접지전극들을더 포함할수 있다. 에너지전극들은입구전극들및 접지전극들보다이온빔-라인으로부터더 멀리에위치되며, 그에따라서에너지전극들이웨이퍼로부터복귀하는백-스퍼터링재료의엔빌로프에의해충돌되는것으로부터물리적으로차단되게끔한다. 정전필터는전도성빔 광학부들의각각에전압및 전류를독립적으로전달하기위한전기시스템을더 포함할수 있다.

3. 发明授权

KR102470348B1 이온 소스에서 탄소 부착물을 최소화하기 위해 일차 도펀트 또는 퍼지 가스에 과산화수소를 보조 가스로 사용하는 인-시츄 클리닝 有权
公开(公告)号：KR102470348B1
公开(公告)日：2022-11-23
申请号：KR1020197007142
申请日：2017-09-27
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/08 , H01J37/317 , C23C14/48
摘要： 이온주입성능을개선하는이온소스조립체및 방법이제공된다. 상기이온소스조립체는상기이온소스챔버를포함하고, 소스가스공급기는상기이온소스챔버에분자탄소소스가스를제공한다. 여기소소는상기분자탄소소스가스를여기시켜탄소이온들과원자탄소를형성한다. 추출전극은상기이온소스챔버로부터탄소이온들을추출하여이온빔을형성한다. 과산화수소보조가스공급은상기이온소스챔버에과산화수소보조가스를제공한다. 상기과산화수소보조가스는분해되어원자탄소와반응하여상기이온소스챔버내부에서탄화수소를형성한다. 불활성가스가더 유입되고이온화되어상기과산화수소의분해로인해음극의산화를방해한다. 진공펌프는상기탄화수소를제거하고, 원자탄소의증착이감소되고이온소스챔버의수명이증가된다.

4. 发明授权

KR102463668B1 절연구조 有权
公开(公告)号：KR102463668B1
公开(公告)日：2022-11-07
申请号：KR1020180025114
申请日：2018-03-02
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317
摘要： 오염입자의퇴적에의한절연성능의저하를억제하는것이가능한절연구조를제공한다. 이온주입장치의진공영역내부에마련되는전극을다른부재로부터절연하여지지하는절연구조에있어서, 제1 절연부재(32)는, 전극을지지한다. 제2 절연부재(34)는, 제1 절연부재(32)에대한오염입자(18)의부착을줄이기위하여제1 절연부재(32)에끼워맞춤된다. 제2 절연부재(34)는, 제1 절연부재(32)보다경도가낮은재료로형성된다. 제2 절연부재(34)의외표면의비커스경도는, 5GPa 이하이다. 제2 절연부재(34)의굽힘강도는 100MPa 이하이다. 제2 절연부재(34)는, 질화붕소와다공질세라믹과수지중 적어도하나를포함하는재료로형성된다.

5. 发明授权

KR102463934B1 다양한 직경의 진공 웨이퍼 핸들링 有权
公开(公告)号：KR102463934B1
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：KR1020197010915
申请日：2017-09-19
IPC分类号： H01J37/18 , H01J37/20 , H01J37/317
摘要： 정전척 및그리핑시스템은상이한지름을갖는워크피스를클램핑및 처리하도록형성된다. 이온주입장치는제1워크피스의직경이제2워크피스보다큰 프로세스챔버에서제1워크피스과제2워크피스에이온을선택적으로제공한다. 로드락 챔버는프로세스환경을외부환경으로부터격리시키고, 프로세스챔버와외부환경사이에서제1또는제2워크피스를이송하는동안각각의제1또는제2워크피스에대한워크피스지지대를구비한다. 진공로봇은척과워크피스지지대사이에서제1또는제2워크피스를이송하고, 복수의계단형 가이드사이에서제1또는제2워크피스를선택적으로그립하도록형성된그리퍼메커니즘을갖는다.

6. 发明授权

KR102454242B1 하전 입자 멀티-빔릿 리소그래피 시스템을 사용하여 고유 칩들을 제조하기 위한 방법 및 시스템 有权
公开(公告)号：KR102454242B1
公开(公告)日：2022-10-17
申请号：KR1020197009872
申请日：2017-09-08
IPC分类号： H01L21/027 , G06F30/00 , H01L21/311 , H01L21/768 , H01L23/544 , H01L23/00 , H01J37/302 , H01J37/317

7. 发明授权

KR102438708B1 만곡된 포스트 스캔 전극 有权
公开(公告)号：KR102438708B1
公开(公告)日：2022-08-31
申请号：KR1020197013534
申请日：2017-08-28
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/317
摘要： 이온빔을제공하기위한이온빔 생성기, 이온빔을수신하고스캔된빔을제공하기위한스캐닝시스템, 및스캔된빔을수신하기위한전극을포함하는이온주입기시스템장치및 이온주입방법이제공된다. 전극의적어도일 부분은스캔된빔의전파방향에수직이다. 스캔빔의전파방향에수직인전극의일 부분은만곡된형상을가질수 있다. 부채꼴빔 포락선전파방향에수직인형상(예를들어, 만곡된형상)을갖는포스트스캔전극을사용함으로써, 스캔원점에비한외견상스캔원점의굴절시프트가유익하게는회피될수 있다. 만곡된또는아크형상을갖는포스트스캔전극의사용은, 통상적인스캐닝시스템들에서사용되는것들에비하여, 스캔플레이트들및 포스트스캔전극상에서상당히더 높은전압들의사용을가능하게한다.

8. 发明授权

KR102436194B1 멀티 하전 입자 빔 평가 방법 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 有权
公开(公告)号：KR102436194B1
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：KR1020200110765
申请日：2020-09-01
IPC分类号： H01J37/304 , H01J37/22 , H01J37/317
摘要： 본발명은멀티하전입자빔 평가방법및 멀티하전입자빔 묘화장치에관한것이다. 본발명의일 양태에의한멀티하전입자빔 평가방법은, 멀티하전입자빔을사용하여, 기판에, 선폭의설계값을소정의변화량으로변화시킨복수의평가패턴을, 소정의피치로묘화하는공정과, 묘화한복수의평가패턴의선폭을측정하는공정과, 복수의평가패턴의선폭측정결과와설계값의차분의분포의특정주기에서의변동을추출하는공정을구비한다. 상기소정의변화량은, 데이터분해능이상으로멀티하전입자빔의하나의빔당조사단위영역이되는화소의사이즈보다작다.

9. 发明授权

KR102429370B1 가변 에너지 제어를 갖는 이온 주입 시스템 및 방법 有权
公开(公告)号：KR102429370B1
公开(公告)日：2022-08-04
申请号：KR1020167022021
申请日：2015-03-06
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/302
摘要： 워크피스를가로질러이온들을변하는에너지들로주입하기위한이온주입시스템및 방법이제공된다. 상기시스템은도펀트가스를복수의이온들로이온화시켜이온빔을형성하도록구성된이온소스를포함한다. 질량분석기는이온소스의하류측에배치되고, 이온빔을질량분석하도록구성된다. 감속/가속스테이지는질량분석기의하류측에배치된다. 에너지필터는감속/가속스테이지의일부를형성할수 있거나, 감속/가속스테이지의하류측에배치될수 있다. 이온빔이또한제공되기전에워크피스를배치하기위해그와연관된워크피스지지체를구비하는종료스테이션이제공된다. 스캐닝장치는이온빔 및워크피스지지체중 하나이상을서로에대해스캐닝하도록구성된다. 하나이상의전원들은이온소스, 질량분석기, 감속/가속스테이지및 에너지필터중 하나이상에작동가능하게결합된다. 제어기는이온빔 및/또는워크피스지지체의스캐닝과동시에감속/가속스테이지및 에너지필터중 하나이상에각각공급되는하나이상의전압들을선택적으로변화시키도록구성되며, 하나이상의전압들의선택적인변화는상기워크피스지지체에대한이온빔의위치에적어도부분적으로기초한다.

10. 发明授权

KR102410977B1 하전 입자 빔 묘화 방법 및 하전 입자 빔 묘화 장치 有权
公开(公告)号：KR102410977B1
公开(公告)日：2022-06-20
申请号：KR1020200016739
申请日：2020-02-12
IPC分类号： H01J37/302 , H01J37/317 , H01J37/304
摘要： 실시형태는, 하전입자빔 묘화방법및 하전입자빔 묘화장치에관한것이다. 실시형태에따른하전입자빔 묘화방법은, 기판을이동시키면서하전입자빔을조사하여, 상기기판의묘화영역을폭(W)으로분할한복수의스트라이프마다차례대로패턴을묘화한다. 이방법으로는, 스트라이프마다, 설정된스트라이프이탈량으로상기스트라이프의폭 방향으로상기스트라이프의기준점을이탈시킴과동시에, 상기기판의이동방향을전환하면서, 다중도(2n(n는 1 이상의정수))로상기복수의스트라이프를묘화하는처리를 1 회의스트로크로하고, 상기스트로크의묘화처리를 S 회(S는 2 이상의정수) 행하고, 상기스트로크마다, 설정된스트로크이탈량으로상기스트라이프의폭 방향으로상기스트로크에있어서의상기스트라이프의기준점을이탈시켜묘화한다.

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