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    • 2. 发明授权
    • 디티에노프탈이미드 반도체 중합체
    • KR101928125B1
    • 2018-12-11
    • KR1020147002679
    • 2012-07-04
    • 바스프 에스이
    • 노구치,히로요시되츠,플로리안미스라,아쇽,쿠마르바이드야나탄,수브라마니안민-티엔,마이
    • C08G61/12C08L65/00C09K11/00H01B1/00H01L51/00
    • 본 발명은 하기 화학식 I의 중합체에 관한 것이다:


      (상기 식에서,
      M
      1 은 하기 화학식 II를 갖는 임의로 치환된 디티에노프탈이미드이며

      , 여기서
      X는 N 또는 CR이며, R은 H 또는 C
      1 -C
      40 알킬 기이고;
      R
      1 은 각각의 경우에서 H, C
      1
      -40 알킬 기, C
      2
      -40 알케닐 기, C
      1
      -40 할로알킬 기 및 모노시클릭 또는 폴리시클릭 모이어티로부터 독립적으로 선택되며,
      각각의 C
      1
      -40 알킬 기, C
      2
      -40 알케닐 기 및 C
      1
      -40 할로알킬 기는 할로겐, CN, -NO
      2 , OH, NH
      2 , -NH(C
      1
      -20 알킬), N(C
      1
      -20 알킬)
      2 , -S(O)
      2 OH, -CHO, -C(O)-C
      1
      -20 알킬, -C(O)OH, -C(O)-OC
      1
      -20 알킬, -C(O)NH
      2 , -C(O)NH-C
      1
      -20 알킬, -C(O)N(C
      1-20 알킬)
      2 , -OC
      1-20 알킬, -SiH
      3 , -SiH(C
      1
      -20 알킬)
      2 , -SiH
      2 (C
      1
      -20 알킬) 및 -Si(C
      1
      -20 알킬)
      3 으로부터 독립적으로 선택된 1-10개의 치환기로 임의로 치환될 수 있고,
      모노시클릭 또는 폴리시클릭 모이어티는 임의의 링커를 통하여 이미드 질소에 공유 결합될 수 있으며, 할로겐, 옥소, -CN, -NO
      2 , OH, =C(CN)
      2 , -NH
      2 , -NH(C
      1
      -20 알킬), N(C
      1
      -20 알킬)
      2 , -S(O)
      2 OH, -CHO, -C(O)OH, -C(O)-C
      1
      -20 알킬, -C(O)-OC
      1
      -20 알킬, -C(O)NH
      2 , -C(O)NH-C
      1
      -20 알킬, -C(O)N(C
      1-20 알킬)
      2 , -SiH
      3 , -SiH(C
      1
      -20 알킬)
      2 , -SiH
      2 (C
      1-20 알킬), -Si(C
      1
      -20 알킬)
      3 , -OC
      1
      -20 알킬, -OC
      1
      -20 알케닐, -OC
      1
      -20 할로알킬, C
      1
      -20 알킬, C
      1
      -20 알케닐, C
      1
      -20 할로알킬, C
      7
      -20 아릴알킬, C
      6
      -20 아릴옥시 및 C
      7
      -20 아릴카르보닐로부터 독립적으로 선택된 1-5개의 치환기로 임의로 치환될 수 있고;
      M
      2 는 하나의 시클릭 모이어티를 포함하는 반복 단위이고;
      n은 2 내지 5,000의 정수임).