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1. 发明授权

KR101692451B1 메모리 반도체 장치 및 그 동작 방법 有权
标题翻译：存储器半导体器件及其操作方法
公开(公告)号：KR101692451B1
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：KR1020100048194
申请日：2010-05-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조병규 , 이창현 , 허성회
IPC分类号： G11C16/00 , G06F12/04
CPC分类号： G11C16/3427 , G11C16/0483 , G11C16/26
摘要： 읽기단계또는프로그램검증단계에서, 서로다른읽기전압들이선택된워드라인의양측에배치되는한 쌍의워드라인들에인가된다. 이러한전압인가방법들에따르면, 프로그램산포의증가가억제될수 있다.
摘要翻译：在半导体存储器件的读取步骤或程序（写入）验证步骤中，彼此不同的读取电压被施加到分别设置在所选字线的两侧上的一对字线，以抑制程序分配的扩大。

2. 发明授权

KR101652826B1 반도체 소자 및 그 구동 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其驱动方法
公开(公告)号：KR101652826B1
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：KR1020100001878
申请日：2010-01-08
申请人： 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 오정훈 , 유경창 , 박병국 , 오경석 , 백인규
IPC分类号： G11C16/00 , G11C16/30 , G11C11/21
CPC分类号： G11C13/0002 , G11C13/0023 , G11C2213/71 , H01L27/101 , H01L27/102 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要： 본발명은저항성메모리재료막을이용한반도체소자및 그구동방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른반도체소자는, 기판상에적어도하나의메모리셀들을포함하는반도체소자이며, 상기적어도하나의메모리셀들은, 인가되는전압에따라각각저저항상태또는고저항상태로가역적으로스위칭되며, 서로직렬연결된단극가변저항및 양극가변저항을포함한다.

3. 发明公开

KR1020160008923A 누설 전류 감지 장치 및 이를 포함하는 비휘발성 메모리 장치 审中-实审
标题翻译：泄漏电流检测装置和非易失性存储器件，包括它们
公开(公告)号：KR1020160008923A
公开(公告)日：2016-01-25
申请号：KR1020140089350
申请日：2014-07-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전병길 , 김두곤
IPC分类号： G01R31/02 , G11C16/00
CPC分类号： G01R31/025 , G11C11/1673 , G11C13/00 , G11C29/023 , G11C29/025 , G11C29/026 , G11C29/50008 , G11C2029/5006
摘要： 누설전류감지장치는테스트검출부, 기준검출부, 비교부및 래치부를포함한다. 테스트검출부는비휘발성메모리장치의메모리셀 어레이에연결되는구동라인들중의하나에상응하는테스트라인및 테스트노드사이에연결되고, 테스트노드에전원전압을인가하여테스트라인을충전한후 테스트노드및 테스트라인을플로팅시키고, 테스트라인의누설전류에기초하여테스트노드의전압을강하시킨다. 기준검출부는구동라인들중에서테스트라인과동일한타입의구동신호를전달하는기준라인및 기준노드사이에연결되고, 기준노드에전원전압을인가하여기준라인을충전한후 기준노드및 기준라인을플로팅시키고, 기준라인의자연방전에기초하여기준노드의전압을강하시킨다. 비교부는테스트노드의전압및 기준노드의전압을비교하여비교신호를출력한다. 래치부는래치제어신호에응답하여비교신호를래치하여테스트결과신호를생성한다.
摘要翻译：泄漏电流检测装置包括测试检测部分，标准检测部分，比较部分和闩锁部分。测试检测部分连接在与非易失性存储器件的存储单元阵列连接的操作线中的一个对应的测试节点和测试线之间，通过施加功率来在测试线上充电之后浮动测试线和测试节点电压到测试节点，并且基于测试线的泄漏电流降低测试节点的电压。标准检测部分连接在标准节点和标准线之间，传送与操作线中的测试线相同类型的操作信号，在标准线和标准节点充满标准线之后，通过应用电源电压到标准节点，并且基于标准线的自然放电而降低标准节点的电压。比较部分将测试节点的电压与标准节点的电压进行比较，以输出比较信号。锁存部分响应于锁存控制信号而锁存比较信号以产生测试结果信号。

4. 发明授权

KR101548675B1 가변저항 메모리 및 그것을 포함하는 메모리 시스템 有权
标题翻译：可变电阻记忆和记忆系统，包括它们
公开(公告)号：KR101548675B1
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：KR1020090073908
申请日：2009-08-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 설광수 , 박윤동 , 김덕기
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247 , G11C16/00
CPC分类号： G11C13/003 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0026 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2445 , H01L27/2463 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/146
摘要： 본발명은가변저항메모리에관한것이다. 본발명의가변저항메모리어레이는적어도하나의가변저항메모리셀들을포함한다. 각각의가변저항메모리셀은제 1 타입의웰, 그리고웰 상의셀 구조물을포함한다. 셀구조물은셀 구조물은제 1 타입과상이한제 2 타입의구조물, 그리고구조물상의가변저항막을포함한다.

5. 发明授权

KR101543434B1 반도체 메모리 시스템의 제조 방법 有权
标题翻译：半导体存储器系统的制造方法
公开(公告)号：KR101543434B1
公开(公告)日：2015-08-10
申请号：KR1020080127440
申请日：2008-12-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장준호 , 정운재 , 안흥준
IPC分类号： G11C16/00 , G11C13/02
CPC分类号： G06F9/4401 , H01L27/115
摘要： 본발명은반도체메모리시스템에관한것으로, 더욱상세하게는반도체메모리시스템의제조방법에관한것이다. 본발명에따른반도체메모리시스템의제조방법은제 1 불휘발성메모리에시스템코드를저장하는단계; 상기제 1 불휘발성메모리와제 2 불휘발성메모리를조립하는단계; 및상기제 1 불휘발성메모리에저장된상기시스템코드를상기제 2 불휘발성메모리에복제하는단계를포함하고, 상기제 1 불휘발성메모리가데이터를유지할수 있는온도는상기제 2 불휘발성메모리가데이터를유지할수 있는온도보다높은것을특징으로한다. 본발명에따른반도체메모리시스템에있어서, 반도체메모리시스템의조립후에가변저항메모리장치에데이터가저장된다. 본발명에의하면, 반도체메모리시스템의신뢰성이향상된다.

6. 发明授权

KR101521997B1 멀티 레벨 시그널링을 사용하는 메모리 카드 및 그것을포함하는 메모리 시스템 有权
标题翻译：使用多级信号和存储系统的存储卡
公开(公告)号：KR101521997B1
公开(公告)日：2015-05-22
申请号：KR1020080057973
申请日：2008-06-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 허석원 , 강민수 , 이창덕 , 신숭만
IPC分类号： G06K19/07 , G06F12/00 , G11C16/00
CPC分类号： G11C16/10 , G11C7/16 , G11C11/5628
摘要： 본발명의메모리카드는, 플래시메모리와, 상기플래시메모리에기입될기입데이터신호를출력하는메모리인터페이스, 그리고상기기입데이터신호를기입전압신호로변환해서상기플래시메모리로제공하는멀티레벨변환기를포함하며, 상기기입전압신호는상기기입데이터신호의복수의비트들의값에따라서서로다른전압레벨을갖는다. 메모리컨트롤러와플래시메모리간의멀티레벨시그널링에의해서데이터전송속도가향상된다.

7. 发明授权

KR101498873B1 디램 및 비휘발성 메모리 특성을 갖는 메모리 소자의 구동방법 有权
标题翻译：用于操作具有DRAM和非易失性存储器的字符的存储器件的方法
公开(公告)号：KR101498873B1
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：KR1020080066261
申请日：2008-07-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 배동일
IPC分类号： G11C11/40 , G11C16/00
CPC分类号： G11C11/404 , G11C11/005 , G11C14/0018 , G11C16/0475 , G11C2211/4016
摘要： 디램 및 비휘발성 메모리 특성을 갖는 메모리 소자의 동작 방법으로, 기판 내에 배치된 플로팅 바디, 상기 플로팅 바디에 절연되게 배치되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극의 양측의 기판 내에 배치되는 소오스 및 드레인, 및 상기 플로팅 바디와 상기 게이트 전극 사이에 개재되는 전하 저장막을 구비하는 메모리 셀에서, 상기 전하 저장막에 제1 비트의 데이터를 기록한다. 다음에, 상기 플로팅 바디에 제2 비트의 데이터를 기록하는 단계를 포함한다. 따라서, 하나의 셀에 2 비트 이상의 데이터를 기록할 수 있다.

8. 发明授权

KR101488459B1 플래시 메모리로부터 판독된 비트 시퀀스의 2진수 분포 특징을 참조함으로써, 플래시 메모리에 저장된 데이터를 판독하기 위한 방법 및 메모리 컨트롤러 有权
标题翻译：用于读取存储在闪存中的数据的方法和存储器控制器通过引用从闪存存储器读取的位数的二进制数字分配特性
公开(公告)号：KR101488459B1
公开(公告)日：2015-01-30
申请号：KR1020137017766
申请日：2011-08-10
申请人： 실리콘 모션 인코포레이티드
发明人： 양충-치에
IPC分类号： G11C16/26 , G11C16/00
CPC分类号： G11C16/26 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F11/1068 , G06F11/1072 , G11C11/5642 , G11C16/0475 , G11C16/0483 , G11C16/3427 , G11C29/52 , G11C2211/5644 , G11C2211/5648 , H03M13/152
摘要： 플래시 메모리에 저장된 데이터를 판독하기 위한 예시적인 방법은, 플래시 메모리에 포함된 복수의 메모리 셀 각각에 복수의 판독 동작을 수행하기 위해 플래시 메모리를 제어하는 단계, 판독 동작이 상이한 제어 게이트 전압 설정을 이용하여 비트 시퀀스들 중의 하나로서 메모리 셀들 각각으로부터 소정의 비트 순서의 비트를 판독하는 경우에 있어서 메모리 셀들로부터 판독되는 복수의 비트 시퀀스를 획득하는 단계, 및 비트 시퀀스들의 2진수 분포 특징에 따라 메모리 셀들의 판독 정보를 결정하는 단계를 포함한다.

9. 发明授权

KR101480424B1 하이브리드 플래시 메모리의 성능과 수명 최적화 장치 및 방법 有权
标题翻译：用于改进混合闪存存储器件性能和增强寿命的优化装置和方法
公开(公告)号：KR101480424B1
公开(公告)日：2015-01-13
申请号：KR1020130023977
申请日：2013-03-06
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 오용석 , 최종무 , 이동희 , 노삼혁
IPC分类号： G06F12/00 , G11C16/00
摘要： 본 발명은 하이브리드 SSD에서 성능과 수명을 최적화하는 방법에 관한 것이다. 하이브리드 SSD는 SLC, MLC, TLC 플래시 메모리를 포함하는 다양한 조합으로 구성될 수 있다. 본 발명에서는 성능 최적화를 위해 수명 모델을 정의한다. 그리고 이 수명 모델에서 최적의 해를 찾아 전체 플래시 메모리의 수명을 최대로 하는 Hot과 Cold 데이터를 할당 기법도 제시한다. 한편, 본 발명에서는 수명 모델 이외에도 쓰기 비용 모델을 정의하며, 쓰기 비용 모델에서 최적의 해를 찾아 Hot과 Cold 데이터를 각 플래시 메모리에 할당하는 기법도 제시한다. 또한 전체 플래시 메모리의 수명과 성능의 가중치에 따라 그 둘 사이에 적절한 절충이 가능한 관리 기법도 제시한다.

10. 发明授权

KR101469097B1 플래시 메모리 장치 및 상기 플래시 메모리 장치의 레이아웃 방법 有权
标题翻译：闪存设备的闪存设备和布局方法
公开(公告)号：KR101469097B1
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：KR1020080118807
申请日：2008-11-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 곽판석
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247 , G11C16/00
CPC分类号： G11C16/14 , G11C16/10
摘要： 본발명의실시예에따른플래시메모리장치는, 복수개의페이지버퍼고전압트랜지스터들을구비한다. 상기페이지버퍼고전압트랜지스터각각은, 게이트패턴; 소거동작시플로팅되는제1패턴; 및소거동작시소거전압이인가되는제2패턴을구비한다. 제1페이지버퍼고전압트랜지스터가구비하는제1패턴은, 상기제1페이지버퍼고전압트랜지스터의제1방향으로이웃하여배치되는제2페이지버퍼고전압트랜지스터가구비하는제1패턴에, 이웃하여평행하게배치된다. 제2페이지버퍼고전압트랜지스터가구비하는제2패턴은, 상기제2페이지버퍼고전압트랜지스터의제1방향으로이웃하여배치되는제3페이지버퍼고전압트랜지스터가구비하는제2패턴에, 이웃하여평행하게배치된다.

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