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1. 发明授权

KR102468870B1 리프레쉬 타임 검출회로 및 이를 포함하는 반도체 장치 有权
公开(公告)号：KR102468870B1
公开(公告)日：2022-11-21
申请号：KR1020160136448
申请日：2016-10-20
IPC分类号： G11C29/08 , G11C29/00 , G11C11/406
摘要： 본발명은리프레쉬타임검출회로및 이를포함하는반도체장치에관한것으로서, 스트레스온도조건에대응하여리프레쉬특성을테스트하기위한기술이다. 이러한본 발명은리프레쉬타임을검출하기위한코드신호를생성하는코드생성부, 패일신호에따라코드신호를래치하여래치신호를생성하고, 프리인에이블신호와포스트인에이블신호에대응하여래치신호를각각래치하여프리코드신호와포스트코드신호를생성하는래치부, 프리코드신호와포스트코드신호를감산하여리프레쉬검출신호를출력하는감산기및 포스트인에이블신호의활성화시리프레쉬검출신호를오프셋신호와비교하여검출신호를생성하는비교기를포함한다.

2. 发明授权

KR102468251B1 반도체 메모리 장치 및 그의 동작 방법 有权
公开(公告)号：KR102468251B1
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：KR1020160080146
申请日：2016-06-27
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/408
摘要： 본발명의실시예에따른반도체메모리장치는, 내부에위크셀 정보를프로그램하고, 초기화동작시 저장된위크셀 정보를출력하는위크셀 저장부; 상기초기화동작시 상기위크셀 저장부로부터전달되는상기위크셀 정보를저장하는제 1 셀영역을포함하는셀 어레이영역; 리프레쉬동작시 리프레쉬신호를카운팅하여리프레쉬어드레스를생성하되, 상기제 1 셀영역으로부터출력되는상기위크셀 정보에대응되는위크셀 어드레스를소정주기로상기리프레쉬어드레스로출력하는리프레쉬어드레스생성부; 및상기리프레쉬어드레스에해당하는워드라인을활성화시켜리프레쉬동작을수행하는리프레쉬회로를포함할수 있다.

3. 发明授权

KR102467747B1 행 해머링을 이용한 DRAM의 성능 분석 방법 및 오류 검출 방법 有权
公开(公告)号：KR102467747B1
公开(公告)日：2022-11-16
申请号：KR1020210061473
申请日：2021-05-12
IPC分类号： G11C29/50 , G11C11/406
摘要： 행해머링을이용한 DRAM의성능분석방법은 DRAM 내제1 셀(Cell)의워드라인을미리설정된 tRAS 시간동안활성화시키고, 미리설정된 tRP 시간동안프리차지시키는행 해머링을수행하는단계, 제1 셀에인접한제2 셀에데이터오류가발생하였는지판단하는단계, 제2 셀에데이터오류가발생하였다고판단되는경우, 행해머링수행횟수에대응하는해머링임계값을산출하고, 해머링임계값의기울기를산출하는단계, 산출된해머링임계값의기울기가미리설정된기울기이상인지판단하는단계및 해머링임계값의기울기가미리설정된기울기이상으로산출되는구간에서의포화 tRP 시간을산출하는단계를포함함.

4. 发明授权

KR102464304B1 반도체 장치 有权
公开(公告)号：KR102464304B1
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：KR1020160058856
申请日：2016-05-13
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/408 , G11C29/24 , G11C29/00 , G11C29/12 , G11C29/18
摘要： 본발명은반도체장치에관한것으로, 리프레쉬동작시오동작을방지할수 있도록하는기술이다. 이러한본 발명은리프레쉬신호를카운팅하여복수의리프레쉬어드레스를출력하는리프레쉬카운터, 리프레쉬동작시복수의리프레쉬어드레스중 어느하나의특정리프레쉬어드레스의로직레벨에따른체크신호를생성하고, 리던던시체크펄스신호에대응하여체크신호를출력하는체크신호생성부, 체크신호와리던던시체크펄스신호및 복수의리프레쉬어드레스에대응하여리던던시셀의사용유무에대한정보를저장하고, 리던던시셀의사용유무에따라워드라인제어신호를출력하는리던던시체크부및 워드라인제어신호에대응하여셀 어레이의워드라인과리던던시워드라인을선택적으로인에이블시키기위한로오어드레스를제어하는리프레쉬제어부를포함한다.

5. 发明授权

KR102463482B1 메모리 디바이스를 위한 행 해머 보호 有权
公开(公告)号：KR102463482B1
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：KR1020217009695
申请日：2019-08-22
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/4093 , G06F3/06
摘要： 메모리디바이스를위한행 해머보호를위한방법, 시스템및 디바이스가설명된다. 메모리디바이스는메모리어레이에대한관련된행 액세스(예를들어, 액세스는동일한행 어드레스또는행 어드레스공간에대해명령하거나또는활성화시킴)의문턱값을식별할수 있다. 제1 작동모드에서, 메모리디바이스는메모리어레이의호스트디바이스로부터수신된명령을실행할수 있다. 메모리디바이스는수신된행 액세스명령의메트릭이관련된행 액세스의문턱값을충족시킨다고결정할수 있다. 메모리디바이스는문턱값을충족시키는것에기초하여메모리어레이를제1 작동모드로부터제2 작동모드로전환할수 있다. 제2 작동모드는메모리의적어도하나의행에대해액세스를제한할수 있고, 반면에제1 모드는덜 제한적일수 있다. 부가적으로또는대안적으로, 메모리디바이스는메트릭이문턱값을충족시킨다는것을호스트디바이스에통지할수 있다.

6. 发明授权

KR102443555B1 반도체 메모리 장치 有权
公开(公告)号：KR102443555B1
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：KR1020180044036
申请日：2018-04-16
IPC分类号： G11C11/4093 , G11C11/406

7. 发明授权

KR102443275B1 메모리 장치 및 메모리 장치의 오토-리프레시 제어방법 有权
公开(公告)号：KR102443275B1
公开(公告)日：2022-09-15
申请号：KR1020180041153
申请日：2018-04-09
IPC分类号： G11C11/406
摘要： 메모리장치는, 내부온도변화에따라변동되는셀프-리프레시주기의셀프-리프레시동작을제어하는셀프-리프레시제어부를갖는메모리미디어와, 셀프-리프레시제어부로부터셀프-리프레시신호를입력받고, 입력된상기셀프-리프레시신호에대응하여내부온도변화가반영된오토-리프레시주기의오토-리프레시동작을수행하는메모리컨트롤러를포함한다.

8. 发明授权

KR102411186B1 반도체장치 有权
公开(公告)号：KR102411186B1
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：KR1020180041458
申请日：2018-04-10
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/4076
摘要： 반도체장치는내부동작이수행되는경우온도코드를래치하여래치코드들을생성하는래치코드생성회로; 및상기래치코드들이동일한경우제어온도코드를업데이트하기위한구간종료신호를생성하는구간종료신호생성회로를포함한다.

9. 发明授权

KR102405241B1 베이스 칩 및 이를 포함하는 반도체 패키지 有权
公开(公告)号：KR102405241B1
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：KR1020150181523
申请日：2015-12-18
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/408 , H01L27/108
摘要： 베이스칩은직렬로연결된제1 내지제N지연부(N은 N≥2인자연수)를포함하고, 적층된칩의개수가제1개인경우상기제1 내지제N지연부중 제1 내지제X(X는 N>X≥1인자연수)지연부를이용해리프레시신호를각각다른지연값으로지연시킨제1 내지제X지연리프레시신호를생성하고, 적층된칩의개수가상기제1개보다많은제2개인경우상기제1 내지제N지연부중 제1 내지제Y(Y는 N≥Y>X인자연수)지연부를이용해상기리프레시신호를각각다른지연값으로지연시킨제1 내지제Y지연리프레시신호를생성할수 있다.

10. 发明授权

KR102403341B1 메모리 및 이를 포함하는 시스템 有权
公开(公告)号：KR102403341B1
公开(公告)日：2022-06-02
申请号：KR1020160032320
申请日：2016-03-17
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/408 , G11C11/4091 , G11C7/10 , G11C7/22
摘要： 본발명은메모리및 이를포함하는시스템에관한것으로, 로오해머링(Row hammering) 현상을제거할수 있도록하는기술이다. 이러한본 발명은워드라인에연결된다수의단위셀을구비하여워드라인의액티브횟수를저장하는액티브셀 어레이, 스트로브신호에대응하여액티브셀 어레이에저장된데이터를리드하는리드제어부, 라이트인에이블신호에대응하여액티브셀 어레이에라이트데이터를저장하는라이트제어부및 스트로브신호와라이트인에이블신호를생성하며, 리드제어부의출력데이터가기 설정된값에해당하는경우해당워드라인의인접워드라인을리프레쉬하기위한로오해머플래그신호를활성화시키는액티브제어부를포함한다.

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