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1. 发明公开

KR1020220088302A 1T’ 상 텅스텐 디셀레나이드 합성 방법 审中-实审
公开(公告)号：KR1020220088302A
公开(公告)日：2022-06-27
申请号：KR1020210157892
申请日：2021-11-16
IPC分类号： C30B11/00 , C30B11/04 , C30B29/46 , C01B19/00
摘要： 본발명은 1T' 상텅스텐디셀레나이드합성방법에관한것으로, 본발명의일 측면은, 테트라에틸암모늄테트라셀레노텅스테이트((NEt4)2WSe4)를 N,N'-디메틸프로필렌우레아(DMPU)에용해하여전구체용액을제조하는단계; 둥근플라스크내부에기판을삽입하고, 질소분위기를형성시키는단계; 상기전구체용액을상기둥근플라스크에주사한후, 가열하여반응시키는단계; 및상기반응이완료된기판을상기둥근플라스크에서꺼내어세척하는단계;를포함하는, 1T’상 텅스텐디셀레나이드합성방법을제공한다.

2. 发明公开

KR1020220029443A 일차원 나노 사슬 구조체 및 이의 제조 방법 审中-实审
公开(公告)号：KR1020220029443A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：KR1020210112461
申请日：2021-08-25
IPC分类号： C30B29/46 , C30B29/60 , C30B33/00 , C30B25/00 , H01L21/02 , B82Y40/00
摘要： 본원은최소반복단위구조의단결정구조를포함하고, 상기최소반복단위구조는화학식 1 로서표시되는, 일차원나노사슬구조체에대한것이다.

3. 发明公开

KR1020220029442A 이차원 나노 구조체 및 이의 제조 방법 审中-实审
公开(公告)号：KR1020220029442A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：KR1020210112434
申请日：2021-08-25
IPC分类号： C30B29/46 , C30B29/60 , C30B33/00
摘要： 본원은하기구조식 1 을포함하는일차원나노사슬구조체가배열되어형성된것으로서, 상기일차원나노사슬구조체들은유사공유결합에의해이차원형상으로배열된것인, 이차원나노구조체에대한것이다: [구조식 1] M4P2X21 (구조식 1 중, M 은 Nb 또는 Ta 이고, X 는 S 또는 Se 임).

4. 发明授权

KR102285774B1 IPA세척기를 활용한 ZnSe 소재 제조 및 세척 방법 有权
公开(公告)号：KR102285774B1
公开(公告)日：2021-08-04
申请号：KR1020190155411
申请日：2019-11-28
IPC分类号： C22B1/00 , C22B1/18 , B24B27/00 , C30B29/46
摘要： 본발명은, IPA세척기를활용한 ZnSe 소재제조및 세척방법을개시한다. 본발명의일 측면에의하면, 셀렌화아연(Zinc Selenide)을포함하는스크랩(scrap)이수집되는단계; 및상기수집된스크랩의표면이브러쉬(brush)에의해기 설정된수준만큼연마되는단계를포함하되, 상기스크랩은렌즈를화학기상증착(CVD) 공정으로제조한후 남은부분인것을특징으로하고, 상기연마되는스크랩의표면은상기화학기상증착공정에의해발생하는이물질을포함하는것을특징으로하는, 셀렌화아연스크랩전처리방법을제공한다. 본발명의일 측면에의하면, 셀렌화아연(Zinc Selenide)을포함하는스크랩이수집되는단계, 상기스크랩은렌즈를화학기상증착(CVD) 공정으로제조한후 남은부분임; 상기수집된스크랩의표면이브러쉬(brush)에의해기 설정된수준만큼연마되는단계, 상기연마되는스크랩의표면은상기화학기상증착공정에의해발생하는이물질을포함함; 상기연마된스크랩이밀폐형챔버내에장입되는단계; 상기연마된스크랩이상기밀폐형챔버내에구비된히터에의해가열되어용융되는단계; 상기용융된스크랩이실린더에의해성형되는단계; 및성형된스크랩이잉곳(Ingot)으로냉각되는단계를포함하는, 셀렌화아연스크랩을이용한잉곳제조방법을제공한다. 본발명의다른일 측면에의하면, 밀폐형챔버; 셀렌화아연(Zinc Selenide) 스크랩(scrap)을성형하는몰드; 상기몰드를둘러싸는도가니; 상기몰드의상부와결합되어상기셀렌화아연스크랩을성형하는실린더; 상기도가니에열을가하여상기셀렌화아연스크랩을용융시키는히터; 및상기몰드의온도를센싱하는온도센싱부를포함하되, 상기셀렌화아연스크랩은렌즈를화학기상증착(CVD) 공정으로제조한후 남은부분이고, 상기스크랩의표면은브러쉬(brush)에의해기 설정된수준만큼연마된상태인것을특징으로하는, 셀렌화아연스크랩을이용한잉곳제조장치를제공한다.

5. 发明公开

KR20210003382A 일차원 나노 사슬 구조체 및 이의 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20210003382A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：KR20190079092
申请日：2019-07-02
IPC分类号： C30B29/46 , C30B11/00 , C30B29/60 , C30B33/00
摘要： 하기화학식 1 로서표시되는, 일차원나노사슬구조체에관한것이다: [화학식 1] MS4; (상기화학식 1 에서, M 은 V, Nb, Ta 및이들의조합들로이루어진군으로부터선택된전이금속을포함하는것임).

6. 发明授权

KR101993365B1 전이금속 칼코젠 화합물의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101993365B1
公开(公告)日：2019-06-26
申请号：KR1020170151580
申请日：2017-11-14
申请人： 울산과학기술원
发明人： 권순용 , 곽진성 , 조용수 , 송승욱 , 이종훈 , 이종화
IPC分类号： C30B29/46 , C30B25/18 , C30B25/22

7. 发明授权

KR101264187B1 나노와이어 제조 방법 有权
标题翻译：制造纳米微粒的方法
公开(公告)号：KR101264187B1
公开(公告)日：2013-05-14
申请号：KR1020100086371
申请日：2010-09-03
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 이홍림 , 김병근
IPC分类号： B82B3/00 , C01B19/00 , C23C14/34 , C30B29/46
摘要： 본발명에따라서, 나노와이어제조방법이제공된다. 상기방법은 (a) 기판을제공하는단계와, (b) 촉매물질을사용하지않으면서, 상기기판상에스퍼터링에의해, Te을함유하는 3원조성물의박막을증착하는단계와, (c) 상기박막이형성된기판을산화분위기하의반응로내부에서어닐링열처리하여, Te을상분리시켜와이어형태로상기박막으로부터성장시키는단계를포함하는것을특징으로한다. 본발명에따르면, 촉매를사용하지않고도나노와이어를성장시킬수 있고, 또반응로내부의분위기를제어하여, 원하는물질의나노와이어를선택적으로성장시킬수가있다.

8. 发明授权

KR102434399B1 플라즈마를 이용한 전이금속 디칼코게나이드-그래핀 이종접합 복합체 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102434399B1
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：KR1020200063984
申请日：2020-05-28
IPC分类号： C30B25/10 , C30B25/16 , C30B25/18 , C30B29/10 , C30B29/46 , C01B32/194 , C01B32/186 , C01G39/06
摘要： 본원은연성기판상에그래핀을전사하는단계, 상기그래핀이전사된연성기판상에전이금속층을증착하는단계및 상기전이금속층이증착된연성기판상에플라즈마처리된황(S)을포함하는기체를주입하는단계를포함하는전이금속디칼코게나이드-그래핀이종접합복합체제조방법에관한것이다.

9. 发明授权

KR102431081B1 PbTe-AgSbTe2계 화합물의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102431081B1
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：KR1020190170379
申请日：2019-12-19
IPC分类号： C01G28/00 , C01G21/00 , C01B19/00 , C30B11/00 , C30B29/46
摘要： 본발명은, PbTe가매트릭스(matrix)를이루고, AgSbTe2 나노구조체가 PbTe 매트릭스(matrix)에분산되어있는구조를이루고있는 PbTe-AgSbTe2계화합물및 그제조방법에관한것이다. 본발명에의하면, AgSbTe2 나노구조체가 PbTe 매트릭스(matrix)에분산되어있는구조를이루고있고 1.33 W/mK보다낮은열전도도를갖는다.

10. 发明公开

KR20210014353A 박막의 결정성장거동을 조절하는 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20210014353A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：KR20190092295
申请日：2019-07-30
IPC分类号： C30B28/02 , C30B25/02 , C30B29/46
摘要： 박막의결정성장거동을조절하는방법에관한것으로, 일실시예에따른박막의결정성장거동조절방법은기판상에결정질시드층을형성하는단계와, 상기결정질시드층상에비결정질시드층을형성하는단계및 상기결정질시드층및 상기비결정질시드층이순차적으로적층된상기기판을진공상태에서열처리하여, 결정의성장거동이조절된박막을형성하는단계를포함할수 있다.

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