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1. 发明授权

KR102481924B1 확산 장벽 층 및 내침식성 층을 갖는 다층 코팅 有权
公开(公告)号：KR102481924B1
公开(公告)日：2022-12-26
申请号：KR1020187004122
申请日：2017-07-14
IPC分类号： C23C28/04 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/56 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/58
摘要： 물품의표면을위한다층코팅은확산장벽층 및내침식성층을포함한다. 확산장벽층은 TiNx, TaNx, Zr3N4, 및 TiZrxNy을포함하는(그러나이에제한되지않음) 질화물필름일수 있다. 내침식성층은 YF3, Y2O3, Er2O3, Al2O3, ZrO2, ErAlxOy, YOxFy, YAlxOy, YZrxOy 및 YZrxAlyOz를포함하는(그러나이에제한되지않음) 희소산화물필름일수 있다. 확산장벽층 및내침식성층은 ALD, PVD, 및 CVD를포함하는(그러나이에제한되지않음) 박막증착기법을사용하여물품표면상에증착될수 있다.

2. 发明授权

KR102443926B1 다층구조 도금강판 및 그 제조방법, 이를 이용한 용접 구조체 有权
公开(公告)号：KR102443926B1
公开(公告)日：2022-09-19
申请号：KR1020200165594
申请日：2020-12-01
IPC分类号： C23C28/00 , C23C16/06 , C23C14/08 , C23C14/10 , B23K11/11

3. 发明授权

KR102439997B1 산화물 반도체에서 상부 전극 제조 장치 및 방법 有权
公开(公告)号：KR102439997B1
公开(公告)日：2022-09-05
申请号：KR1020200141231
申请日：2020-10-28
IPC分类号： H01L45/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , C23C14/04
摘要： 본발명은산화물층제조장치에관한것으로서, 기판, 상기기판상에형성되는절연층, 상기절연층상에형성되는산화물층및 상기산화물층상에형성되는상부전극을포함하여이루어지는산화물반도체에서산화물층제조장치에있어서, 챔버내에주입하기위한불활성가스를저장하고있는가스저장부, 상기챔버내에절연층이형성된기판을고정시키기위한홀더, 상기챔버내에상기기판과이격된거리에위치하여산화물로구성된타겟을고정시키기위한건(gun), 상기챔버를진공상태로만들기위한진공펌프및 상기챔버내에불활성가스가주입된진공상태에서플라즈마를발생시켜서, 글로우방전을통해상기타겟을구성하는물질이떨어져나와상기절연층상에산화물박막을형성하도록, 상기건에 RF 파워를인가하기위한 RF 파워제너레이터를포함한다. 본발명에의하면산화물층에 IGZO(Indium-Gallium-Zinc oxide)를사용한산화물반도체를제작함으로써, 전기적특성을향상시킬수 있는효과가있다.

4. 发明授权

KR102439996B1 산화물 반도체에서 산화물층 제조 장치 및 방법 有权
公开(公告)号：KR102439996B1
公开(公告)日：2022-09-05
申请号：KR1020200141230
申请日：2020-10-28
IPC分类号： H01L45/00 , C23C14/08 , C23C14/50
摘要： 본발명은산화물층제조장치에관한것으로서, 기판, 상기기판상에형성되는절연층, 상기절연층상에형성되는산화물층및 상기산화물층상에형성되는상부전극을포함하여이루어지는산화물반도체에서산화물층제조장치에있어서, 챔버내에주입하기위한불활성가스를저장하고있는가스저장부, 상기챔버내에절연층이형성된기판을고정시키기위한홀더, 상기챔버내에상기기판과이격된거리에위치하여산화물로구성된타겟을고정시키기위한건(gun), 상기챔버를진공상태로만들기위한진공펌프및 상기챔버내에불활성가스가주입된진공상태에서플라즈마를발생시켜서, 글로우방전을통해상기타겟을구성하는물질이떨어져나와상기절연층상에산화물박막을형성하도록, 상기건에 RF 파워를인가하기위한 RF 파워제너레이터를포함한다. 본발명에의하면산화물층에 IGZO(Indium-Gallium-Zinc oxide)를사용한산화물반도체를제작함으로써, 전기적특성을향상시킬수 있는효과가있다.

5. 发明授权

KR102430694B1 적층체 기판, 적층체 기판 제조방법, 도전성 기판 및 도전성 기판 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102430694B1
公开(公告)日：2022-08-08
申请号：KR1020187009122
申请日：2016-10-12
IPC分类号： C23C28/00 , C23C14/08 , C23C14/14 , C23C14/34 , G06F3/041 , H01B5/14 , H01B1/02 , H01B13/00
摘要： 투명기재와, 상기투명기재의적어도한쪽면측에형성된적층체를포함하고, 상기적층체는, 산소와구리와니켈을함유하는흑화층과, 구리층을포함하고, 상기흑화층의막두께는 15㎚이상이며, 상기흑화층이함유하는산소원자와니켈원자의물질량비인 O/Ni가이하의식(1)을만족하는적층체기판을제공한다. 0.1≤O/Ni≤0.8 … (1)

6. 发明授权

KR102427106B1 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크, 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102427106B1
公开(公告)日：2022-08-01
申请号：KR1020207013285
申请日：2018-11-20
IPC分类号： G03F1/32 , G03F7/20 , C23C14/08
摘要： ArF 노광광에대하여소정의투과율로투과하는기능과소정의위상차를발생시키는기능을겸비하고, 열팽창에수반되는패턴의위치어긋남을억제할수 있는위상시프트막을구비하는마스크블랭크를제공한다. 위상시프트막은, ArF 엑시머레이저의노광광을 15% 이상의투과율로투과시키는기능과, 150도이상 200도이하의위상차를발생시키는기능을갖고, 비금속원소와규소를함유하는재료로형성되고, 제1 층은, 투광성기판의표면에접하여마련되고, 제1 층, 제2 층및 제3 층의노광광의파장에있어서의굴절률을각각 n1, n2, n3으로하였을때, n1 n3의관계를만족시키고, 제1 층, 제2 층및 제3 층의노광광의파장에있어서의소쇠계수를각각 k1, k2, k3으로하였을때, k1>k2>k3의관계를만족시킨다.

7. 发明公开

KR1020220102566A IGZO 스퍼터링 타깃 审中-实审
公开(公告)号：KR1020220102566A
公开(公告)日：2022-07-20
申请号：KR1020220001309
申请日：2022-01-05
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/08

8. 发明授权

KR102413744B1 투명 도전성 필름 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102413744B1
公开(公告)日：2022-06-27
申请号：KR1020227014834
申请日：2015-04-28
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/02 , C23C14/34 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23C14/56 , H01B5/14 , G06F3/041
摘要： 투명도전층의저저항특성을실현시키는투명도전성필름을제공한다. 본발명은, 고분자필름기재와, 상기고분자필름기재의적어도일방면측에아르곤을함유하는스퍼터가스를사용하는스퍼터링법에의해형성된투명도전층을구비하는투명도전성필름으로서, 상기투명도전층내의아르곤원자의존재원자량이 0.24 atomic% 이하이고, 상기투명도전층내의수소원자의존재원자량이 13×1020 atoms/㎤이하이고, 상기투명도전층의비저항이 1.1×10-4 Ω·cm 이상 2.8×10-4 Ω·cm 이하이다.

9. 发明授权

KR102401708B1 산화물 소결체 및 그의 제조 방법, 스퍼터 타겟, 그리고 반도체 디바이스의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102401708B1
公开(公告)日：2022-05-26
申请号：KR1020197023376
申请日：2017-09-28
IPC分类号： C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L29/786 , C04B35/626
摘要： In, W 및 Zn을함유하며, 빅스바이트형결정상을포함하는제1 결정상과, X선회절에있어서의 2θ의 34.74를넘고 34.97 deg 미만인위치에제1 회절피크를갖는제2 결정상을포함하고, 겉보기밀도가 6.4를넘고 7.5 g/㎤이하이고, In, W 및 Zn의합계에대한 W의함유율이 0.01을넘고 5.0 원자% 이하이고, Zn의함유율이 1.2 이상 50 원자% 미만이고, W에대한 Zn의원자비가 1.0을넘고 20000 미만인산화물소결체및 그제조방법, 이것을이용하여형성되는산화물반도체막(14)을포함하는반도체디바이스(10)의제조방법이제공된다.

10. 发明公开

KR1020220056786A 산화층을 포함하는 코팅된 절삭 공구 审中-实审
公开(公告)号：KR1020220056786A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：KR1020210104844
申请日：2021-08-09
IPC分类号： C23C28/04 , C23C16/40 , C23C14/08 , C23C16/455 , C23C14/35 , C23C14/34
摘要： 본발명이해결하고자하는과제는내산화성이향상되어절삭공구의수명을향상시키는것이다. 본발명은모재; 상기모재에코팅된질화층; 및상기질화층위에코팅된산화층;을포함하는코팅된절삭공구이다.

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