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1. 发明公开

KR1020070068126A 나노크기 이하의 기공을 가지는 카본나이트라이드나노튜브, 이의 제조방법 및 카본나이트라이드 나노튜브의기공 크기와 양을 조절하는 방법 有权
标题翻译：碳纳米管与其纳米尺寸的孔，其制备方法及其尺寸和数量的控制方法
公开(公告)号：KR1020070068126A
公开(公告)日：2007-06-29
申请号：KR1020050129888
申请日：2005-12-26
申请人： 한국과학기술원
发明人： 강정구 , 이재영 , 김현석 , 양성호 , 한규성 , 김세윤 , 이정우 , 신원호
IPC分类号： B82B3/00 , C01B31/02 , C01B21/00 , B82Y40/00
CPC分类号： B82B3/0009 , B82B3/0066 , B82Y40/00 , C01B21/00 , C01B32/162 , C01B2202/08
摘要： Carbon nitride C1-xNx nano-tube having pores of less than 1nm is provided to have size and quantity controlled pores over entire portion of structure of the nano-tube by reacting hydrogen carbide gas and nitrogen gas in the presence of metal catalyst through plasma chemical vapor deposition. The carbon nitride nano-tube is represented by C1-xNx wherein x ranges from 0.001 to 0.2 and has pores with diameter of 5 to 10 angstroms. The nano-tube is prepared by reacting 10-90% of hydrogen carbide gas with 10-90% of nitrogen gas in the presence of metal catalyst through plasma chemical vapor deposition. The metal catalyst is any one selected from a group consisting of cobalt, iron, nickel and metal compounds containing any one thereof. The hydrogen carbide gas has 1 to 10 of carbon atoms.
摘要翻译：提供了具有小于1nm的孔的碳氮化物C1-xNx纳米管，以通过在金属催化剂存在下通过等离子体化学化学反应使碳氢化合物气体和氮气在纳米管结构的整个部分上具有尺寸和数量的控制孔气相沉积。氮化碳纳米管由C1-xNx表示，其中x为0.001至0.2，具有直径为5至10埃的孔。通过等离子体化学气相沉积在金属催化剂存在下，使10-90％的碳化氢气体与10-90％的氮气反应制备纳米管。金属催化剂是选自钴，铁，镍和含有其中任何一种的金属化合物中的任何一种。碳化氢气体具有1-10个碳原子。

2. 发明公开

KR1020050072959A 질화실리콘막을 형성을 위한 질소화합물 및 이를 이용한질화실리콘 막의 형성방법 有权
标题翻译：用于形成氮化硅膜的氮化合物及其使用的氮化硅膜的形成方法
公开(公告)号：KR1020050072959A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：KR1020040001117
申请日：2004-01-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김진균 , 안재영 , 김희석 , 임주완
IPC分类号： C01B21/00
CPC分类号： H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/45553 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/3185
摘要： The present invention provides nitrogenous compositions for forming a silicon nitride layer, wherein the nitrogenous composition comprises a hydrazine compound, an amine compound or a mixture thereof. The present invention further provides source compositions for forming a silicon nitride layer, wherein the source composition comprises a nitrogenous composition comprising a hydrazine compound, an amine compound or a mixture thereof, and a silicon source comprising hexachlorodisilane. Methods for forming silicon nitride layers are further provided. The silicon nitride layers provided herein may be formed on a substrate at a low temperature and may further exhibit improved breakdown voltage and an enhanced etch resistance.

3. 发明公开

KR1019950703488A 오염 제어 방법 및 조성물 无效
公开(公告)号：KR1019950703488A
公开(公告)日：1995-09-20
申请号：KR1019950701416
申请日：1993-10-13
申请人： 날코 퓨얼 테크
发明人： 다니엘브이.디에프 , 엠.린다린
IPC分类号： C01B21/00
摘要： 본 발명은 근본적으로는 기체상중에 선택적인 비촉매 환원 반응(SNCR)에 의한 NOx 환원 분야에 있어서, 거대-규모의 연소에 의해 야기되는 환경 훼손을 줄이는 개선된 방법 및 개선된 조성물에 관한 것이다. 한가지 측면에 있어서, 상기 방법은 오염물-환원제에 대한 표면활성제의 비율이 1:4000 이상이고, 평균 소적크기를 최소한 10% 감소시키기에 효과적인 양으로 오염물-환원제 및 표면할성제를 포함한 수성액(10, 20, 30)을 제조하여, 노즐(60)을 거친 용액을 연소실(50)중에 최소한 하나의 영역(1, 2, 3)중의 기체 스트림으로 도입시키는 것으로 이루어진 기체 스트림 중에 오염물 농도를 감소시키기 위한 공지된 수단, 조성물 및 방법의 신뢰성을 개선시킨다. 바람직한 표면활성제는 약 8 내지 약 20의 HLB 수준을 가지며, 바람직하게는 C
11 -C
15 2차 알코올 에록실레이트, C
12 -C
15 선형 1차 알코올 에톡실레이트, 알킬화 디페닐옥사이드 디술폰산염 및 노닐 페놀 에록실화 에탄올과 같은 음이온 또는 비이온성 시약이다.

4. 发明公开

KR1019940005916A 질소 산화물 및 폐수 방출이 감소된 보일러 운전 방법 无效
标题翻译：减少氮氧化物和废水排放的锅炉运行
公开(公告)号：KR1019940005916A
公开(公告)日：1994-03-22
申请号：KR1019930014001
申请日：1993-07-23
申请人： 날코 퓨얼 테크
发明人： 레오나드더빈 , 빈센트엠.알바니즈 , 로이에이.존슨
IPC分类号： C01B21/00 , F22D1/12
摘要： 본 발명은 폐수를 이용하여 제조한 NOx 환원 수용액을 사용함으로써 NOx 및 폐수를 생성하는 산업 공장에서 발생되는 오염 물질을 감소시키는 방법을 제공한다.폐수 중의 전체 경도는 2500ppm이하로, 실리케이트는 200ppm이하로, 칼슘 및 마그네슘의 비는 2:1을 초과하도록 유지되는 것이 바람직하다. NOx 환원제 수용액은 유효량의 경도 억제 조성물을 함유하는 것이 바람직하다.

5. 发明公开

KR840000914A 질산 공장내에서의 백금 회수 방법 失效
公开(公告)号：KR840000914A
公开(公告)日：1984-03-26
申请号：KR820003610
申请日：1982-08-12
IPC分类号： B01J15/00 , C01B20060101 , C01B21/00 , C01B21/26 , C01G55/00 , C22B20060101 , C22B7/00 , C22B11/00 , C22B11/02 , C22B11/12
摘要： 내용없음

6. 发明授权

KR100008402B1 배기개스 세정방법 失效
标题翻译：废气清洁方法
公开(公告)号：KR100008402B1
公开(公告)日：1980-07-18
申请号：KR1019760001197
申请日：1976-05-14
申请人： 후지가스이고오교오가부시키가이샤 , 스미도모긴조구고오교오가부시기가이샤
发明人： 센조오데이조오 , 고바야시마끼오
IPC分类号： C01B21/00 , B01D53/56

7. 发明授权

KR102100098B1 질소가스 가온가습 장치 셋팅방법 有权
公开(公告)号：KR102100098B1
公开(公告)日：2020-05-27
申请号：KR1020190150415
申请日：2019-11-21
申请人： 황병대
发明人： 황병대
IPC分类号： C01B21/00 , B01J19/14

8. 发明授权

KR101324280B1 냉동식품 선도복원장치 有权
标题翻译：恢复冷冻食品的新鲜食物的设备
公开(公告)号：KR101324280B1
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：KR1020130088688
申请日：2013-07-26
申请人： 다케나카 신타로 , 이연구 , 김익현
发明人： 다케나카신타로 , 이연구 , 김익현
IPC分类号： A23B4/07 , A23B4/16 , C01B21/00
CPC分类号： A23B4/07 , A23B4/16 , C01B21/00
摘要： PURPOSE: A device for recovering frozen food is provided to unfreeze frozen food in a short time, and to recover the taste and freshness of the frozen food. CONSTITUTION: A device for recovering frozen food comprises: a recovering tub (1) provided with a space inside; a nitrogen gas supplying unit (3) providing nitrogen gas by liquid nitrogen; a nigrogen gas spraying tube (5) installed in the recovering tub, and spraying the nitrogen gas to the recovering tub by being connected to the nitrogen gas supplying unit; and a frozen food container (7) accepted in the recovering tub, and accommodating the unfreezing target.
摘要翻译：目的：提供一种用于回收冷冻食品的设备，以在短时间内解冻冷冻食品，并恢复冷冻食品的味道和新鲜度。构成：用于回收冷冻食品的装置包括：在内部设置有空间的回收桶（1）; 通过液氮提供氮气的氮气供给单元（3）安装在回收桶中的氮气喷射管（5），通过与氮气供给单元连接而将氮气喷射到回收桶中; 以及容纳在解除桶中的冷冻食品容器（7），并容纳解冻目标物。

9. 发明公开

KR1020070003891A 질화알루미늄 분말 및 질화알루미늄 소결체 有权
标题翻译：氮化铝粉和硝酸铝烧结紧密
公开(公告)号：KR1020070003891A
公开(公告)日：2007-01-05
申请号：KR1020067017654
申请日：2005-03-29
申请人： 덴카 주식회사
发明人： 고토다케시 , 무라타히로시 , 이치카와고키
IPC分类号： C01B21/072 , C01B21/00 , C04B35/626 , C04B35/581
CPC分类号： C01B21/0722 , C01P2004/51 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/80 , C04B35/581 , H05K1/0306
摘要： An aluminum nitride powder, characterized in that it has local maximum values in size in respective regions of 3 to 15 mum, 0.5 to 1.5 mum, 0.3 mum or less, and the proportions of particles contained in respective regions are, in vol %, 40 to 70 %, 25 to 40 %, and 0.5 to 20 %, and it has an oxygen amount of 0.5 to 1.5 mass %; and an aluminum nitride sintered product, characterized in that it comprises a sintered compact from a mixture containing the above aluminum nitride powder and a sintering aid, and has a thermal conductivity of 190 W/mÀK or more, and a shrinkage percentage represented by the percentage of (a size of a formed product before sintering - a size of a sintered compact after sintering)/(a size of a formed product before sintering) is 15 % or less. The above aluminum nitride powder and aluminum nitride sintered product allow the production of an aluminum nitride sintered product which exhibits an enhanced thermal conductivity and a reduced shrinkage percentage, in combination. ® KIPO & WIPO 2007
摘要翻译：一种氮化铝粉末，其特征在于，在3〜15μm的各个区域，0.5〜1.5μm，0.3μm以下的区域中，其面积的局部最大值，各区域中所含的粒子的比例以体积％计，40 至70％，25〜40％，以及0.5〜20％，氧量为0.5〜1.5质量％。和氮化铝烧结体，其特征在于，其包含来自含有上述氮化铝粉末和烧结助剂的混合物的烧结体，并且具有190W / m〜K以上的导热率和以百分比表示的收缩率（烧结前的成形体的大小，烧结后的烧结体的尺寸）/（烧结前的成形体的尺寸）为15％以下。上述氮化铝粉末和氮化铝烧结体可组合地形成显示出增强的导热性和降低的收缩率的氮化铝烧结体。 ®KIPO＆WIPO 2007

10. 发明授权

KR100560654B1 질화실리콘막을 형성을 위한 질소화합물 및 이를 이용한질화실리콘 막의 형성방법 有权
标题翻译：用于形成氮化硅膜的氮化合物及其使用的氮化硅膜的形成方法
公开(公告)号：KR100560654B1
公开(公告)日：2006-03-16
申请号：KR1020040001117
申请日：2004-01-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김진균 , 안재영 , 김희석 , 임주완
IPC分类号： C01B21/00
CPC分类号： H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/45553 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/3185
摘要： 저온 질화실리콘막의 형성과정에서 질소 소스로 사용되어 우수한 막 특성을 구현할 수 있는 질소화합물과 실리콘 화합물과 이를 이용한 질화실리콘막의 형성방법이 개시되어 있다. 상기 질소화합물은 희드라진계 화합물, 아민계 화합물, 또는 이들의 혼합물을 사용하고, 상기 실리콘화합물로는 헥사클로로디실란을 사용하는 것이 바람직하다. 질화실리콘막 형성에 있어 질소 소소로서 새로운 질소화합물을 사용함으로써, 저온에서 고밀도인 양질의 질화실리콘막을 형성할 수 있게된다. 즉, 이와 같은 방법으로 형성된 질화실리콘막은 현저히 개선된 절연파괴전압(breakdown voltage) 및 내식각성을 가지기 때문에, 이를 절연막이나 식각저지막으로 사용하는 경우 그 역할을 충분히 수행할 수 있다.

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