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    • 1. 发明授权
    • 웨이퍼 생성 장치
    • KR102482218B1
    • 2022-12-27
    • KR1020180058206
    • 2018-05-23
    • H01L21/67B23K26/38H01L21/02B28D5/00
    • 본발명은단결정 SiC 잉곳으로부터 SiC 웨이퍼를자동적으로생성할수 있는웨이퍼생성장치를제공하는것을목적으로한다. 웨이퍼생성장치(2)는, 단결정 SiC 잉곳(150)을유지하는유지유닛(4)과, 유지유닛(4)에유지된단결정 SiC 잉곳(150)의상면을연삭하여평탄화하는평탄화유닛(6)과, 유지유닛(4)에유지된단결정 SiC 잉곳(150)의상면으로부터생성해야할 SiC 웨이퍼의두께에상당하는깊이에단결정 SiC 잉곳(150)에대해투과성을갖는파장의레이저광선(LB)의집광점(FP)을위치시키고레이저광선(LB)을단결정 SiC 잉곳(150)에조사하여박리층(170)을형성하는레이저조사유닛(8)과, 단결정 SiC 잉곳(150)의상면을유지하고박리층(170)으로부터 SiC 웨이퍼(172)를박리하는웨이퍼박리유닛(10)과, 박리된 SiC 웨이퍼(172)를수용하는웨이퍼수용유닛(12)을포함한다.
    • 2. 发明公开
    • 웨이퍼의 생성 방법
    • KR1020220162659A
    • 2022-12-08
    • KR1020220156071
    • 2022-11-21
    • B23K26/53B23K26/402B23K26/00B24B7/22H01L21/02B28D5/04B23K103/00
    • 본발명은, 화합물단결정잉곳의단부면을연삭하는평탄화공정에있어서, 연삭지석의소모량을억제할수 있음과더불어연삭시간을단축할수 있는웨이퍼의생성방법을제공하는것을목적으로한다제1 단부면과상기제1 단부면과반대측의제2 단부면을갖는화합물단결정잉곳으로부터웨이퍼를생성하는웨이퍼의생성방법으로서, 화합물단결정잉곳의상기제2 단부면을척 테이블로유지하고, 화합물단결정잉곳에대하여투과성을갖는파장의레이저빔의집광점을상기제1 단부면으로부터생성될웨이퍼의두께에상당하는깊이에위치시킴과더불어, 상기집광점과화합물단결정잉곳을상대적으로이동시켜상기레이저빔을상기제1 단부면으로조사하고, 상기제1 단부면에평행한개질층및 상기개질층으로부터신장되는크랙으로이루어진분리면을형성하는분리면형성단계를포함한다. 상기분리면형성단계에있어서, 화합물단결정잉곳을구성하는원자량이큰 원자와원자량이작은원자중, 원자량이작은원자가배열되는극성면을상기제1 단부면으로하고, 평탄화단계에있어서, 원자량이작은원자가배열되는극성면인제1 단부면을연삭하는것을특징으로한다.