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1. 发明授权

KR102474815B1 열전 변환 모듈 및 그의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102474815B1
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：KR1020180073365
申请日：2018-06-26
IPC分类号： H10N10/85 , H10N10/81 , H10N10/17 , H10N10/01
摘要： 본발명은, 금속또는금속합금으로구성되는베이스와, 베이스를절연시키기위해베이스의표면에코팅되고금속산화물로구성되는코팅층을포함하는기판과, 기판상에교대로배열되는복수의 n형열전변환소재및 복수의 p형열전변환소재와, 기판상에배치되어교대로배열된복수의열전변환소재들을일측및 타측에서교대로접속하는복수의전극을포함하는, 열전변환모듈을포함한다. 금속또는금속합금은금속산화물보다연성(ductility)이더 높은특성을가진다. 전술한바와같은구성을갖는본 발명의열전변환모듈은금속또는금속합금으로구성되는베이스와, 금속산화물로구성되는코팅층을포함하는기판을구비함으로써, 기판의열전도성이향상되어열전변환모듈의열전변환성능이향상될수 있다.

2. 发明授权

KR102476995B1 열변환장치 有权
公开(公告)号：KR102476995B1
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：KR1020210138145
申请日：2021-10-18
IPC分类号： H10N10/13 , H10N10/81 , H10N10/01
摘要： 본발명의한 실시예에따른열변환장치는냉각용유체가통과하는덕트, 상기덕트의제 1 표면에배치된제 1 열전모듈, 상기덕트의제 1 표면에평행하게배치된제 2 표면에배치된제 2 열전모듈및 상기덕트의제 1 표면과상기제 2 표면사이에배치된제 3 표면상에서상기제 3 표면과이격되어배치된기체가이드부재를포함하고, 상기기체가이드부재는상기제 1 열전모듈과접촉하는일단, 상기제 2 열전모듈과접촉하는타단및 상기일단및 타단을연결하는연장부를포함하고상기기체가이드부재는상기일단과상기타단사이의중심으로갈수록상기제3 표면과의거리가멀어지는형상을가질수 있다.

3. 发明公开

KR1020220158217A 전극 예비가열식 열전소자 접합 장치 및 방법 审中-实审
公开(公告)号：KR1020220158217A
公开(公告)日：2022-11-30
申请号：KR1020220156053
申请日：2022-11-21
IPC分类号： H10N10/01 , H10N10/17 , H10N10/80
摘要： 본발명은열전소자접합장치및 방법에관한것으로, 보다상세하게는기판과열전레그접합시 기판의예비가열방식을통해열전레그의열화현상을방지하며, 기판및 열전레그이송레일의교차식구성으로접합공정의효율성을높일수 있는전극예비가열식열전소자접합장치및 방법에관한것이다. 상기와같은목적을달성하기위하여본 발명은, 절연기판과전극을포함하는기판을이송하는기판이송부; 상기전극을기설정된예비가열온도로가열하는예비가열부; 상기기판이송부의상부에이격배치되며, 열전레그를이송하여상기기판의상부면에위치시키는레그이송부; 및상기기판과열전레그를가압하여접합시키는가압부;를포함하는것을특징으로한다.

4. 发明授权

KR102474228B1 초음파를 이용한 산화물 열전재료 위에 확산 방지층 형성을 위한 Pd 전처리 기술 有权
公开(公告)号：KR102474228B1
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：KR1020210193631
申请日：2021-12-31
IPC分类号： H10N10/01 , H10N10/85 , H10N10/81 , C23C18/18 , C23C18/31
摘要： 본발명은초음파를이용한산화물열전재료위에확산방지층형성을위한 Pd 전처리기술에관한것으로, BiCuSeO계열전재료또는 Bi2O2Se계열전재료를포함하는비금속산화물세라믹열전재료와 Pd 및질산을포함하는 Pd 용액을준비하는단계, 상기비금속산화물세라믹열전재료를상기 Pd 용액에침지시키고초음파를가하여상기비금속산화물세라믹열전재료상에 Pd 촉매를전처리하는단계, 상기 Pd 촉매가전처리된비금속산화물세라믹열전재료상에무전해도금법을이용하여확산방지층을형성하는단계및 상기확산방지층상에전극을형성하는단계를포함함에따라, 열전재료상에확산방지층이견고하게형성되고, 열전재료와확산방지층의접합력을향상시켜, 열전소자의전기적특성을향상시킬수 있는효과가있다.

5. 发明授权

KR102471714B1 실리콘 나노와이어를 이용한 적외선 센서 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102471714B1
公开(公告)日：2022-11-28
申请号：KR1020200109513
申请日：2020-08-28
IPC分类号： H10N10/17 , G01J5/12 , H10N10/81 , H10N10/01 , H10N10/85
摘要： 본발명의일실시예에따르면, 지지기판, 상기지지기판상에형성된절연층, 및상기절연층상에형성된하나이상의서모커플을포함하고, 상기서모커플은상기지지기판상의핫존에서콜드존까지연장형성된도전형이다른두 그룹의실리콘나노와이어, 및상기도전형이다른두 그룹의실리콘나노와이어를연결하는접점전극을포함하는, 실리콘나노와이어를이용한적외선센서및 그제조방법을제공하여, 높은제벡계수와높은전기전도도를갖는실리콘을나노와이어로형성함으로써낮은열전도도를달성하여감도가높은서모파일형적외선센서를낮은비용으로제공할수 있다.

6. 发明授权

KR102466097B1 점탄성 열전 소재용 잉크 및 3D 프린팅으로 제조된 열전 소재 有权
公开(公告)号：KR102466097B1
公开(公告)日：2022-11-14
申请号：KR1020210037760
申请日：2021-03-24
IPC分类号： H10N10/85 , H10N10/17 , H10N10/01
摘要： 본발명은점탄성열전소재용잉크및 3D 프린팅으로제조된열전소재에관한것으로, 본발명의일 측면은, Cu2-XM (M=S, Se, Te 또는이들의합금, 0≤x≤0.1)를포함하는열전입자; 및금속다가음이온;을포함하는, 점탄성열전소재용잉크를제공한다.

7. 发明授权

KR102478827B1 열전모듈 有权
公开(公告)号：KR102478827B1
公开(公告)日：2022-12-19
申请号：KR1020180159279
申请日：2018-12-11
IPC分类号： H10N10/17 , H10N10/81 , H10N10/85 , H10N10/01
摘要： 본발명의한 실시예에따른열전모듈은제1 기판, 상기제1 기판상에배치된열전소자, 상기열전소자상에배치되며, 상기제1 기판보다면적이작은제2 기판, 그리고상기열전소자에연결되며, 상기열전소자에전원을공급하는전선부를포함하고, 상기제2 기판에는적어도하나의챔퍼가형성된다.

8. 发明授权

KR102474817B1 열전 모듈 및 그를 포함하는 온도조절장치 有权
公开(公告)号：KR102474817B1
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：KR1020180154725
申请日：2018-12-04
IPC分类号： H10N10/17 , H10N10/80 , H10N10/01
摘要： 본발명에따른열전모듈은, 플렉서블하고절연특성을가지며, 폭방향보다길이방향의길이가더 긴형상인필름과, 필름의일면에, 필름의길이방향으로교대로배치되는복수개의 n형열전소재들과복수개의 p형열전소재들과, 복수개의 n형열전소재들과복수개의 p형열전소재들을서로전기적으로직렬연결시키기위해, 복수개의 n형열전소재들과복수개의 p형열전소재들을, 필름의폭방향을기준으로, 일측및 타측에서교대로연결하는제1 전극들과제2 전극들을포함한다. 필름에복수개의 n형열전소재들, 복수개의 p형열전소재들, 제1 전극들, 및제2 전극들이접합된상태에서, 필름의폭방향을기준으로, 제1 전극들의가장넓은면이일측을향하고제2 전극들의가장넓은면이일측의반대측인타측을향하도록, 필름의일측단과타측단의각각이절곡된다.

9. 发明授权

KR102472162B1 탄소 천 상 텔루륨화 비스무트 열전 소자 제조 방법, 이를 통해 제작된 탄소 천 상 텔루륨화 비스무트 열전 소자 및 이를 포함하는 텔루륨화 비스무트 열전 발전기 有权
公开(公告)号：KR102472162B1
公开(公告)日：2022-11-28
申请号：KR1020210175782
申请日：2021-12-09
IPC分类号： H10N10/01 , H10N10/85 , H10N10/80 , C01B19/00 , D06M11/52 , D06M101/40
摘要： 탄소천 상텔루륨화비스무트열전소자제조방법, 이를통해제작된탄소천 상텔루륨화비스무트열전소자및 이를포함하는텔루륨화비스무트열전발전기가개시된다. 상기탄소천 상텔루륨화비스무트열전소자제조방법은비스무트전구체및 텔루륨전구체가포함된용액에탄소천을담근후, 상기용액을가열하여탄소천 상에텔루륨화비스무트을형성하는단계를포함한다. 상기탄소천 상텔루륨화비스무트열전소자는상기제조방법에의해제조된다. 상기텔루륨화비스무트열전발전기는제1 전극; 상기제1 전극과이격되어배치된제2 전극; 및상기탄소천 상텔루륨화비스무트열전소자로써, 상기제1 전극및 상기제2 전극에각각연결된탄소천 상텔루륨화비스무트열전소자;를포함한다.

10. 发明授权

KR102470123B1 스핀 열전 소자 및 이의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102470123B1
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：KR1020210044701
申请日：2021-04-06
IPC分类号： H10N10/85 , H10N10/01 , H10N10/80
摘要： 본발명은스핀열전소자에관한것으로, 전극; 및상기전극상에형성되며, M1[M2(CN)6]로서표시되는자기절연체;를포함하며, 상기 M1 및 M2는전이금속인것을특징으로한다. M1[M2(CN)6]로서표시되는자기절연체를포함하여열전도도가낮고열적스핀류의생성이효과적으로나타나종래에스핀열전소자에주로사용되어오던 YIG(Yttrium iron garnet, Y3Fe5O12)를대체할수 있다. 또한, 본발명은전해도금법을이용하여자기절연체를상온에서대면적으로형성할수 있다.

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