专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR100027537B1 광전변환장치 失效
公开(公告)号：KR100027537B1
公开(公告)日：1989-03-03
申请号：KR1019800004831
申请日：1980-12-18
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
发明人： 이마무라요시노리 , 아다까사부로오 , 다까사끼유끼오 , 다나까야스오 , 히라이다다아끼
IPC分类号： H01J29/45

2. 发明公开

KR1019880009442A 광전 변환 장치 失效
公开(公告)号：KR1019880009442A
公开(公告)日：1988-09-15
申请号：KR1019870000764
申请日：1987-01-31
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 최규만 , 김대규 , 권기덕 , 김강원 , 송호근 , 전인상
IPC分类号： H01L27/14 , H01J29/45
摘要： 내용 없음.

3. 发明公开

KR880001026A 촬상관의 타기트 失效
公开(公告)号：KR880001026A
公开(公告)日：1988-03-31
申请号：KR870006578
申请日：1987-06-27
IPC分类号： H01L31/08 , H01J29/45 , H01J31/38
摘要： 내용없음

4. 发明授权

KR850000084B1 광전변환장치 失效
公开(公告)号：KR850000084B1
公开(公告)日：1985-02-18
申请号：KR810000713
申请日：1981-03-05
申请人： HITACHI LTD
发明人： MARUYAMA EAIJ , EAMAMURA YOSHINORI , DANAKA YASUO , ADAGA SABURO , MASBARA HIROGAS
IPC分类号： H01J29/45

5. 发明公开

KR840006101A 수광소자 失效
公开(公告)号：KR840006101A
公开(公告)日：1984-11-21
申请号：KR830003896
申请日：1983-08-20
IPC分类号： H01J29/45 , H01L31/0376 , H01L31/08 , H01L31/09
摘要： 내용없음

6. 发明公开

KR830009844A 촬상관 失效
公开(公告)号：KR830009844A
公开(公告)日：1983-12-23
申请号：KR820001188
申请日：1982-03-17
IPC分类号： H01J9/233 , H01J29/02 , H01J29/45 , H01J29/86 , H01J31/46
摘要： 내용없음

7. 发明公开

KR1020170096491A 진공 체임버 내부의 압력 변화에 따라 연엑스선 또는 진공자외선 중의 어느 하나의 광을 조사하여 피대전체의 정전기를 중화시키는 정전기 제거 장치 审中-实审
标题翻译：根据真空室内的压力变化照射软X射线或真空紫外线中的任何一种来中和物体的静电荷的静电消除器
公开(公告)号：KR1020170096491A
公开(公告)日：2017-08-24
申请号：KR1020160017929
申请日：2016-02-16
申请人： (주)선재하이테크
发明人： 이동훈 , 김상효 , 이상덕 , 김은민 , 정동길 , 신상도
IPC分类号： H01L27/02 , H01L21/02 , H01J35/30 , H01J29/45
摘要： 본발명은반도체또는디스플레이제작시사용되는진공체임버내부의압력조건즉 진공상태인지대기압상태인지여부에따라진공체임버내부에위치하는피대전체의정전하를제거하기위하여진공상태에서는피대전체에진공적외선을조사하고대기압하에서는피대전체에연엑스선을조사할수 있는정전기제거장치에관한것이다. 본발명에서제안하는기술적사상을구현하기위한 "진공체임버내부의압력변화에따라연엑스선또는진공자외선중의어느하나의광을조사하여피대전체의정전기를중화시키는정전기제거장치"는진공체임버내부에배치되어피대전체의상부에상이한파장대의광을조사하는제 1 광조사부및 제 2 광조사부와, 상기진공체임버내부일측에배치되어상기진공체임버의진공도를감지하는센서와, 상기센서에서감지한진공도를수신하여상기진공도에따라상기제 1 광조사부및 상기제 2 광조사부중 어느하나를선택적으로동작시키는위하여상기진공체임버외부에배치되는제어부를구비한다. 본발명에따른정전기제거장치를사용하는경우진공체임버내부의진공도에따라서연엑스선을조사하여피대전체의정전기를중화시키거나진공자외선을조사하여피대전체의정전기를중화시킬수 있다는이점이있다.
摘要翻译：本发明照射真空在真空整个充电对象红外线除去充电物体整个协议电荷它位于根据真空室的内部是否真空室，其用于制造半导体或显示压力的条件内，即常压，如果真空状态本发明涉及能够在大气压下对整个物体照射X射线的静电除去装置。为了实现“其照射光的静电去除按照压力的真空腔室单元内部的变化中和整个充电物体的静电在软X射线或真空紫外线的”本发明所提出的技术概念被设置在真空室中在第一光照射和第二发光部分和，并设置在真空腔室传感器的侧边内，用于感测度的真空腔室的真空，由传感器检测到的真空度，以检查光的不同波长带的整个充电物体的上部以及设置在真空室外部的控制单元，用于根据真空度选择性地操作第一光照单元和第二光照单元中的任何一个。这一点是，如果使用的是一个静电根据本发明的去除装置是根据真空的真空室内部的程度，以中和全部的静电或充电对象与真空紫外线照射sikilsu中和整个充电物体的静电照射软X射线。

8. 发明公开

KR1019910003842A 수광소자 및 그 동작방법 失效
公开(公告)号：KR1019910003842A
公开(公告)日：1991-02-28
申请号：KR1019900010147
申请日：1990-07-05
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 , 닛뽕 호소 교카이
发明人： 키카와타케시 , 쯔지카즈다까 , 사메시마켄지 , 히라이타다아끼 , 야마자끼즁이찌 , 쿠보타미사오 , 시다라케이이찌
IPC分类号： H01J29/45
摘要： 내용 없음.

9. 发明授权

KR1019890001434B1 촬상관용 타켓의 제조방법 失效
标题翻译：图像抽吸管生产方法
公开(公告)号：KR1019890001434B1
公开(公告)日：1989-05-03
申请号：KR1019860006321
申请日：1986-07-31
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 최규만
IPC分类号： H01J31/26 , H01J29/45
摘要： The novel tube consists of (a) permeable plate, (b) a clear electrode formed on the plate, (c) a Sb2S3 close layer; vapor coated onto the electrode by 1-300nm/sec coating rate under 8X10-5-1X10-6 torr, (d) a Sb2S3 porous layer; vapor coated onto the close layer by 1-100 nm/ sec coating rate under 1.5X10-2-1.5X 10-1 torr and (e) a fine particle layer. In the above, Se is added to the close and porous layer by 1:1/10-1/100 and 1:1/2-1/10 wt. ratio to Sb2S3) respectively.
摘要翻译：该新型管由（a）可渗透板，（b）在板上形成的透明电极，（c）Sb2S3密层; 在8X10-5-1X10-6乇下以1-300nm /秒的涂布速率在（d）Sb2S3多孔层上涂覆电极，在1.5X10-2-1.5×10-1乇下，以100nm /秒的涂布速率在（e）微粒层上封闭上层封闭层。在上述中，将Se以1:1:1 / 10-1 / 100和1:1 / 2-1 / 10重量％加入密闭多孔层中。与Sb2S3的比例）。

10. 发明授权

KR1019880002496B1 광전변환장치 失效
标题翻译：光电器件
公开(公告)号：KR1019880002496B1
公开(公告)日：1988-11-19
申请号：KR1019800004831
申请日：1980-12-18
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
发明人： 이마무라요시노리 , 아다까사부로오 , 다까사끼유끼오 , 다나까야스오 , 히라이다다아끼
IPC分类号： H01J29/45
摘要： A photoelectric device have at least a signal electrode and an amorphous photoconductor layer whose principal constituent is silicon and which contains hydrogen. The amorphous photoconductor layer is disposed adjacent to the signal electrode. A thin layer is interposed between a signal electrode and a amorphous photoconductor layer. The thin layer is made of an inorganic material whose principal constituent is at least one of the following compounds; an oxide of at least one of the elements Si, Ti, Al, Mg, Ba, Ta, Bi, V, Ni, Th, Fe, La, Be, Sc and Co; a nitride of at least one of the elements Ga, Si, Mg, Ta, Hf, Zr, Nb and B; or a halide of at least one of the elements Na, Mg, Li, Ba, Ca and K.
摘要翻译：光电器件至少具有主要成分为硅并含有氢的信号电极和非晶体感光体层。非晶体感光体层与信号电极相邻设置。在信号电极和非晶感光体层之间插入薄层。该薄层由主要成分为至少一种以下化合物的无机材料制成; 元素Si，Ti，Al，Mg，Ba，Ta，Bi，V，Ni，Th，Fe，La，Be，Sc和Co中的至少一种的氧化物; 元素Ga，Si，Mg，Ta，Hf，Zr，Nb和B中的至少一种的氮化物; 或元素Na，Mg，Li，Ba，Ca和K中的至少一种的卤化物。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式