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1. 发明授权

KR102116223B1 금속/이차원 나노소재 하이브리드 방열체 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102116223B1
公开(公告)日：2020-05-28
申请号：KR1020160067042
申请日：2016-05-31
申请人： 한국전기연구원
发明人： 정희진 , 이건웅 , 서선희 , 정승열 , 한중탁 , 김호영 , 이재원
IPC分类号： C09K5/14 , C09D11/00 , C01B17/00 , C01B19/04 , C01B21/064 , C01B31/04

2. 发明公开

KR1020170124711A 이온빔 조사에 기반한 TMDs 2차원 시트의 개질 방법 审中-实审
标题翻译：基于离子束辐照的TMDs二维片材的改性方法
公开(公告)号：KR1020170124711A
公开(公告)日：2017-11-13
申请号：KR1020160054422
申请日：2016-05-03
申请人： 인하대학교 산학협력단
发明人： 박동혁 , 김석호 , 최진호 , 김형태
IPC分类号： C01B17/20 , C01B19/04 , B01J19/08
CPC分类号： C01B17/20 , B01J19/081 , C01B19/04 , C01P2006/40
摘要： 본발명의일 실시예에의하면, 이온빔의조사를통해 TMDs 2차원시트의전기특성을변화시킬수 있으므로, 도핑등 화학적처리를통해서발생하는부작용의해결을도모할수 있다. 또한, 이온빔의조사조건과 TMDs 2차원시트의전기특성의상관관계를분석하고그 결과를 TMDs 2차원시트제작에반영하면, TMDs 2차원시트의전기특성을원하는대로조절할수 있고, 또한 TMDs 2차원시트의전기특성을정량적으로분석및 제어가가능하다. 즉, 본발명의일 측면에따라제조되는 TMDs 2차원시트는트랜지스터등의전자산업분야에서폭넓게사용될수 있다.
摘要翻译：在本发明的一个实施例中，通过离子束的照射，从而sikilsu改变TMD的2维片的电特性，可以实现以解决由掺杂引起的，如化学治疗的副作用。此外，相关联的照射条件和离子束的TMD的二维片的电特性，以及反映结果在TMD的二维片制剂时，TMD的可被调节为期望的，该二维薄片的电特性，和TMDS二维片材的电特性可以定量分析和控制。也就是说，根据本发明的一个方面制造的TMD二维片可以广泛地用于诸如晶体管的电子器件领域。

3. 发明公开

KR1020170114999A 층상 무기 나노시트-그래핀 복합체 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：层状无机纳米片 - 石墨烯复合材料及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170114999A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：KR1020170044995
申请日：2017-04-06
申请人： 이화여자대학교 산학협력단
发明人： 황성주 , 박보연
IPC分类号： C01B32/182 , C01B13/14 , C01B17/20 , C01B19/04 , H01M10/054
摘要： 양이온-함유용액에의해재적층되어형성된층상무기나노시트-그래핀복합체및 상기층상무기나노시트-그래핀복합체의제조방법에관한것으로서, 제 1 무기나노시트및 제 2 무기나노시트를박리하는단계; 상기박리된제 1 무기나노시트, 상기박리된제 2 무기나노시트, 및그래핀을혼합하는단계; 및상기혼합물에양이온-함유용액을첨가함으로써상기박리된제 1 무기나노시트, 상기박리된제 2 무기나노시트, 및상기그래핀이재적층된층상무기나노시트-그래핀복합체를수득하는단계를포함한다.
摘要翻译：阳离子被含有溶液形成层状无机纳米片包括剥离的步骤涉及制造石墨烯的复合材料中，第一无机纳米片和第二无机纳米片石墨烯复合物的方法，和层状无机纳米片登记层。将剥离的第一无机纳米片，剥离的第二无机纳米片和石墨烯混合; 并且在通过添加溶液的混合物的阳离子包含所述汽提第一无机纳米片，剥离第二无机纳米片，和叠层的层状无机纳米片石墨烯不同的材料 - 是包括获得销复杂的步骤的。

4. 发明公开

KR1020160120057A 2차원 물질을 이용한 전자소자 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译： 2使用二维材料的电子装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160120057A
公开(公告)日：2016-10-17
申请号：KR1020150049075
申请日：2015-04-07
申请人： 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
发明人： 라창호 , 유원종 , 아흐메드파이살 , 양정 , 유효지 , 박성준 , 이재호
IPC分类号： H01L27/04 , C01B19/04
CPC分类号： H01L29/78681 , H01L21/467 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/778 , H01L29/78696
摘要： 2차원물질을이용한전자소자및 그제조방법이개시된다. 개시된전자소자는밴드갭을갖는 2차원물질층을포함할수 있다. 여기서, 2차원물질층은 2개의다층 2차원물질영역과그 사이에배치된채널영역을포함할수 있다. 전자소자의전극은다층 2차원물질영역에전기적으로접촉할수 있다.
摘要翻译：电子设备包括具有带隙的2D材料层。 2D材料层包括两个多层2D材料区域和它们之间的沟道区域。第一电极电接触所述多层2D材料区域中的一个，并且第二电极与所述多层2D材料区域中的另一个电接触。

5. 发明授权

KR101509332B1 입자 크기 및 조성을 제어할 수 있는 구리 셀레나이드의 제조방법 有权
标题翻译：铜硒化合物的制备控制粒径和组成
公开(公告)号：KR101509332B1
公开(公告)日：2015-04-07
申请号：KR1020130106133
申请日：2013-09-04
申请人： 부산대학교 산학협력단
发明人： 박강현 , 유찬용 , 장성완
IPC分类号： C01B19/04 , C01G3/00
摘要： 본발명은증류수를용매로사용한액상반응에의한구리셀레나이드의제조방법에관한것으로, 본발명에의하면사용되는구리염화물, 반응시간및 반응온도등을조절하여입자의조성조절이용이하고입자균일성이향상된구리셀레나이드를제조할수 있다. 또한, 합성된구리셀레나이드를산처리와같은간단한방법을통해조성을다양하게변화시킬수 있으며 CuInSe의전구체로유용하게사용할수 있다.

6. 发明公开

KR1020150027560A 입자 크기 및 조성을 제어할 수 있는 구리 셀레나이드의 제조방법 有权
标题翻译：铜硒化合物的制备控制粒径和组成
公开(公告)号：KR1020150027560A
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：KR1020130106133
申请日：2013-09-04
申请人： 부산대학교 산학협력단
发明人： 박강현 , 유찬용 , 장성완
IPC分类号： C01B19/04 , C01G3/00
摘要： 본 발명은 증류수를 용매로 사용한 액상 반응에 의한 구리 셀레나이드의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 의하면 사용되는 구리 염화물, 반응시간 및 반응온도 등을 조절하여 입자의 조성 조절이 용이하고 입자 균일성이 향상된 구리 셀레나이드를 제조할 수 있다. 또한, 합성된 구리 셀레나이드를 산처리와 같은 간단한 방법을 통해 조성을 다양하게 변화시킬 수 있으며 CuInSe
2 의 전구체로 유용하게 사용할 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及使用蒸馏水作为溶剂的液相反应的硒化铜的制造方法。本发明能够制造均匀性提高的硒化铜，通过调整氯化铜，反应时间，反应温度等容易控制粒子的组成。此外，本发明通过诸如酸处理的简单方法不同地改变合成的硒化铜的组成，并且能够使用硒化铜作为CuInSe 2的前体。

7. 发明授权

KR101180263B1 열전분말과 이를 원료로 한 복합재료 및 이들의 제조방법 有权
标题翻译：热电粉末和由热电材料制成的组合物及其制造方法
公开(公告)号：KR101180263B1
公开(公告)日：2012-09-06
申请号：KR1020100047880
申请日：2010-05-24
申请人： 한국기계연구원
发明人： 김경태 , 하국현 , 김동원
IPC分类号： C01B19/00 , C01B19/04 , C01G29/00 , C01G30/00
CPC分类号： H01B1/18 , B22F9/04 , B22F9/24 , B22F2998/10 , C22C12/00 , C22C26/00 , C22C47/14 , C22C49/12 , C22C49/14 , H01L35/22 , H01L35/26 , H01L35/34 , B22F3/105
摘要： 본 발명에 의한 열전분말은, 탄소나노튜브가 분산된 제1용액과, 금속염이 혼합된 제2용액을 혼합한 후 화학반응에 의해 생성된 혼합분말을 기계적으로 분쇄 및 혼합하고 열처리하여 상기 탄소나노튜브의 일부가 내부에 삽입된 형태를 갖는다. 그리고, 본 발명에 의한 열전분말의 제조방법은, 탄소나노튜브가 분산된 제1용액과, 금속염이 혼합된 제2용액을 제조하는 제1용액 및 제2용액제조단계와, 상기 제1용액과 제2용액을 혼합하여 혼합용액을 제조하는 혼합용액제조단계와, 상기 혼합용액을 화학반응시켜 탄소나노튜브와 금속이 혼합된 혼합분말을 생성 및 성장하는 혼합분말제조단계와, 상기 혼합분말을 기계적으로 분쇄 및 혼합하는 혼합분말분쇄단계와, 상기 분쇄 및 혼합된 혼합분말을 열처리하여 열전분말을 제조하는 열전재료제조단계로 이루어진다. 또한 본 발명에 의한 열전분말을 원료로 한 복합재료는, 상기 열전분말을 스파크 플라즈마 소결공정을 실시하여 제조되며, 탄소나노튜브가 네트웍을 이루어 열전특성이 향상되는 이점이 있다.

8. 发明授权

KR101144938B1 반구체를 가지는 육방정계 구조물 및 이의 형성방법 有权
标题翻译：具有半球的六角晶体结构及其形成方法
公开(公告)号：KR101144938B1
公开(公告)日：2012-05-11
申请号：KR1020100055356
申请日：2010-06-11
申请人： 광주과학기술원
发明人： 김기석 , 정건영
IPC分类号： C01G9/02 , C01B19/04 , C01G9/08 , C30B29/16
摘要： PURPOSE: A light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided to prevent the leakage of light to the side of a waveguide by forming a zinc oxide crystalline rod structure on the surface of a light emitting structure which emits light. CONSTITUTION: A light emitting structure(200) is formed on a substrate(100). The light emitting structure is composed of a N-type semiconductor layer(210), a light emitting layer(220), and a P-type semiconductor layer(230). A seed layer(400) is formed on the top of the light emitting structure. The seed layer is formed through the coating or the dispersion of a zinc oxide particle. A current spreading layer(235) is formed between the P-type semiconductor layer and an electrode(300).

9. 发明公开

KR1020070104690A 인듐 셀레나이드 화합물의 제조방법 有权
标题翻译：合成硒化铟化合物的方法
公开(公告)号：KR1020070104690A
公开(公告)日：2007-10-29
申请号：KR1020060036480
申请日：2006-04-24
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 윤석현 , 조승범 , 이경수
IPC分类号： C01G15/00 , C01B19/04 , C01B19/00
摘要： A method for preparing an indium selenide compound is provided to facilitate the control of particle size, have a relatively fast reaction rate, and produce the indium selenide compound in a low cost by using an inexpensive polyol compound as solvent. A method for preparing an indium selenide compound includes a step of adding an indium salt and selenious acid(H2SeO3) to a predetermined solvent, followed by heating the admixture to prepare an indium selenide compound. The indium salt is indium nitrate[In(NO3)3], indium sulfate[In2(SO4)3], indium chloride(InCl3), or indium hydroxide[In(OH)3]. The solvent is a polyol-based compound. The mixture is heated at 140-180 °C.
摘要翻译：提供了一种制备硒化铟化合物的方法，以便于控制粒度，反应速度相对较快，并且通过使用便宜的多元醇化合物作为溶剂，以低成本生产硒化铟化合物。制备硒化铟化合物的方法包括向预定溶剂中加入铟盐和亚硒酸（H 2 SeO 3），然后加热该混合物以制备硒化铟化合物的步骤。铟盐是硝酸铟[In（NO 3）3]，硫酸铟[In 2（SO 4）3]，氯化铟（InCl 3）或氢氧化铟[In（OH）3]。溶剂是多元醇类化合物。将混合物加热至140-180℃。

10. 发明授权

KR102452296B1 적층 구조체 및 그 제조 방법 그리고 반도체 디바이스 有权
公开(公告)号：KR102452296B1
公开(公告)日：2022-10-06
申请号：KR1020207033698
申请日：2019-06-21
IPC分类号： H01L45/00 , C01B19/04

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