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    • 2. 发明授权
    • 반도체 연결패드 상의 범프 구조물 및 이의 형성방법
    • 半导体连接垫的BUMP结构及其形成方法
    • KR101629273B1
    • 2016-06-14
    • KR1020140188448
    • 2014-12-24
    • 주식회사 에스에프에이반도체
    • 홍성민
    • H01L21/60
    • H01L2224/11H01L21/00H01L21/48H01L21/4889H01L2021/60007H01L2021/60015
    • 반도체연결패드상의범프구조물및 이의형성방법이개시된다. 반도체웨이퍼에형성된반도체연결패드상에범프구조물을형성하는방법에있어서, 본발명의일 면에따른범프구조물형성방법은, (a) 반도체웨이퍼상에서, 상기반도체연결패드주변영역에제1 포토레지스트층을형성하는단계; (b) 상기반도체연결패드상에본딩와이어를형성하는단계; (c) 상기제1 포토레지스트층 사이에형성된제1 홈에상기본딩와이어를시드로제공받아금속충전재를플레이팅하는단계; (d) 상기제1 포토레지스트층의상면에제2 포토레지스트층을형성하는단계; (e) 상기제2 포토레지스트층 사이에형성된제2 홈에솔더를플레이팅하는단계; 및 (f) 상기제1 및제2 포토레지스트층을제거하는단계를포함한다.
    • 所公开的是半导体连接焊盘上的凸块结构及其形成方法。 根据本发明的一个方面,在形成在半导体晶片上的半导体连接焊盘上形成凸点结构的方法包括:在半导体晶片上的半导体连接焊盘周围形成第一光致抗蚀剂层的步骤(a) 在所述半导体连接焊盘上形成接合线的步骤(b); 接收作为晶种的接合线并将金属填料镀覆在形成在第一光致抗蚀剂层上的第一凹槽中的步骤(c); 在第一光致抗蚀剂层的顶部上形成第二光致抗蚀剂层的步骤(d); 在第二光致抗蚀剂层上形成的第二沟槽中焊接焊料的步骤(e); 以及去除第一和第二光致抗蚀剂层的步骤(f)。