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1. 发明授权

KR101762219B1 주사 전자 현미경 시스템 및 그것을 이용한 패턴 계측 방법 및 주사 전자 현미경 有权
标题翻译：扫描电子显微镜系统，使用其的图案测量方法和扫描电子显微镜
公开(公告)号：KR101762219B1
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：KR1020167006631
申请日：2014-11-19
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 시시도치에 , 야마모토다쿠마 , 야마다신야 , 다나카마키
IPC分类号： H01J37/28 , H01J37/244 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/29 , G01B15/00 , G01B15/04 , G01B2210/56 , H01J37/244 , H01J37/28 , H01J2237/24475 , H01J2237/2448 , H01J2237/24495 , H01J2237/2806 , H01J2237/281 , H01J2237/2815 , H01L22/12
摘要： 본발명의주사전자현미경은, 가속전압 30㎸이상의 1차전자선(102)을시료(200)에조사하고, 상기시료로부터발생하는저각(예를들면앙각 5도이상)의후방산란전자(BSE)를검출한다. 이에따라, 상기시료의구멍부의구멍바닥에서발생하며, 상기구멍부의측벽(200)을관통한 "관통 BSE(110)"를이용해서상기구멍바닥의관찰을행할수 있다. 또한, 구멍이깊으면관통거리가상대적으로길어지므로, 관통 BSE의양이줄어상이어둡게된다고하는특성을이용해서, 구멍깊이 vs 밝기의검량선을만들어, 구멍깊이의계측을행한다. 이에따라, 3D-NAND의구멍뚫기공정으로대표되는초고(超高) 어스팩트비의구멍의개구/비개구의판정, 또는구멍의탑 직경/바텀직경을검사·계측하는것이가능해진다.
摘要翻译：本发明的扫描型电子显微镜使用加速电压为30kV以上的一次电子束102照射试样200，检测低角度（例如5度以上的仰角）的背向散射电子（BSE）被检测到。因此，通过使用在样品的孔的孔的底部处出现并穿透孔的侧壁200的“穿透性BSE 110”，可以观察到废孔的底部。此外，由于如果孔较深，则穿透距离变得相对较长，因此使用穿透性BSE减小并且深度变深的特性来进行孔深度对亮度的校准，并且测量孔深度。因此，可以确定以3D-NAND的钻孔工艺为代表的超高纵横比孔的开/闭，或检查和测量孔的孔直径/底部直径。

2. 发明公开

KR1020160046837A 주사 전자 현미경 시스템 및 그것을 이용한 패턴 계측 방법 및 주사 전자 현미경 有权
标题翻译：扫描电子显微镜系统，使用相同的图案测量方法和扫描电子显微镜
公开(公告)号：KR1020160046837A
公开(公告)日：2016-04-29
申请号：KR1020167006631
申请日：2014-11-19
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 시시도치에 , 야마모토다쿠마 , 야마다신야 , 다나카마키
IPC分类号： H01J37/28 , H01J37/244 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/29 , G01B15/00 , G01B15/04 , G01B2210/56 , H01J37/244 , H01J37/28 , H01J2237/24475 , H01J2237/2448 , H01J2237/24495 , H01J2237/2806 , H01J2237/281 , H01J2237/2815 , H01L22/12
摘要： 본발명의주사전자현미경은, 가속전압 30㎸이상의 1차전자선(102)을시료(200)에조사하고, 상기시료로부터발생하는저각(예를들면앙각 5도이상)의후방산란전자(BSE)를검출한다. 이에따라, 상기시료의구멍부의구멍바닥에서발생하며, 상기구멍부의측벽(200)을관통한 "관통 BSE(110)"를이용해서상기구멍바닥의관찰을행할수 있다. 또한, 구멍이깊으면관통거리가상대적으로길어지므로, 관통 BSE의양이줄어상이어둡게된다고하는특성을이용해서, 구멍깊이 vs 밝기의검량선을만들어, 구멍깊이의계측을행한다. 이에따라, 3D-NAND의구멍뚫기공정으로대표되는초고(超高) 어스팩트비의구멍의개구/비개구의판정, 또는구멍의탑 직경/바텀직경을검사·계측하는것이가능해진다.
摘要翻译：为了允许检测从孔的底部产生的背散射电子（BSE），用于确定是否打开具有超高纵横比的孔，或者用于检查和测量孔的顶部直径与底部直径的比，以3D-NAND打开孔的方式为代表，以高加速电压加速的一次电子束被施加到样品。检测到低角度（例如五度以上的天顶角）的背散射电子（BSE）。因此，使用从孔的底部排出并穿透侧壁的“穿透BSE”来观察孔的底部。利用穿透深度相对延长穿过深孔的特性，并减少穿透性BSE的量使黑暗的图像表现出孔深与亮度之间的关系的校准曲线来测量孔深度。

3. 发明公开

KR1020110009138A 시료관찰방법과 장치 및 상기 방법과 장치를 이용한 검사방법과 장치 有权
标题翻译：标本观察方法和装置，以及使用方法和装置的检查方法和装置
公开(公告)号：KR1020110009138A
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：KR1020107025128
申请日：2009-04-10
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 하타케야마마사히로 , 무라카미다케시 , 나이토요시히코 , 데라오겐지 , 기무라노리오 , 와타나베겐지
IPC分类号： H01J37/28 , G01N23/225 , H01J37/20 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/28 , H01J37/22 , H01J37/244 , H01J37/29 , H01J2237/24475 , H01J2237/24585 , H01J2237/24592 , H01J2237/2805 , H01J2237/2806 , H01J2237/2817 , H01L22/12
摘要： 종래에는 주목받지 못한 에너지 영역에서의 전자빔을 이용하여 시료를 관찰하는 능력을 향상시킬 수 있는 기술이 제공된다. 상기 시료관찰방법은, 상기 시료에 전자빔을 조사하는 단계; 상기 전자빔의 조사에 의해 생성된 그리고 상기 시료에 대한 정보를 취득한 관찰대상전자를 검출하는 단계; 및 상기 검출된 관찰대상전자로부터 상기 시료의 화상을 생성하는 단계를 포함하여 이루어진다. 상기 전자빔의 조사는, 2차방출전자가 검출되는 2차방출전자영역과 미러전자가 검출되는 미러전자영역 사이의 천이영역에서 설정된 랜딩 에너지를 갖는 상기 전자빔을 상기 시료에 조사하여, 상기 관찰대상전자로서 상기 2차방출전자와 상기 미러전자를 혼재시키는 단계를 포함하여 이루어진다. 상기 관찰대상전자의 검출은, 상기 2차방출전자 및 상기 미러전자가 혼재한 상태로 검출을 행하는 단계를 포함하여 이루어진다. 따라서, 100 nm 이하의 패턴 및 미세한 이물에 대한 관찰과 검사가 신속하게 실시가능하다.

4. 发明授权

KR101754279B1 시료관찰방법과 장치 및 상기 방법과 장치를 이용한 검사방법과 장치 有权
标题翻译：样本观察方法和装置，检验方法和使用该方法和装置的装置
公开(公告)号：KR101754279B1
公开(公告)日：2017-07-06
申请号：KR1020167005145
申请日：2009-04-10
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 하타케야마마사히로 , 무라카미다케시 , 나이토요시히코 , 데라오겐지 , 기무라노리오 , 와타나베겐지
IPC分类号： H01J37/28 , H01J37/285 , H01J37/20 , H01J37/22 , H01J37/244 , H01J37/29 , G01N23/225 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/28 , H01J37/22 , H01J37/244 , H01J37/29 , H01J2237/24475 , H01J2237/24585 , H01J2237/24592 , H01J2237/2805 , H01J2237/2806 , H01J2237/2817 , H01L22/12
摘要： 종래에는주목받지못한에너지영역에서의전자빔을이용하여시료를관찰하는능력을향상시킬수 있는기술이제공된다. 상기시료관찰방법은, 상기시료에전자빔을조사하는단계; 상기전자빔의조사에의해생성된그리고상기시료에대한정보를취득한관찰대상전자를검출하는단계; 및상기검출된관찰대상전자로부터상기시료의화상을생성하는단계를포함하여이루어진다. 상기전자빔의조사는, 2차방출전자가검출되는 2차방출전자영역과미러전자가검출되는미러전자영역사이의천이영역에서설정된랜딩에너지를갖는상기전자빔을상기시료에조사하여, 상기관찰대상전자로서상기 2차방출전자와상기미러전자를혼재시키는단계를포함하여이루어진다. 상기관찰대상전자의검출은, 상기 2차방출전자및 상기미러전자가혼재한상태로검출을행하는단계를포함하여이루어진다. 따라서, 100 nm 이하의패턴및 미세한이물에대한관찰과검사가신속하게실시가능하다.
摘要翻译：提供了一种能够提高在传统上已经注意到的能量场中使用电子束观察样品的能力的技术。样品观察方法包括：用电子束照射样品; 检测由电子束的照射产生并且从中获取关于样品的信息的要观察的电子; 并从检测到的待观察电子产生样品图像。电子束的照射照射电子束的着陆能量在二次电子发射区域和所述镜面电子区域镜面电子之间的过渡区域中设置在已检测到所述样品中检测发射的二次电子，所述观察目标电子邮件并混合二次发射电子和镜面电子。其中，待观察电子的检测包括检测混合状态下的二次发射电子和镜像电子的步骤。因此，可以快速观察和检查100纳米或更小的图案和细水。

5. 发明公开

KR1020080093383A 전자선장치 및 이것을 이용한 시료관찰방법 有权
标题翻译：电子束装置和采用该方法的样品观察方法
公开(公告)号：KR1020080093383A
公开(公告)日：2008-10-21
申请号：KR1020080034830
申请日：2008-04-15
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 가가도루 , 데라오겐지 , 하타케야마마사히로 , 와타나베겐지 , 나이토요시히코 , 무라카미다케시 , 기무라노리오
IPC分类号： H01J37/29 , H01J37/244 , H01J37/26
CPC分类号： G01N23/203 , G01N23/2251 , G01N2223/6116 , H01J37/28 , H01J2237/004 , H01J2237/022 , H01J2237/2446 , H01J2237/2817 , H01J37/29 , H01J37/244 , H01J37/26 , H01J37/295
摘要： An electron beam apparatus and a sample observing method using the same are provided to perform optimum precharge according to samples by controlling areas and amounts of precharge on the samples. An electron beam apparatus includes a stage(30), a first optic system(10), a second optic system(20), and a radiation area controller. The stage mounts a sample. The first optic system generates electron beams having a predetermined radiation area and radiates the electron beams toward the sample. The second optic system detects electrons which obtain structure information of the sample that is generated from the radiation of the electron beams on the sample, and obtains an image of the sample on a predetermined viewing area. The radiation area controller varies position of the predetermined radiation area on the predetermined viewing area.
摘要翻译：提供电子束装置和使用该电子束装置的样品观察方法，通过控制样品上的预充电区域和量来根据样品进行最佳预充电。电子束装置包括载物台（30），第一光学系统（10），第二光学系统（20）和辐射区域控制器。舞台安装样品。第一光学系统产生具有预定辐射面积的电子束，并朝向样品辐射电子束。第二光学系统检测获得从样品上的电子束的辐射产生的样品的结构信息的电子，并且在预定的观察区域获得样品的图像。辐射区域控制器改变预定观察区域上的预定辐射面积的位置。

6. 发明公开

KR1020060120144A 사상형 전자 현미경, 전자 현미경, 시료면 관찰 방법 및마이크로 디바이스의 제조 방법 无效
标题翻译：投影电子显微镜，电子显微镜，样品表面观察方法和微型器件生产方法
公开(公告)号：KR1020060120144A
公开(公告)日：2006-11-24
申请号：KR1020067010183
申请日：2005-01-13
申请人： 가부시키가이샤 니콘 , 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 가네마츠에리카
IPC分类号： H01J37/26 , H01J37/29 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/29 , H01J37/045 , H01J37/153 , H01J2237/1538 , H01J2237/24592
摘要： An irradiating beam (4) emitted from a cathode (1) enters a deflector (3). The optical path of the irradiating beam (4) is changed by the deflector (3) when a voltage is applied to the deflector (3), and the irradiating beam (4) passes through a common electron optical system (7) and irradiates the surface of a specimen (6). The irradiating beam (4) passes straight through the deflector (3) when no voltage is applied to the deflector (3) and is absorbed by an electron absorbing plate (17). While passing through the common electron optical system (7), the irradiating beam (4) is decelerated, and the energy is decreased to about 0 [eV] when the irradiating beam (4) reaches the surface of the specimen (6). When the irradiating beam (4) strikes the specimen (6), reflection electrons (8) are produced from the specimen (6). The reflection electrons (8) pass through the common electron optical system (7) and through an imaging electron optical system (9) when no voltage is applied to the deflector (3), and is projected onto an MCP detector (10).
摘要翻译：从阴极（1）发射的照射光束（4）进入导流板（3）。当向偏转器（3）施加电压时，照射光束（4）的光路由偏转器（3）改变，并且照射光束（4）通过公共电子光学系统（7）并照射试样（6）的表面。当没有电压施加到偏转器（3）并被电子吸收板（17）吸收时，照射光束（4）直接通过偏转器（3）。当通过公共电子光学系统（7）时，照射光束（4）减速，当照射光束（4）到达样本（6）的表面时，能量减小到约0 [eV]。当照射光束（4）撞击样品（6）时，从样品（6）产生反射电子（8）。当没有电压施加到偏转器（3）时，反射电子（8）通过公共电子光学系统（7）并通过成像电子光学系统（9），并且被投影到MCP检测器（10）上。

7. 发明公开

KR1020170041986A 반도체 소자 측정 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件测量装置
公开(公告)号：KR1020170041986A
公开(公告)日：2017-04-18
申请号：KR1020150141332
申请日：2015-10-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 임춘식 , 김연중
IPC分类号： G01B17/06 , G01R31/265 , G06T7/00
CPC分类号： G01N23/20025 , G01N23/2251 , G01N2223/052 , G01N2223/6116 , H01J37/29
摘要： 반도체소자측정장치가제공된다. 반도체소자측정장치는, 반도체기판에제1 빔을조사하는빔조사부, 상기반도체기판이배치되고, 상기반도체기판과동일평면상에배치된수평면을기준으로상기반도체기판을상기수평면과수직인중심축방향으로제1 각도및 상기제1 각도와다른제2 각도만큼회전시키는스테이지, 상기제1 각도에서상기제1 빔이상기반도체기판으로부터반사된제2 빔과, 상기제2 각도에서상기제1 빔이상기반도체기판으로부터반사된제3 빔을수신하는디텍터, 및상기디텍터에수신된상기제2 빔과상기제3 빔을이용하여상기반도체기판의 3차원이미지를획득하는연산부를포함한다.
摘要翻译：提供了一种半导体器件测量装置。一种半导体元件的测量装置，其中，一个光束照射部，所述半导体基板被布置在所述半导体衬底和共面基于放置在所述半导体基板上的照射所述第一梁的水平平面中心轴线并垂直于所述半导体衬底的水平面与所述第一角度，并从第一由级的第二角旋转，在所述第一角度和所述第二光束不同的所述第一角度方向上，首先从第一光束移位器的半导体衬底，其中，在所述第二角与第一光束移位器反射的使用所述第二光束和由所述检测器接收的第三光束，和用于接收从半导体基板反射的第三光束，并且包括用于获得所述半导体衬底的三维图像的计算的检测器。

8. 发明公开

KR1020160031024A 시료관찰방법과 장치 및 상기 방법과 장치를 이용한 검사방법과 장치 有权
标题翻译：标本观察方法和装置，以及使用方法和装置的检查方法和装置
公开(公告)号：KR1020160031024A
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：KR1020167005145
申请日：2009-04-10
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 하타케야마마사히로 , 무라카미다케시 , 나이토요시히코 , 데라오겐지 , 기무라노리오 , 와타나베겐지
IPC分类号： H01J37/28 , H01J37/285 , H01J37/20 , H01J37/22 , H01J37/244 , H01J37/29 , G01N23/225 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/28 , H01J37/22 , H01J37/244 , H01J37/29 , H01J2237/24475 , H01J2237/24585 , H01J2237/24592 , H01J2237/2805 , H01J2237/2806 , H01J2237/2817 , H01L22/12
摘要： 종래에는주목받지못한에너지영역에서의전자빔을이용하여시료를관찰하는능력을향상시킬수 있는기술이제공된다. 상기시료관찰방법은, 상기시료에전자빔을조사하는단계; 상기전자빔의조사에의해생성된그리고상기시료에대한정보를취득한관찰대상전자를검출하는단계; 및상기검출된관찰대상전자로부터상기시료의화상을생성하는단계를포함하여이루어진다. 상기전자빔의조사는, 2차방출전자가검출되는 2차방출전자영역과미러전자가검출되는미러전자영역사이의천이영역에서설정된랜딩에너지를갖는상기전자빔을상기시료에조사하여, 상기관찰대상전자로서상기 2차방출전자와상기미러전자를혼재시키는단계를포함하여이루어진다. 상기관찰대상전자의검출은, 상기 2차방출전자및 상기미러전자가혼재한상태로검출을행하는단계를포함하여이루어진다. 따라서, 100 nm 이하의패턴및 미세한이물에대한관찰과검사가신속하게실시가능하다.

9. 发明授权

KR101564047B1 하전입자선장치, 그 장치를 이용한 비점수차 조정방법 및 그 장치를 이용한 디바이스제조방법 有权
标题翻译：用于调节ASTIGMATISM的激光粒子束装置方法和使用该方法的制造装置的方法
公开(公告)号：KR101564047B1
公开(公告)日：2015-10-29
申请号：KR1020140088521
申请日：2014-07-14
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 와타나베겐지 , 무라카미다케시 , 다지마료 , 하타케야마마사히로 , 츠네오카마사토시 , 노지노부하루
IPC分类号： H01J37/22 , H01J37/244
CPC分类号： H01J37/28 , H01J37/026 , H01J37/153 , H01J37/29 , H01J2237/0047 , H01J2237/1532 , H01J2237/216
摘要： 본발명은시료에형성된패턴으로부터취득한화상의오포포커스평가값을이용하여간단한알고리즘으로또한신속하게비점수차조정을행하는것이다. 이를위하여본 발명에서는하전입자선을시료(W)에조사하여, 상기시료로부터방출되는전자, 반사전자, 후방산란전자등의 2차하전입자를검출함으로써시료(W)를관찰평가하는하전입자선장치(300)는, 하전입자선의비점수차조정을행하는비점수차조정수단(17)을구비하고, 시료(W)에형성된패턴의화상으로부터얻은포커스평가값을최대로하는보정전압을비점수차조정수단(17)에인가한다. 비점수차조정수단(17)은하전입자선의광축을중심으로하여대향하는복수쌍의전극또는코일을구비하는다극자이다. 시료(W) 전체에걸쳐차지업이없는상태에서시료표면의관찰및 평가를가능하게한 하전입자선장치(400)도개시된다.

10. 发明公开

KR1020140048279A 하전 입자선 장치 有权
标题翻译：带电粒子束装置
公开(公告)号：KR1020140048279A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：KR1020147003926
申请日：2012-08-16
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 왕,지강 , 오까이,노부히로 , 사또,히데또시 , 후까야,리쯔오
IPC分类号： H01J37/22 , H01J37/28 , G01B15/00 , G01B15/04
CPC分类号： H01J37/265 , H01J37/153 , H01J37/263 , H01J37/28 , H01J37/29 , H01J2237/24475 , H01J2237/2448 , H01J2237/24495 , H01J2237/24578 , H01J37/22 , G01B15/00 , G01B15/04
摘要： 본 발명의 하전 입자선 장치는, 2차 하전 입자(112) 신호를 검출하는 제1 검출 조건과, 반사 하전 입자(111) 신호를 검출하는 제2 검출 조건 사이에서, 하전 입자선의 주사 편향량을 보정하도록 편향기를 제어하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 검출하는 하전 입자종을 변경했을 때에 발생하는 배율 변동이나 측장 오차를 보정할 수 있다. 그로 인해, 저단차 시료나 대전 시료의 관찰, 측정 등에 있어서, 반사 하전 입자 신호에 기초하는 화상을 형성할 때에도, 배율 변동이나 측장 오차에 의하지 않고 정확한 화상을 취득하는 것이 가능해졌다.
摘要翻译：根据本发明的带电粒子束的装置，所述二次带电粒子（112）的第一搜索条件和反射带电粒子111，检测条件之间的第二，带电粒子的线的，用于检测用于检测信号的信号中的扫描偏转量并且控制偏转器以校正偏转器。这使得可以校正放大率的变化以及当待检测的带电粒子种类改变时引起的测量误差。因此，这样的低阶段初级样品或带电样品的观察，并形成基于带电粒子信号的图像时测量反射，即使在，它成为可能，而不管倍率变化的和长度测量误差得到正确的图像。

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