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1. 发明授权

KR101567335B1 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 有权
标题翻译：制造光提取衬底的方法，用于OLED和包括其的OLED的光提取衬底
公开(公告)号：KR101567335B1
公开(公告)日：2015-11-09
申请号：KR1020140118894
申请日：2014-09-05
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 최은호 , 김서현 , 이주영 , 김동현 , 김의수
IPC分类号： H01L51/56 , H01L51/54 , H01L51/52
CPC分类号： H01L51/5268 , B03C1/015 , H01F1/0045 , H01F1/0063 , H01F41/24 , H01F41/30 , H01L51/5215 , H01L51/56 , H01L2251/303 , H01L51/5262
摘要： 본발명은유기발광소자용광추출기판제조방법에관한것으로서더욱상세하게는매트릭스층 내부에분포되는광 산란입자의분산성및 기판부착력을향상시킴으로써, 유기발광소자의광추출효율및 구조적인안정성을증가시킬수 있는유기발광소자용광추출기판제조방법에관한것이다. 이를위해, 본발명은, 투명자성나노입자를휘발성의제1 용액과혼합하는제1 혼합단계; 상기제1 혼합단계를통해만들어진혼합액및 광산란입자를비자성산화물입자를포함하는제2 용액과혼합하는제2 혼합단계; 상기제2 혼합단계를통해만들어진코팅액을베이스기판상에코팅하는코팅단계; 및상기베이스기판의하부에서상기코팅액측으로자기장을인가하여, 상기코팅액내부에포함되어있는상기투명자성나노입자를자기정렬시키는자기장인가단계를포함하는것을특징으로하는유기발광소자용광추출기판제조방법을제공한다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造有机发光器件的光提取衬底的方法，更具体地，涉及一种用于制造有机发光器件的光提取衬底的方法，其提高了光散射的分散性和衬底附着力颗粒分散在基质层中，从而提高有机发光器件的光提取效率和结构稳定性。为此，本发明提供了制造用于有机发光器件的光提取衬底的方法，包括：第一混合步骤，将透明磁性纳米颗粒与易挥发的第一溶液混合; 第二混合步骤，将通过第一混合步骤制备的混合液和光散射颗粒与含有非磁性氧化物颗粒的第二溶液混合; 涂布步骤，将经由第二混合步骤制备的涂布液涂覆在基底基材上; 以及磁场施加步骤，将来自基底基板的下部的磁场施加到涂布液体，使包含在涂布液中的透明磁性纳米颗粒磁性取向。

2. 发明公开

KR1020080049103A 연자성 필름과 그것을 이용한 전자기파 대책 부품 및 전자기기 有权
标题翻译：软磁膜，使用这种软磁膜的电磁波对称测量部件和电子设备
公开(公告)号：KR1020080049103A
公开(公告)日：2008-06-03
申请号：KR1020087008628
申请日：2006-09-07
申请人： 가부시끼가이샤 도시바 , 도시바 마테리알 가부시키가이샤
发明人： 이노우에데츠오
IPC分类号： H01F10/26 , H01F1/00 , H01F1/16 , H05K9/00
CPC分类号： H05K9/0088 , H01F10/132 , H01F41/18 , H01F41/30
摘要： A soft magnetic film (1) is provided with a base film (3) having a bent shapes wherein a plurality of recessed and protruding portions are repeatedly arranged, and soft magnetic thin films (2) formed at least on top surfaces of the protruding portions (4) and bottom surfaces of the recessed sections (5) of the base film (3). The soft magnetic thin film (2) is provided with a portion wherein the product of a magnetic permeability (V') and a film thickness (T) is discontinuous. The soft magnetic film (1) is used as an electromagnetic wave countermeasure part.
摘要翻译：软磁性膜（1）具有反复配置有多个凹凸部的弯曲形状的基膜（3），至少在突出部的顶面形成有软磁性薄膜（2）（4）和底膜（3）的凹部（5）的底面。软磁性薄膜（2）具有导磁率（V'）和膜厚（T）的乘积不连续的部分。软磁膜（1）用作电磁波对抗部件。

3. 发明公开

KR1020030068410A 자기저항막의 제조 방법 및 자기저항막 无效
标题翻译：制造磁阻膜的方法
公开(公告)号：KR1020030068410A
公开(公告)日：2003-08-21
申请号：KR1020030007698
申请日：2003-02-07
申请人： 나고야 다이가쿠쵸
发明人： 모리또모유따까 , 류샤오준
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01R33/09 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/1933 , H01F10/1936 , H01F41/18 , H01F41/22 , H01F41/30 , H01F41/301 , Y10T428/1259 , Y10T428/32
摘要： 소정의 단결정 기판 상에 이중 페로브스카이트형 산화막을 형성한다. 다음으로, 산소-함유 분위기에 산화막을 위치시키고, 산화 처리한다. 그 결과, 산화막에 산소를 초과 주입함으로써, 하프 금속/절연체/하프 금속 접합이 형성되고, 그 곳에서 MR 효과가 발생된다.

4. 发明授权

KR100492482B1 ＰＥＭＢＥ로 제조된 상온 자성반도체 및 그 소자 失效
标题翻译：由等离子体增强分子束外延和基于半导体器件的室温光学半导体器件
公开(公告)号：KR100492482B1
公开(公告)日：2005-06-03
申请号：KR1020020053306
申请日：2002-09-04
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 이우영 , 한석희 , 장준연 , 김희중 , 이정미 , 명재민
IPC分类号： H01L43/00 , C30B29/38 , H01F10/193
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F1/404 , H01F10/193 , H01F10/3213 , H01F41/30 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L29/66984 , H01L33/40 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要： A 3 group - 5 group compound ferromagnetic semiconductor, comprising one material 'A' selected from the group of Ga, Al and In and one material 'B' selected from the group consisting of N and P, wherein one material 'C' selected from the group consisting of Mn, Mg, Co, Fe, Ni, Cr and V is doped as a material for substituting the material 'A', the compound semiconductor has a single phase as a whole. The ferromagnetic semiconductor can be fabricated by a plasma-enhance molecular beam epitaxy growing method and since it shows the ferromagnetic characteristics at a room temperature, it can be applied as various spin electron devices.

5. 发明公开

KR1020040076254A 나노 크기 입자의 생산을 위한 핵심 방법으로서 무선주파수가 조사되는 냉각 액체를 사용하는 열처리 방법 失效
标题翻译：热处理作为用于使用冷却液，其是无线电频率辐照产生纳米 - 尺寸的颗粒的芯的方法
公开(公告)号：KR1020040076254A
公开(公告)日：2004-08-31
申请号：KR1020047008851
申请日：2002-12-12
申请人： 두-쿱 테크놀로지스 리미티드
发明人： 가바이,에란
IPC分类号： B82B3/00 , B82Y40/00 , B82Y25/00
CPC分类号： C01B13/145 , B01J19/129 , B01J2219/0879 , B22F1/0018 , B82Y25/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B13/322 , C01F11/22 , C01G23/006 , C01G41/02 , C01G49/0036 , C01P2004/04 , C01P2004/52 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C08J3/12 , H01F1/0054 , H01F41/30 , H01L41/187
摘要： 나노 입자를 제조하기 위한 방법이 개시된다. 본 방법은 고체 분말(1)을 가열하는 단계와, 상기 가열된 분말보다 차가운 액체(2)에 상기 고체를 침지하는 단계와, 상기 침지동안, 상기 액체를 RF 방사(3)로 조사하는 단계를 포함한다. 침지 단계 및 조사 단계는 상기 입자를 나노 입자로 분쇄하는 역할을 한다.

6. 发明授权

KR100993969B1 연자성 필름과 그것을 이용한 전자기파 대책 부품 및 전자기기 有权
标题翻译：软磁膜，使用这种软磁膜的电磁波对称测量部件和电子设备
公开(公告)号：KR100993969B1
公开(公告)日：2010-11-11
申请号：KR1020087008628
申请日：2006-09-07
申请人： 가부시끼가이샤 도시바 , 도시바 마테리알 가부시키가이샤
发明人： 이노우에데츠오
IPC分类号： H01F10/26 , H01F1/00 , H01F1/16 , H05K9/00
CPC分类号： H05K9/0088 , H01F10/132 , H01F41/18 , H01F41/30
摘要： 연자성 필름(1)은 복수의 요철부를 반복하여 마련한 절곡 형상을 갖는 기재 필름(3)과, 이 기재 필름(3)의 적어도 볼록부(4)의 정상면 및 오목부(5)의 바닥면에 형성된 전자성 박막(2)을 구비한다. 연자성 박막(2)은 투자율(μ')과 박막(T)의 곱이 불연속인 부분을 갖는다. 연자성 필름(1)은 전자기파 대책 부분으로서 이용된다.
연자성 필름, 기재 필름, 전자성 박막, 연자성 박막, 콜리메이션 스퍼터

7. 发明授权

KR100966094B1 나노 크기 입자의 생산을 위한 핵심 방법으로서 무선주파수가 조사되는 냉각 액체를 사용하는 열처리 방법 失效
标题翻译：涉及冷RF射频辐照液体的热过程作为生产纳米粒子的核心方法
公开(公告)号：KR100966094B1
公开(公告)日：2010-06-28
申请号：KR1020047008851
申请日：2002-12-12
申请人： 두-쿱 테크놀로지스 리미티드
发明人： 가바이,에란
IPC分类号： B82B3/00 , B82Y40/00 , B82Y25/00
CPC分类号： C01B13/145 , B01J19/129 , B01J2219/0879 , B22F1/0018 , B82Y25/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B13/322 , C01F11/22 , C01G23/006 , C01G41/02 , C01G49/0036 , C01P2004/04 , C01P2004/52 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C08J3/12 , H01F1/0054 , H01F41/30 , H01L41/187
摘要： 나노 입자를 제조하기 위한 방법이 개시된다. 본 방법은 고체 분말(1)을 가열하는 단계와, 상기 가열된 분말보다 차가운 액체(2)에 상기 고체를 침지하는 단계와, 상기 침지 중에 상기 액체를 무선주파수(3)로 조사하는 단계를 포함한다. 침지 단계 및 조사 단계는 상기 입자를 나노 입자로 분쇄하는 작용을 한다.

8. 发明公开

KR1020040021459A ＰＥＭＢＥ로 제조된 상온 자성반도체 및 그 소자 失效
标题翻译：使用PEMBE方法和使用该方法的电子设备制造的室温操作的FERROMAGNETIC SEMICONDUCTOR
公开(公告)号：KR1020040021459A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：KR1020020053306
申请日：2002-09-04
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 이우영 , 한석희 , 장준연 , 김희중 , 이정미 , 명재민
IPC分类号： H01L43/00 , C30B29/38 , H01F10/193
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F1/404 , H01F10/193 , H01F10/3213 , H01F41/30 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L29/66984 , H01L33/40 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要： PURPOSE: A room temperature operating ferromagnetic semiconductor fabricated by a PEMBE(Plasma-enhanced Molecular Beam Epitaxy) method and an electronic device using the same are provided to apply the magnetic semiconductor to a spin electron device by obtaining a characteristic of the magnetic semiconductor in the room temperature. CONSTITUTION: A room temperature operating ferromagnetic semiconductor fabricated by a PEMBE method includes a compound semiconductor of the third to the fifth group. The compound semiconductor is formed with one element A selected from Ga, Al, and In and one element B selected from N and P. The element A of the compound semiconductor is replaced by one element C selected from Mn, Mg, Co, Fe, Ni, Cr, and V. The Curie temperature of the room temperature operating magnetic semiconductor is more than the room temperature.
摘要翻译：目的：提供通过PEMBE（等离子体增强分子束外延）方法制造的室温操作铁磁半导体和使用其的电子器件，以通过获得磁性半导体的特性，将磁性半导体施加到自旋电子器件室内温度。构成：通过PEMBE法制造的室温操作铁磁半导体包括第三至第五组的化合物半导体。化合物半导体由选自Ga，Al和In的一种元素A和选自N和P的一种元素B形成。化合物半导体的元素A被选自Mn，Mg，Co，Fe， Ni，Cr和V.室温操作磁性半导体的居里温度大于室温。

9. 发明公开

KR1020010005774A 투자성 필름을 형성하는 방법 无效
标题翻译：形成投资电影的方法
公开(公告)号：KR1020010005774A
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019997008846
申请日：1999-01-18
申请人： 코닌클리케 필립스 엔.브이.
发明人： 블로에멘파스칼제이.에이치. , 루이그로크야코부스제이.엠.
IPC分类号： G11B5/85
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G11B5/3113 , G11B5/3163 , G11B5/3925 , G11B2005/3996 , H01F41/14 , H01F41/18 , H01F41/30
摘要： 적층과정동안표면에평행한자기장방향을갖는자기장(H)이상기표면근처에존재하도록, 자성체의적층에의해표면(3)에투자성필름(5)을형성하는방법이개시된다. 적층과정동안자성체의투자율을조정하기위해, 상기한방법은, 1) 최대(이때, L는이고, A는강자성재료의교환상수이며, K는단축이방성상수이다)에해당하는두께 (t+t)로강자성재료를적층하여투자층(2, 4)을형성함으로써투자성필름을적층하는단계와, 2) 투자층의형성과정동안 180°의각도에걸친변화를제외하고, 자기장의자기장방향을변화시키는단계를포함한다.

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