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1. 发明授权

KR101653213B1 디지털 노광 방법 및 이를 수행하기 위한 디지털 노광 장치 有权
标题翻译：用于实施曝光方法的数字曝光方法和数字曝光装置
公开(公告)号：KR101653213B1
公开(公告)日：2016-09-02
申请号：KR1020100015114
申请日：2010-02-19
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 윤상현 , 이희국 , 배상우 , 김차동 , 박정인
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03B27/526 , G03B27/52 , G03F7/70291 , G03F7/70508 , G03F7/70541
摘要： 디지털노광방법및 이를수행하기위한디지털노광장치에서, 기판에형성되는적어도 2개이상의패턴각각에대하여그래픽데이터시스템(GDS) 파일을제작한다. 상기그래픽데이터시스템(GDS) 파일로부터디지털마이크로미러디바이스(DMD) 온/오프데이터를생성한다. 상기디지털마이크로미러디바이스(DMD) 온/오프데이터에따라상기기판을노광한다. 따라서, 표시패널의패턴을형성하는메인노광과, 각표시패널과기판의고유번호를형성하고기판의주변부를제거하는주변노광을한번에일괄수행함에따라공정을단순화하여비용을절감할수 있다.

2. 发明公开

KR1020100053492A 노광방법, 노광장치 및 디바이스 제조방법 失效
标题翻译：曝光方法，曝光装置和制造装置的方法
公开(公告)号：KR1020100053492A
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：KR1020100027810
申请日：2010-03-29
申请人： 가부시키가이샤 니콘
发明人： 이리에노부유끼
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70525 , G03F7/70541 , G03F7/70633 , G03F7/70991 , Y10T428/12931 , Y10T428/12937 , Y10T428/12944 , H01L21/0274
摘要： PURPOSE: An exposure method, an exposure apparatus and a method for manufacturing a semiconductor device are provided to improve the quality of the semiconductor device by preventing the accumulation of process errors. CONSTITUTION: An exposure apparatus(10) exposures substrates(31) which are through a process apparatus. Mask patterns are transferred to the substrates. The process apparatus processes identical process with a plurality of processing units. An alignment unit arranges a plurality mark detectors on different positions. The mark detectors detect marks of the substrates.
摘要翻译：目的：提供一种曝光方法，曝光装置和制造半导体器件的方法，以通过防止过程错误的累积来提高半导体器件的质量。构成：曝光装置（10）曝光通过处理装置的基板（31）。掩模图案被转移到基底。处理装置处理与多个处理单元相同的处理。对准单元将多个标记检测器布置在不同位置。标记检测器检测基板的标记。

3. 发明公开

KR1020030087575A 노광방법, 노광장치 및 디바이스 제조방법 失效
公开(公告)号：KR1020030087575A
公开(公告)日：2003-11-14
申请号：KR1020030029030
申请日：2003-05-07
申请人： 가부시키가이샤 니콘
发明人： 이리에노부유끼
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70525 , G03F7/70541 , G03F7/70633 , G03F7/70991 , Y10T428/12931 , Y10T428/12937 , Y10T428/12944
摘要： 멀티처리대응의 처리장치에 의한 처리를 거친 후의 처리대상의 기판에 대해 노광처리할 때에 프로세스 오차가 누적되어 중첩 정밀도가 극단적으로 열화되는 것을 방지하여, 고품질의 반도체 장치를 고스루풋으로 제조할 수 있는 노광방법을 제공한다.
이를 위해, 본 발명의 노광방법에 따르면, 복수의 처리계 (11, 12) 를 갖는 노광장치 (10) 에 의해 감응기판 (31, 32 또는 33) 을 노광하고 마스크 (35) 상의 패턴을 그 감응기판 (31, 32 또는 33) 에 전사하는 방법으로서, 노광처리 이전에 복수의 처리계 (21, 22) 를 갖는 처리장치 (20) 에 의해 소정의 처리된 일련의 감응기판 (31) 에 대해 노광처리하는 경우에는, 상기 이전의 처리시에 상기 처리장치 (20) 의 동일 처리계 (21 또는 22) 에서 처리된 감응기판 (31, 32 또는 33) 은 상기 노광장치 (10) 의 상기 복수 처리계 중 어느 하나의 동일 처리계 (11 또는 12) 에서 처리되도록 상기 일련의 감응기판 (31) 을 상기 노광장치 (10) 의 상기 복수 처리계 (11, 12) 에 할당하여 노광한다

4. 发明公开

KR1020010068561A 마스크 재생방법 无效
标题翻译：面膜再生方法
公开(公告)号：KR1020010068561A
公开(公告)日：2001-07-23
申请号：KR1020000000524
申请日：2000-01-06
申请人： 한마스크(주)
发明人： 김수현 , 윤여선
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70541 , G03F1/38 , G03F1/68
摘要： PURPOSE: A regenerative method of a mask is provided to fabricate regenerated masks having the same performance as original masks using waste masks, thereby reducing manufacturing costs and preventing the environmental pollution due to waste masks. CONSTITUTION: In the first step, waste masks are collected. In the second step, pellicle, chrome, chrome oxide or polysilicon layer is removed from the waste masks. In the third step, a portion of total of the layer is newly deposited. In the fourth step, same patterns as original design are formed. In addition, a step for polishing a substrate of the masks over predetermined thickness can be added between the first to fourth steps. Further, a step marking a separate mark for verifying original masks and regenerative masks can be added.
摘要翻译：目的：提供掩模的再生方法，以制造具有与使用废物掩模的原始掩模相同性能的再生掩模，从而降低制造成本并防止由于废弃掩模引起的环境污染。规定：在第一步，收集废弃的面具。在第二步中，从废物掩模中除去防护薄膜，铬，氧化铬或多晶硅层。在第三步骤中，重新沉积该层的总数的一部分。在第四步中，形成与原始设计相同的图案。此外，可以在第一至第四步骤之间添加用于在预定厚度上抛光掩模的基板的步骤。此外，可以添加标记用于验证原始掩模和再生掩模的单独标记的步骤。

5. 发明授权

KR100179855B1 마킹장치가 구비된 얼라이너 失效
标题翻译：具有标记装置的对准器
公开(公告)号：KR100179855B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019950039347
申请日：1995-11-02
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 김광철
IPC分类号： H01L23/544
CPC分类号： G03F7/70541 , G03F9/70 , H01L21/681 , H01L23/544 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 마킹(MARKING)장치가 구비된 얼라이너(ALIGNER)에 관한 것으로, 종래에는 마킹장치와 노광(EXPOSURE)을 실시하기 위하여 조준/정렬을 하는 얼라이너가 별도로 구성되어 있어서, 시간의 절감에 따른 생산성을 향상시키는데 한계가 있는 문제점이 있었던 바, 본 발명은 노광장비의 조명계(10)에서 공급되는 광원을 이용하여 마킹을 실시할 수 있도록 하나의 장비에 마킹장치와 얼라이너를 구성하여, 웨이퍼 이동시간의 절감에 따른 생산성 향상의 효과가 있다.

6. 发明授权

KR101824748B1 다수의 기하학적 화소 이미지들을 병합하고 단일 변조기 화소 이미지를 생성하는 방법 有权
标题翻译：合并多个几何像素图像并生成单调制器像素图像的方法
公开(公告)号：KR101824748B1
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：KR1020127025985
申请日：2011-03-04
申请人： 마이크로닉 아베
发明人： 이반센라르스 , 외스테르베리안데르스
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/2051 , G03F7/70291 , G03F7/70508 , G03F7/70541 , G06F17/50
摘要： 본발명은, 커스텀패턴을직접기록하는것에의하여, 칩, 평판또는기판상에제조되는다른전자디바이스들과같은개개의워크피스들을커스텀화하는것에관한것이다. 커스텀화 (Customization) 는디바이스에대하여, 기판에대하여, 배치에대하여또는커스텀마스크또는마스크세트를사용하는것을실행불가능하게만드는어떤다른작은부피에서이루어질수 있다. 특히, 본발명은, 기판상의감 방사선층에형성된잠재이미지를커스텀화하고, 표준및 커스텀패턴데이터를병합하여커스텀화된잠재이미지를생성하는데사용되는커스텀패턴을형성하는것에관한것이다. 광범위하게다양한기판들이개시된기술로부터이익을얻을수 있다.
摘要翻译：本发明涉及通过直接书写定制图案来定制个体工件，诸如芯片，平板或在基板上生产的其他电子装置。定制可以是每个器件，每个衬底，每批或者其他一些小的体积，这使得使用定制掩模或掩模组不可行。具体地，涉及定制在衬底上的辐射敏感层中形成的潜像，合并标准和定制图案数据以形成用于产生定制潜像的定制图案。所公开的技术可以使各种衬底受益。

7. 发明公开

KR1020170048157A 리소그래피 인그레이빙 머신 审中-实审
标题翻译：光刻雕刻机
公开(公告)号：KR1020170048157A
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020160128200
申请日：2016-10-05
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 린후웨이 , 쉬치시엔 , 우위헌 , 천하이인 , 왕잉하오 , 치우위웨이
IPC分类号： G03F7/20 , H01L23/544 , H01L21/027
CPC分类号： H01L23/544 , G03F7/70141 , G03F7/70541 , H01L21/0274 , H01L21/3086 , H01L21/67282 , H01L2223/54426 , H01L2223/54433
摘要： 몇몇의실시예들에서, 본발명개시는리소그래피기판마킹툴에관한것이다. 리소그래피기판마킹툴은공유된하우징내에배열되고복수의노광들동안에제1 유형의전자기방사선을생성하도록구성된제1 리소그래피노광툴을갖는다. 이동식레티클은반도체기판위에있는감광성물질내에기판식별마크를노광하도록제1 유형의전자기방사선의일부를차단하도록각각구성된복수의상이한레티클필드들을갖는다. 복수의레티클필드들의개별적인레티클필드들이복수의노광들의개별적인노광들동안에감광성물질상에노광되도록횡단엘리먼트가이동식레티클을이동시키도록구성된다. 이에따라, 이동식레티클은동일한레티클을이용하여감광성물질내에기판식별마크들의상이한문자열들이형성되도록함으로써, 리소그래피기판마킹의경제적장점들을제공한다.
摘要翻译：在一些实施例中，本公开涉及一种光刻衬底标记工具。该平版印刷衬底标记工具具有第一光刻曝光工具，该第一光刻曝光工具被布置在共享外壳中并被配置为在多次曝光期间产生第一类型的电磁辐射。可去除的掩模版具有多个不同的掩模版字段，每个掩模字段被配置为阻挡第一类型的电磁辐射的一部分以暴露半导体衬底上的感光材料中的衬底识别标记。横向元件被配置为移动可移动掩模版，使得多个掩模版字段中的单独掩模字段在多次曝光的相应曝光期间曝光在感光材料上。因此，通过使用不同的分划板在光敏材料内形成衬底识别标记的不同字符串，可移动分划板提供了平版印刷衬底标记的经济优势。

8. 发明授权

KR100682609B1 마스크 없는 어플리케이션의 기판상의 오류 표시 시스템 및방법 有权
标题翻译：系统和方法，用于在基层应用中的故障指示
公开(公告)号：KR100682609B1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1020050132222
申请日：2005-12-28
申请人： 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
发明人： 호엑스마르티누스헨드리쿠스헨드리쿠스
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/02
CPC分类号： G03F7/70508 , G03F7/70291 , G03F7/70541 , G03F7/70616
摘要： 본 발명은, 기판상의 오류 표시를 위한 방법 및 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 방법은 다음의 단계들을 포함한다. 데이터가 1이상의 의구성 있는 비트를 포함하는지의 여부가 결정된다. 패턴 생성기는 상기 데이터를 이용하여 제어된다. 방사선 빔은 상기 패턴 생성기를 사용하여 패터닝된다. 패터닝된 방사선 빔의 피처들은 기판의 타겟부상에 투영된다. 패터닝된 빔의 1이상의 마커들은 1이상의 의구성 있는 비트와 대응되는 타겟부들을 표시하는 기판상에 투영된다.

9. 发明公开

KR1020060067856A 레티클 처리 시스템 无效
标题翻译：反应处理系统
公开(公告)号：KR1020060067856A
公开(公告)日：2006-06-20
申请号：KR1020050122648
申请日：2005-12-13
申请人： 미라이얼 가부시키가이샤
发明人： 마츠토리,치아키 , 야나기하라,코이치
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67353 , G03F1/42 , G03F1/66 , G03F7/70541 , G03F7/70741 , H01L21/67005 , H01L21/67359 , H01L21/67383 , H01L21/67386
摘要： 방향이 잘못 장착된 레티클 반송용기(11)를 자동적으로 수정한다. 레티클 반송용기(11)와, 레티클 반송용기(11)를 반송(搬送)하는 반송수단(4), (5)과, 회로 패턴을 인화하는 노광기(露光機)와, 복수의 레티클(12)을 보관하는 레티클 스토커(2)를 구비한 레티클 처리 시스템이다. 레티클 스토커(2)로부터 노광기(1)의 인화 위치까지의 경로에 레티클 반송용기(11)의 방향을 검출하여 레티클 반송용기(11)를 적절한 방향으로 변경시키는 방향 변경수단(81)을 구비했다. 방향 변경수단(81)은 레티클 반송용기(11)를 회전시키는 회전 구동부(82)와, 레티클 스토커(2)로부터 노광기(1)의 인화 위치까지의 경로 중 어느 쪽인가에 설치되어 레티클 반송용기(11)의 방향을 검출하는 방향 검출수단(83)과, 방향 검출수단(83)으로 검출된 방향이 180°어긋나 있는 경우에 회전 구동부(82)를 제어하여 정규 방향으로 수정하는 제어부(84)를 구비했다.
방향 변경수단, 방향 검출수단, 회전 구동부, 제어부, 레티클 반송용기

10. 发明公开

KR1020040048856A 집적 회로 식별 无效
标题翻译：集成电路识别使用芯片规模自定义标识
公开(公告)号：KR1020040048856A
公开(公告)日：2004-06-10
申请号：KR1020030087264
申请日：2003-12-03
申请人： 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 마쯔나미아끼라
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： G01N21/86 , G01R31/26 , G03F1/38 , G03F7/70291 , G03F7/70383 , G03F7/70541 , H01L23/544 , H01L2223/54406 , H01L2223/54433 , H01L2223/54473 , H01L2223/5448 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: An IC(Integrated Circuit) identification is provided to improve marking on an IC chip by using a chip scale custom identification mark for each chip of a wafer. CONSTITUTION: A reticle(300) with a plurality of liquid crystal pixels is provided. A semiconductor wafer(302) is located near to the reticle. Radiation is firstly directed through the first liquid crystal pixels to the first position of the wafer. The positions of the wafer and the reticle are relatively changed. The radiation is secondly directed through the second liquid crystal pixels to the second position of the wafer. The first mark is formed on the first position by the first radiation and the second mark is formed on the second position by the second radiation. The first mark is different from the second mark.
摘要翻译：目的：提供IC（集成电路）识别，通过为晶片的每个芯片使用芯片级自定义识别标记来改善IC芯片上的标记。构成：提供具有多个液晶像素的掩模版（300）。半导体晶片（302）位于掩模版附近。首先将辐射通过第一液晶像素引导到晶片的第一位置。晶片和掩模版的位置相对变化。辐射二次通过第二液晶像素引导到晶片的第二位置。第一标记通过第一辐射在第一位置上形成，第二标记由第二辐射形成在第二位置。第一个标记与第二个标记不同。

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