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1. 发明授权

KR101780316B1 탄소소재를 활용한 전기방식용 전위측정 전극유니트 有权
标题翻译：使用碳材料的电极电位测量电极单元
公开(公告)号：KR101780316B1
公开(公告)日：2017-09-27
申请号：KR1020160051394
申请日：2016-04-27
申请人： 주식회사 이엔이
发明人： 고성호 , 양대섭 , 유동수 , 김지형
IPC分类号： G01N17/04 , G01N27/07 , G01N27/00
CPC分类号： G01N17/04 , G01N27/002 , G01N27/07
摘要： 본발명은전기방식용전위측정전극유니트에관한것으로서, 지중에매설된방식대상물(30)의방식전위를측정하기위한것으로서, 상기방식대상물(30) 부근의지중에매설되는제1전극유니트(10); 및상기제1전극유니트(10)와이격거리(D) 만큼이격되게매설되는것으로서, 그제1전극유니트(10)와의상대적인비교전위를측정하는제2전극유니트(20)를포함하는것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于测量埋入地下的悬浮物体30的静电电位的电位测量电极单元，并包括埋在悬挂物体30附近的第一电极单元10，。以及第二电极单元20，其与第一电极单元10间隔距离D并测量相对于第一电极单元10的相对电位。

2. 发明公开

KR1020120016990A 미세유체 채널 시스템을 이용한 그래핀의 패터닝방법 有权
标题翻译：使用微流体系统的图形绘制方法
公开(公告)号：KR1020120016990A
公开(公告)日：2012-02-27
申请号：KR1020110053719
申请日：2011-06-03
申请人： 중앙대학교 산학협력단
发明人： 김수영 , 장석태 , 김성태 , 박연실 , 고영운 , 최경순 , 조성립
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/027 , G01N27/00
CPC分类号： H01L21/02002 , G01N27/002 , G01N27/005 , G01N27/007 , H01L21/02019 , H01L21/0273 , H01L21/0274
摘要： PURPOSE: A method for patterning graphene using a micro fluidic channel system is provided to form graphene patterning of various types by reducing graphene oxide according to a channel shape. CONSTITUTION: A graphene oxide layer is formed on the top of a substrate. A micro fluidic channel layer is formed on the graphene oxide layer. An insulating layer is formed on the top of the substrate. The micro fluidic channel layer positions a metal wire in both entrances of a channel. The micro fluidic channel layer is composed of polymer or glass materials. Graphene oxide resolves into grapheme by adding heat on the channel site of a micro fluidic channel system. Liquid metal or ionic liquid are injected in the channel.
摘要翻译：目的：提供使用微流体通道系统图案化石墨烯的方法，以通过根据通道形状还原石墨烯氧化物形成各种类型的石墨烯图案化。构成：在衬底的顶部上形成石墨烯氧化物层。在石墨烯氧化物层上形成微流体通道层。在基板的顶部形成绝缘层。微流体通道层将金属线定位在通道的两个入口中。微流体通道层由聚合物或玻璃材料组成。氧化石墨烯通过在微流体通道系统的通道位置加热来解析成图形。液体金属或离子液体注入通道。

3. 发明授权

KR101921803B1 시그마-델타 아날로그-디지털 변환기 有权
公开(公告)号：KR101921803B1
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：KR1020167020647
申请日：2014-12-15
申请人： 베릴리 라이프 사이언시즈 엘엘시
发明人： 다스트그헤이브,알리레자 , 오티스,브라이언
IPC分类号： G05F3/02 , G01N27/327 , G01N27/00 , G01N27/48
CPC分类号： G01N27/3273 , G01N27/00 , G01N27/002 , G01N27/48 , G01N33/48785 , G05F3/02
摘要： 전위가변기는전압조정기, 전류미러, 커패시터, 비교기, 전류소스, 및카운터를포함한다. 전압조정기는전기화학센서의작업전극상의전압을유지한다. 전류미러는작업전극으로부터입력된전류를미러링하는미러전류를생성한다. 커패시터는교대로, 미러전류에의해충전되어, 커패시터전압을전류의크기와관련된비율로증가시키고, 제어전류에의해방전되어, 커패시터전압을감소시킨다. 비교기는커패시터전압의변화에기초하여상향및 하향전이를포함하는파형을출력한다. 전류소스는파형에기초하여제어전류를생성한다. 카운터는디지털출력을생성하기위해사전결정된샘플링주기동안파형에서의상향또는하향전이의수를카운트한다. 디지털출력은입력전류의크기를나타낸다.

4. 发明授权

KR100929768B1 비-진동 접촉 전위차 센서와 제어되는 조명을 이용하는반도체 검사 시스템 및 장치 有权
标题翻译： 비 - 진동접촉전위차센서와제어되는조명을이용하는반도체사사템및장치
公开(公告)号：KR100929768B1
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：KR1020080018060
申请日：2008-02-28
申请人： 큐셉트 테크놀로지스 인크.
发明人： 호손,제프리앨런 , 스틸,엠.브랜든 , 양,예유안 , 슐츠,마크
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01N27/002 , G01R31/2648 , G01R31/2656
摘要： 반도체의 표면 상의, 또는 반도체 내부의 결함, 또는 오염물질을 식별하기 위한 방법 및 시스템이 제공된다. 상기 방법 및 시스템은 반도체 웨이퍼 등의 표면을 갖는 반도체를 제공하는 단계와, 비-진동 접촉 전위차 센서를 제공하는 단계와, 제어가능한 강도, 또는 파장의 분포를 갖는 조명원을 제공하는 단계와, 상기 조명원을 이용하여, 비-진동 접촉 전위 센서 프로브 탐침의 아래, 또는 근방에서 웨이퍼의 표면의 제어된 조명을 제공하는 단계와, 상기 비-진동 접촉 전위차 센서를 이용하여, 제어된 조명 동안 웨이퍼 표면을 스캔하는 단계와, 웨이퍼 표면을 가로질러 접촉 전위차의 변화를 나타내는 데이터를 발생시키는 단계와, 결함, 또는 오염물질의 패턴 특성을 식별하기 위해 데이터를 처리하는 단계를 포함한다.
摘要翻译：一种用于识别半导体表面或半导体表面上的缺陷或污染的方法和系统。该方法和系统涉及提供具有诸如半导体晶片（105）的表面（106）的半导体，提供非振动接触电势差传感器（101），提供具有可控强度或分布的光照源（109）使用照明源以使用非振动接触电势差传感器（101）在非振动接触电势传感器探针尖端（102）之下或附近提供晶片表面（106）的受控照明以扫描在受控照明期间的晶片表面（106），产生代表晶片表面上的接触电位差变化的数据，并且处理该数据以识别缺陷或污染的图案特征。

5. 发明公开

KR1020050105197A 웨이퍼 검사 시스템 无效
标题翻译：波浪检测系统
公开(公告)号：KR1020050105197A
公开(公告)日：2005-11-03
申请号：KR1020057014305
申请日：2004-02-03
申请人： 큐셉트 테크놀로지스 인크.
发明人： 스틸레,엠,브랜든 , 호손,제프리,알란 , 김,춘호 , 소웰,데이비드,씨.
IPC分类号： G01N27/00 , G12B21/02 , H01L21/66
CPC分类号： G01N27/002 , G01N2033/0095
摘要： A method and system for identifying a defect or contamination on a surface of a material. The method and system involves providing a material, such as a semiconductor wafer, using a non- vibrating contact potential difference (NVCPD) sensor to scan the wafer, generate contact potential difference data and processing that data to identify a pattern characteristic of the defect or contamination.
摘要翻译：用于识别材料表面上的缺陷或污染的方法和系统。该方法和系统包括使用非振动接触电位差（NVCPD）传感器提供诸如半导体晶片的材料来扫描晶片，产生接触电位差数据并处理该数据以识别缺陷的图案特性或污染。

6. 发明公开

KR1020170137641A 수평형 플로팅 게이트를 갖는 FET형 센서의 펄스 구동 방법 审中-实审
标题翻译：具有水平浮动栅极的FET型传感器的脉冲驱动方法
公开(公告)号：KR1020170137641A
公开(公告)日：2017-12-13
申请号：KR1020170068246
申请日：2017-06-01
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 이종호 , 신종민
IPC分类号： G01N27/414 , G01N27/00
CPC分类号： G01N27/4141 , G01N27/002 , G01N27/16 , G01N33/0031 , H01L29/42328 , H01L29/788
摘要： 본발명은수평형플로팅전극을가지는 FET형센서의펄스구동방법에관한것이다. 상기 FET 형센서의펄스구동방법은, 상기제어전극에하나또는둘 이상의펄스형태의읽기준비전압(pre-bias())를인가하는읽기준비단계; 및상기제어전극에하나또는둘 이상의펄스형태의읽기전압(read-bias () )을인가하고, 상기드레인과소스사이에는상기읽기전압펄스와동기화된펄스전압()을인가하는읽기단계;를구비한다. 제어전극의입력단자에인가되는 pre-bias 펄스전압의폭이나크기에따라반응성및 회복시간을개선시킬수 있고, 산화성및 환원성가스의구분이가능하다. 또한, 읽기구간에만 FET형센서에전류가흐르기때문에전력소모를크게줄일수 있다. 또한, 본발명에따른펄스구동방법은히터를내장한 FET형센서에도적용될수 있다. Heater의 heating-bias, pre-bias, read-bias 펄스의폭, 크기, 순서, 개수를조합하여인가해줌으로써, 반응시 감지물질층을가열시켜반응및 회복특성을개선시킬수 있다. 또한, 읽기구간을제외한 pre-bias 와 heating구간에서는센서에전류가흐르지않기때문에소비전력을낮출수 있어저전력, 모바일제품에적용이가능하다.
摘要翻译：本发明涉及具有水平浮动电极的FET型传感器的脉冲驱动方法。所述FET型传感器的脉冲驱动方法包括：读取准备步骤，向所述控制电极施加一个或两个或更多个准备好读取电压的脉冲（预偏置（））; 以及读取步骤，将一个或多个脉冲的读取电压（read-bias（））施加到控制电极，并且在漏极和源极之间施加与读取电压脉冲同步的脉冲电压（）的。根据施加到控制电极的输入端的预偏置脉冲电压的宽度或尺寸可以改善反应性和恢复时间，并且可以区分氧化和还原气体。另外，由于电流仅在读取部分流过FET型传感器，所以功耗可以大大降低。根据本发明的脉冲驱动方法也可以应用于具有内置加热器的FET型传感器。通过应用加热偏置，预偏置和读偏置脉冲宽度，尺寸，顺序和加热器数量，可以通过在反应期间加热感测材料层来改善反应和恢复特性。另外，在除了读取部分之外的预偏置和加热部分中，由于电流不流入传感器，所以可以降低功耗，从而可以将其应用于低功率和移动产品。

7. 实用新型

KR2020140003427U 유선 금속판별장치 无效
标题翻译：有线金属识别装置
公开(公告)号：KR2020140003427U
公开(公告)日：2014-06-10
申请号：KR2020120011097
申请日：2012-11-30
申请人： 임용철
发明人： 임용철
IPC分类号： G01N27/00 , G01N25/00 , G01N33/20
CPC分类号： G01N27/002 , G01N33/20 , H01L35/28
摘要： 본 고안은 금속의 종류를 판별하기 위한 장치로 간편하게 설치하여 사용할 수 있다. 금속의 열기전력을 측정하여 판별하는데, 두 개의 탐침을 판별할 대상의 금속에 접촉하여 한 쪽의 탐침(가열탐침)에 일정한 열을 가하면 다른 한 쪽의 탐침(전압수신탐침)과의 사이에 열기전력이 발생하게 된다. 이것을 제베크효과(Seebeck Effect)라고 하여 전기발전 등의 용도에 응용되기도 한다. 이와같은 방법의 금속판별장치가 현존하기는 하나 복잡한 구조일뿐 아니라 가격이 비싸다. 본 고안은 간단한 전압측정방법과 장치로 작동이 되는데 전원을 온(on)시키면 디스플레이 화면이 켜지며 발열체가 가열되기 시작하면서 가열탐침에도 온도가 올라가기 시작한다. 잠시 후 가열탐침이 설정한 온도까지 올라가면 가열탐침과 전압수신탐침을 동시에 판별하고자하는 금속에 접촉시키면 열기전력인 전압이 발생되어 디스플레이 화면에 측정된 전압이 출력되고 그 전압의 값으로 금속의 종류를 판별하게 된다. 본 고안은 기존의 방식과 비교하여 저렴한 비용으로 효율적으로 이용될 수 있을 뿐 아니라 환경과 인체에도 유해하지 않은 효과를 볼 수 있다.

8. 发明公开

KR1020080082457A 비-진동 접촉 전위차 센서와 제어되는 조명을 이용하는반도체 검사 시스템 및 장치 有权
标题翻译：半导体检测系统和使用非接触式潜在差分传感器和控制照明的设备
公开(公告)号：KR1020080082457A
公开(公告)日：2008-09-11
申请号：KR1020080018060
申请日：2008-02-28
申请人： 큐셉트 테크놀로지스 인크.
发明人： 호손,제프리앨런 , 스틸,엠.브랜든 , 양,예유안 , 슐츠,마크
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01N27/002 , G01R31/2648 , G01R31/2656
摘要： A semiconductor inspection system and an apparatus utilizing a non-vibrating contact potential difference sensor and a controlled illumination are provided to minimize a height signal by minimizing an average potential between a probe tip and a wafer surface. A semiconductor includes a wafer(105) having a wafer surface(106). A contact potential difference sensor(101) has a probe tip(102). An illumination energy source(109) is connected to the wafer surface. A unit provides a variable illumination. Illumination energy is detected on a region of the wafer surface including a sampling region that is located on an adjacent unit of the probe tip of the contact potential difference sensor. While a surface of the semiconductor is illuminated by the illumination energy, the wafer surface is scanned in parallel with the contact potential difference sensor. Sensor data indicating the change of contact potential difference between the probe tip of the sensor and the wafer surface is generated as the probe tip of the sensor scans the wafer surface in parallel. The data of the contact potential difference sensor is processed to detect a pattern indicating a nonuniform section.
摘要翻译：提供半导体检查系统和利用非振动接触电位差传感器和受控照明的装置，通过最小化探针尖端和晶片表面之间的平均电位来最小化高度信号。半导体包括具有晶片表面（106）的晶片（105）。接触电位差传感器（101）具有探头（102）。照明能量源（109）连接到晶片表面。一个单元提供可变照明。在晶片表面的区域上检测照明能量，该区域包括位于接触电位差传感器的探针尖端的相邻单元上的采样区域。当半导体的表面被照射能量照射时，晶片表面与接触电位差传感器并联扫描。传感器数据表示传感器的探针尖端与晶片表面之间的接触电位差的变化，因为传感器的探针尖端平行扫描晶片表面。处理接触电位差传感器的数据以检测指示不均匀部分的图案。

9. 发明公开

KR1020070112156A 검사 시스템 및 장치 有权
标题翻译：检查系统和装置
公开(公告)号：KR1020070112156A
公开(公告)日：2007-11-22
申请号：KR1020077020655
申请日：2006-03-06
申请人： 큐셉트 테크놀로지스 인크.
发明人： 스틸엠.,브랜던 , 호손,제프리앨런
IPC分类号： G01N27/00 , H01L21/66
CPC分类号： G01R31/312 , G01N27/002 , G01N2033/0095
摘要： A method and system for identifying a defect or contamination on a surface of a sample. The system operates by detecting changes in work function across a surface via both vCPD and nvCPD. It utilizes a non-vibrating contact potential difference (nvCPD) sensor for imaging work function variations over an entire sample. The data is differential in that it represents changes in the work function (or geometry or surface voltage) across the surface of a sample. A vCPD probe is used to determine absolute CPD data for specific points on the surface of the sample. The combination of vibrating and non-vibrating CPD measurement modes allows the rapid imaging of whole-sample uniformity, and the ability to detect the absolute work function at one or more points.
摘要翻译：用于识别样品表面上的缺陷或污染物的方法和系统。该系统通过检测通过vCPD和nvCPD的表面上的功函数的变化来进行操作。它使用非振动接触电位差（nvCPD）传感器来对整个样品的功函数变化进行成像。数据是差异的，因为它表示样品表面上的功函数（或几何或表面电压）的变化。 vCPD探针用于确定样品表面上特定点的绝对CPD数据。振动和非振动CPD测量模式的组合允许全样本均匀性的快速成像，以及在一个或多个点处检测绝对功能的能力。

10. 发明公开

KR1020070045786A 재질열화도 평가를 위한 전기비저항 측정장치 有权
标题翻译：用于评估材料劣化的电阻率测量装置
公开(公告)号：KR1020070045786A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：KR1020050102459
申请日：2005-10-28
申请人： 한국전력공사
发明人： 송기욱 , 현중섭
IPC分类号： G01R31/12 , B82Y15/00
CPC分类号： G01R31/1227 , G01N27/002 , G01R1/07307
摘要： 본 발명은 직류전위차법을 이용하여 재료의 열화정도를 측정하는 이동형 전기비저항 측정장치에 관한 것이다.
본 발명은, 시험편과 접촉하는 다수개의 접촉핀을 가지는 탐촉부; 상기 다수개의 접촉핀 중 2개의 접촉핀에 직류 전류를 공급하는 전류 공급부; 전류가 공급된 시험편에서 두 지점 사이의 전압을 측정하는 전압측정부; 상기 전류 공급부에 의하여 공급되는 전류를 측정하는 전류측정부; 상기 전압측정부에 의하여 측정된 값을 전달받아 시험편의 열화도를 계산하는 계산부;를 포함하는 재질열화도 평가를 위한 전기비저항 측정장치를 제공한다.
열화, 직류전위차법, 전기비저항법, 측정장치
摘要翻译：本发明涉及用直流电位差法测定材料的劣化程度的移动型电阻率测定装置。

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