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1. 发明公开

KR20180026346A 염 및 상기 염을 포함하는 포토레지스트 조성물 审中-公开
标题翻译：盐和光刻胶组合物含有该
公开(公告)号：KR20180026346A
公开(公告)日：2018-03-12
申请号：KR20170111406
申请日：2017-08-31
申请人： SUMITOMO CHEMICAL CO
发明人： YOSHIDA ISAO , ICHIKAWA KOJI
IPC分类号： C07C309/23 , G03F7/004 , G03F7/16 , G03F7/32
CPC分类号： C07C309/17 , C07C309/07 , C07C309/12 , C07C381/12 , C07C2601/14 , C07C2602/42 , C07C2603/74 , C07C2603/98 , C07D307/33 , C07D307/77 , C07D317/72 , C07D319/08 , C07D321/10 , C07D327/06 , C07D327/08 , C07D333/46 , C07D335/02 , C07F7/08 , G03F7/0045 , G03F7/038 , G03F7/0392 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/322 , G03F7/38
摘要： 화학식 (I)로나타낸염:[식에서, Q및 Q는각각독립적으로불소원자또는 C1-C6 퍼플루오로알킬기를나타내고, R및 R는각각독립적으로수소원자, 불소원자또는 C1-C6 퍼플루오로알킬기를나타내며, z는 0 내지 6의정수를나타내고, X은 *-C(=O)-O-, *-O-C(=O)-, *-O-C(=O)-O- 또는 -O-를나타내며, 여기서 *는 -C(R)(R)- 또는 -C(Q)(Q)-와의결합위치를나타내고, A은 C2-C36 2가탄화수소기를나타내며, 상기 2가탄화수소기내의메틸렌기는산소원자, 황원자, 카르보닐기또는술포닐기로치환될수 있고, 상기 2가탄화수소기내의수소원자는치환기로치환될수 있으며, R은수소원자또는메틸기를나타내고, Z는유기양이온을나타냄].
摘要翻译：其中Q和Q各自独立地表示氟原子或C1-C6全氟烷基，并且R和R各自独立地为氢原子，氟原子或C1-C6全氟烷基，（= O）-O - ， - O - ， - O - ， - O - ， - O-或-O- a表示，其中，*为-C（R）（R） - 或-C（Q）（Q） - 表示的键合部位具有，一个为C2-C36二价烃基表示烃飞行的二价亚甲基基团与氧原子，硫原子，羰基或磺酰基所取代，并且所述二价可以被取代基取代的氢在烃飞行源，恩洙R表示甲基或愿望这里，Z表示有机阳离子，

2. 发明授权

KR101774309B1 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 감활성광선성 또는 감방사선성 막 및 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：敏感的活性或辐射敏感树脂组合物，光化射线敏感或辐射敏感膜，以及形成图案的方法
公开(公告)号：KR101774309B1
公开(公告)日：2017-09-04
申请号：KR1020157013617
申请日：2013-12-25
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 카와바타타케시 , 타키자와히로오 , 시부야아키노리 , 고토아키요시 , 코지마마사후미 , 카토케이타
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , C07C309/17 , C07C309/19 , C07C309/24 , C07C311/48 , C07C317/04 , C07D211/06 , C07D307/10 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C309/06 , C07C309/12 , C07C309/17 , C07C309/29 , C07C311/48 , C07C317/04 , C07C381/12 , C07C2601/14 , C07C2603/74 , C07D217/06 , C07D295/185 , C07D327/06 , C07D333/46 , C07D333/48 , C07D333/76 , C07D335/02 , C07J9/005 , C07J17/00 , C07J31/006 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/20
摘要： 본발명은수지(A) 및하기일반식(I)의임의의화합물(B)을포함하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물을제공한다.[일반식중, Rf는불소원자, 또는적어도 1개의불소원자를함유하는 1가의유기기를나타내고; R은수소원자, 또는불소원자를함유하지않는 1가의치환기를나타내고; X은적어도 2개의탄소원자를갖는 1가의유기기, 또는불소원자이외의치환기가필요에따라도입되는메틸기를나타내고, 단 X은 R과결합하여환을형성해도좋고; Z는활성광선또는방사선으로노광되는경우에술폰산기, 이미드산기또는메티드산기로변환되는부위를나타낸다]
摘要翻译：本发明提供包含下述通式（I）的树脂（A）和任选的化合物（B）的光化射线或辐射敏感树脂组合物：其中Rf为氟原子，含有一个氟原子的一价有机基团; R表示氢原子，不含氟原子的一价取代基; X表示具有至少两个碳原子的一价有机基团或任选引入除氟原子以外的取代基的甲基，条件是X可以与R结合形成环; Z表示当暴露于光化射线或辐射时转化为磺酸基，亚胺酸基或甲基酸基的部分]

3. 发明公开

KR1020160085712A 염, 산 발생제, 포토레지스트 조성물, 및 포토레지스트 패턴의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：盐，酸发生器，光电组合物和生产光电子图案的方法
公开(公告)号：KR1020160085712A
公开(公告)日：2016-07-18
申请号：KR1020160001605
申请日：2016-01-06
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 사카모토히로무 , 이치카와고지
IPC分类号： C07D327/06 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/00
CPC分类号： C07D327/06 , C07C303/32 , C07C309/04 , C07C309/06 , C07C309/12 , C07C309/17 , C07C309/19 , C07D307/93 , C07D327/02 , C07D327/04 , C07D333/46 , C07D335/02 , C07D337/04 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/38
摘要： 식 (I)로나타내어지는염:(여기서, R은 C1 내지 C12 알킬기를나타내며, 당해알킬기에서의메틸렌기는산소원자또는카르보닐기로대체될수 있고; Q및 Q는각각독립적으로불소원자또는 C1 내지 C6 퍼플루오로알킬기를나타내고; A은 4 내지 24개의탄소원자를갖는락톤고리-함유기를나타내고; R는산 불안정기를나타내고; "m"은 0 내지 3의정수를나타냄).
摘要翻译：本发明涉及一种用于光致抗蚀剂组合物中的盐，其提供具有降低的线边缘粗糙度的良好光致抗蚀剂图案。盐由化学式（I）表示。在化学式（I）中，R 1是C 1 -C 12烷基，其中烷基中的亚甲基可以被氧原子或羰基取代; Q 1和Q 2中的每一个独立地表示氟原子或C 1 -C 6全氟烷基; A 1表示含有4-24个碳原子的含内酯基团; R 2表示酸性基团; m表示0〜3的整数。

4. 发明公开

KR1020150024233A 신규 기능성 산 발생제 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 有权
标题翻译：新功能酸发生器和包含该功能酸性发生器和耐光组合物
公开(公告)号：KR1020150024233A
公开(公告)日：2015-03-06
申请号：KR1020140023537
申请日：2014-02-27
申请人： 로움하이텍 주식회사
发明人： 박주현
IPC分类号： G03F7/028 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , C07C381/12 , C07D333/46 , C08F212/14 , C08F220/28 , C09D133/14 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0392
摘要： 본 발명은 하기 화학식 1, 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 산 발생제 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물을 제공한다.
[화학식 1]

[화학식 2]

[화학식 3]
摘要翻译：本发明涉及由化学式1，化学式2或化学式3表示的酸产生剂和包含其的光致抗蚀剂组合物。本发明的目的是提供具有响应于300nm或更大波长的新型官能团的新型酸产生剂。

5. 发明授权

KR101319142B1 신규 광산발생제 및 이것을 이용한 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：一种新型的光酸产生剂，使用其的抗蚀剂材料和形成图案的方法
公开(公告)号：KR101319142B1
公开(公告)日：2013-10-17
申请号：KR1020090024827
申请日：2009-03-24
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 오사와,요우이찌 , 긴쇼,다께시 , 와따나베,다께루 , 하세가와,고지 , 오하시,마사끼
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/312
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C25/18 , C07C309/12 , C07C381/12 , C07C2601/14 , C07C2602/42 , C07D333/46 , C07D493/08 , C07D493/18 , C08K5/42 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , Y10S430/111
摘要： 본 발명은 자외선, 원자외선, 전자선, EUV, X선, 엑시머 레이저, γ선, 또는 싱크로트론 방사선의 고에너지선에 감응하여, 하기 화학식 1a로 표시되는 술폰산을 발생하는 화학 증폭형 레지스트 재료용의 광산발생제를 제공한다.

ROC(=O)R
1 -COOCH
2 CF
2 SO
3
- H
+
(RO는 수산기, 또는 탄소수 1 내지 20의 오르가노옥시기를 나타낸다. R
1 은 탄소수 1 내지 20의 2가의 지방족기를 나타내고, RO와 함께 단환 또는 다환 구조를 형성할 수도 있다)
본 발명의 광산발생제는, 레지스트 재료 중 수지류와의 상용성이 양호하고, 산 확산 제어를 행할 수 있다. 이들 술폰산을 발생하는 광산발생제는 디바이스 제조 공정에서의 도포, 노광 전 소성, 노광, 노광 후 소성, 현상의 공정에 문제없이 사용할 수 있다. 또한 ArF 액침 노광시의 물에의 용출도 억제할 수 있을 뿐만 아니라, 웨이퍼 상에 남는 물의 영향도 적고, 결함도 억제할 수 있다.
신규 광산발생제, 레지스트 재료
摘要翻译：本发明紫外线，远紫外线，电子束，EUV，X-射线，准分子激光，γ射线，或同步加速响应于所述辐射的高能辐射，以矿用于化学放大型抗蚀剂，其生成由式表示的磺酸的组合物（1a）的代提供第一。

6. 发明公开

KR1020120033224A 염 및 포토레지스트 조성물 审中-实审
标题翻译：盐和光电组合物
公开(公告)号：KR1020120033224A
公开(公告)日：2012-04-06
申请号：KR1020110073918
申请日：2011-07-26
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤
发明人： 안류유카코 , 이치카와코지
IPC分类号： C07D333/46 , C07C309/70 , G03F7/004 , G03F7/00
CPC分类号： C07D333/46 , C07C309/70 , G03F7/00 , G03F7/0045 , G03F7/0046
摘要： PURPOSE: A photoresist composition and salt are provided to be used as an acid generator and to obtain photoresist pattern. CONSTITUTION: A salt for an acid generator is denoted by chemical formula I. The acid generator contains the salt of chemical formula I. A photoresist composition contains the acid generator and instable group in acid. The composition additionally contains basic compounds. A method for preparing a photoresist pattern comprises: a step of applying the photoresist composition on a substrate to form a photoresist composition layer; a step of drying the layer to form a photoresist film; a step of exposing the photoresist film; a step of heating the photoresist film; and a step of developing the photoresist film.
摘要翻译：目的：提供光致抗蚀剂组合物和盐以用作酸产生剂并获得光致抗蚀剂图案。构成：酸产生剂的盐由化学式I表示。酸产生剂含有化学式I的盐。光致抗蚀剂组合物含有酸产生剂和酸不稳定基团。该组合物另外含有碱性化合物。制备光致抗蚀剂图案的方法包括：将光致抗蚀剂组合物施加在基底上以形成光致抗蚀剂组合物层的步骤; 干燥该层以形成光致抗蚀剂膜的步骤; 曝光光刻胶膜的步骤; 加热光致抗蚀剂膜的步骤; 以及显影光致抗蚀剂膜的步骤。

7. 发明授权

KR101051648B1 감자극성 조성물, 화합물 및 상기 감자극성 조성물을사용한 패턴형성방법 失效
标题翻译：钾极性组成，钾极性组成的复合图形形成方法
公开(公告)号：KR101051648B1
公开(公告)日：2011-07-26
申请号：KR1020040056767
申请日：2004-07-21
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 고다마구니히코
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0392 , C07C381/12 , C07D333/46 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , Y10S430/108 , Y10S430/122
摘要： 감자극성 조성물은 특정 구조를 갖고, 외부 자극에 의해 산 및 라디칼 중 하나를 발생시키는 화합물(A)을 포함한다.
摘要翻译：马铃薯极性组合物包括具有特定结构并通过外部刺激产生酸和自由基之一的化合物（A）。

8. 发明公开

KR1020110083525A 염 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물 有权
标题翻译：含有它的盐和光催化剂组合物
公开(公告)号：KR1020110083525A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：KR1020110002656
申请日：2011-01-11
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 야마구치사토시 , 이치카와고지
IPC分类号： C07D265/30 , C07C381/12 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： C07D295/088 , C07D295/096 , C07D295/15 , C07D333/46 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , C08J7/14 , C07C381/12 , C07D265/30 , C09D133/08 , H01L21/027 , H01L21/0271
摘要： PURPOSE: A salt and a photoresist composition containing the same are provided to be usedin ArF excimer lithography, KrF eximer laser lithography, ArF immersion lithography, EUV lithography, and EUV immersion lithography. CONSTITUTION: A salt is denoted by chemical formula I. An acid generator contains the salt of chemical formula I. A photoresist composition contains the acid generator and resin. The resin contains a structure unit which is soluble in an alkaline solution by acid action. The composition additionally contains basic compounds. A method for preparing a photoresist pattern comprises: a step of applying a photoresist composition on a substrate; a step of drying to form a photoresist film; a step of exposing the photoresist film to radiation; a step of baking the photoresist film; and a step of developing the photoresist film by an alkaline developing solution.
摘要翻译：目的：提供含有它们的盐和光致抗蚀剂组合物用于ArF准分子光刻，KrF准分子激光光刻，ArF浸没光刻，EUV光刻和EUV浸没光刻。构成：盐由化学式I表示。酸产生剂含有化学式I的盐。光致抗蚀剂组合物含有酸发生剂和树脂。该树脂含有通过酸作用可溶于碱性溶液的结构单元。该组合物另外含有碱性化合物。制备光致抗蚀剂图案的方法包括：将光致抗蚀剂组合物涂布在基材上的步骤; 干燥以形成光致抗蚀剂膜的步骤; 将光致抗蚀剂膜暴露于辐射的步骤; 烘烤光刻胶膜的步骤; 以及通过碱性显影液显影光致抗蚀剂膜的步骤。

9. 发明公开

KR1020110062836A 포지티브 포토레지스트 조성물 无效
标题翻译：一个积极的光电组成
公开(公告)号：KR1020110062836A
公开(公告)日：2011-06-10
申请号：KR1020090119677
申请日：2009-12-04
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 김종환 , 홍승권 , 김성현
IPC分类号： G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0397 , C07D233/64 , C07D333/46 , C07D409/12 , G03F7/022 , G03F7/0226 , G03F7/0236 , G03F7/0758
摘要： PURPOSE: A positive photoresist composition is provided to improve productivity by improving a photosensitive speed of a resist, and to ensure excellent adhesion to a lower substrate and excellent residual film uniformity. CONSTITUTION: A positive photoresist composition comprises 100 parts by weight of an alkali-soluble resin, 10-20 parts by weight of photoresist and 0.005-10 parts by weight of additives. The additives include one kind selected from the group consisting of a compound represented by chemical formula 1, a compound represented by chemical formula 2, a compound represented by chemical formula 3, and mixture thereof.
摘要翻译：目的：提供正性光致抗蚀剂组合物以通过改善抗蚀剂的感光速度来提高生产率，并且确保对下基材的优异粘附性和优异的残留膜均匀性。构成：正性光致抗蚀剂组合物包含100重量份的碱溶性树脂，10-20重量份的光致抗蚀剂和0.005-10重量份的添加剂。添加剂包括选自由化学式1表示的化合物，由化学式2表示的化合物，由化学式3表示的化合物及其混合物组成的组中的一种。

10. 发明公开

KR1020110026199A 포토레지스트 제거용 조성물 无效
标题翻译：光电剥离组合物
公开(公告)号：KR1020110026199A
公开(公告)日：2011-03-15
申请号：KR1020090083994
申请日：2009-09-07
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 유경욱 , 최경미 , 김상태
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： G03F7/425 , C07C381/12 , C07D243/08 , C07D333/46 , C07D413/14 , C11D7/5013 , G03F7/0045 , G03F7/32 , G03F7/422
摘要： PURPOSE: A photo-resist eliminating composition is provided to effectively eliminate photo-resists and photo-resist residues remained after hard-baking, plasma etching, high temperature ashing processes. CONSTITUTION: An organic photo-resist eliminating composition includes the following: One or more compounds are selected from a group including a compound represented by chemical formula 1 and quaternary ammonium hydroxide. A compound is represented by chemical formula 2. One or more compounds are selected from a group including saccharides, sugar alcohols, C3-C10 hydroxyl cycloalkane compounds, aromatic hydroxyl compounds, acetylene alcohols, carboxylic acid compounds, anhydrides of the carboxylic acid compounds, and triazole compounds. One or more organic solvents are selected from a group including alkylene glycol-based compounds. Deionized water is prepared.
摘要翻译：目的：提供光致抗蚀剂消除组合物，以有效消除硬烘烤，等离子体蚀刻，高温灰化处理后残留的光致抗蚀剂和光致抗蚀剂残留物。构成：有机光致抗蚀剂消除组合物包括：一种或多种化合物选自由化学式1表示的化合物和季铵氢氧化物组成的组。化合物由化学式2表示。一种或多种化合物选自包括糖类，糖醇，C 3 -C 10羟基环烷烃化合物，芳族羟基化合物，乙炔醇，羧酸化合物，羧酸化合物的酸酐和三唑化合物。一种或多种有机溶剂选自包括亚烷基二醇类化合物的组。去离子水已经准备好了。

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