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1. 发明授权

KR100451487B1 반도체웨이퍼에칭방법 失效
公开(公告)号：KR100451487B1
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：KR1019980706372
申请日：1997-02-14
申请人： 램 리서치 코포레이션
发明人： 아브라함수잔씨.
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/32136 , C04B41/5338 , Y10S438/952
摘要： A method for etching a TiN layer of a wafer stack in a plasma processing chamber. The method includes the step of etching at least partially through the TiN layer using a first chemistry, which preferably includes a TiN etchant, a noble gas, and a polymer-forming chemical. In one embodiment, the TiN etchant is Cl2, the noble gas is argon, and the polymer-forming chemical is CHF3.
摘要翻译：一种用于在等离子体处理室中蚀刻晶片堆叠的TiN层的方法。该方法包括使用第一化学物质至少部分地蚀刻TiN层的步骤，该第一化学物质优选包括TiN蚀刻剂，稀有气体和形成聚合物的化学物质。在一个实施例中，TiN蚀刻剂是Cl 2，惰性气体是氩气，并且聚合物形成化学品是CHF 3。

2. 发明授权

KR100491199B1 반도체 웨이퍼 에칭에 의한 집적 회로 失效
标题翻译：用于蚀刻半导体波长的方法和装置
公开(公告)号：KR100491199B1
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：KR1020037016594
申请日：1997-02-14
申请人： 램 리서치 코포레이션
发明人： 아브라함,수잔씨.
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/32136 , C04B41/5338 , Y10S438/952
摘要： 플라즈마 공정 챔버(plasma processing chamber)에서 웨이퍼 층상구조의 TiN 층(TiN layer)을 에칭하는 방법이 공개된다. 본 발명은 제 1 화학물질을 이용하여 TiN 층(TiN layer)을 통하여 에칭하는 단계를 포함하며, 제 1 화학물질은 TiN 에칭제, 비활성기체 및 폴리머-형성 화학물질을 포함하는 것을 선호한다. 하나의 실시예에서, TiN 에칭제는 Cl
2 이고, 비활성기체는 아르곤이고, 폴리머-형성 화학물질은 CHF
3 이다.

3. 发明授权

KR101436083B1 석재 장식 방법 有权
标题翻译：使用石头的墙壁和地板的装饰方法
公开(公告)号：KR101436083B1
公开(公告)日：2014-08-29
申请号：KR1020140076681
申请日：2014-06-23
申请人： 주식회사 미래공간 , 유형식
发明人： 유형식
IPC分类号： B44C1/22 , B44C1/24 , C04B41/53 , B44C1/16 , B32B9/00
CPC分类号： B44C1/228 , B32B9/002 , B44C1/16 , B44C1/24 , C04B41/5338
摘要： The present invention relates to a decoration method of a wall and a floor using a stone material. More specifically, a laser process, a water jet inlay process, and a sand blasting process are performed on the stone material in a complex way. Engraved letters or drawings are then colored and coated with colored lacquer having a discoloration prevention function, thereby the decoration method enhancing the esthetic properties, corrosion resistance, and flame resistance of the wall decoration with the stone material. Accordingly, the wall or floor decoration on an inner side and an outer side of a building produced by the decoration method using the stone material of the present invention can be processed in a complex method by a laser process, a water jet inlay process, and a sand blasting process; have increased esthetic properties resulting from the application of the colored lacquer; have a coating layer; thus enhancing durability, flame resistance, acid resistance, and conservative properties even when used for a long time.
摘要翻译：本发明涉及使用石材的墙壁和地板的装饰方法。更具体地说，以复杂的方式对石材进行激光加工，水射流嵌入处理和喷砂处理。然后将雕刻的字母或图纸着色并涂上具有防变色功能的有色漆，从而提高了装饰方法，从而提高了墙面装饰与石材的美观性，耐腐蚀性和阻燃性。因此，通过使用本发明的石材的装饰方法生产的建筑物的内侧和外侧上的墙壁或地板装饰可以通过激光处理，水射流嵌入处理和喷砂工艺; 增加了由于着色漆的应用而产生的美学特性; 有涂层; 从而即使长时间使用也能提高耐久性，阻燃性，耐酸性和保守性。

4. 发明授权

KR101201164B1 실리콘 카바이드 구조물의 정제 방법 有权
标题翻译：纯化碳化硅结构的方法
公开(公告)号：KR101201164B1
公开(公告)日：2012-11-13
申请号：KR1020077004664
申请日：2005-03-30
申请人： 썬에디슨, 인크.
发明人： 샤이브,래리웨인 , 길모어,브라이언로렌스
IPC分类号： C04B35/16 , C04B41/91 , C23F1/00 , H01L21/302
CPC分类号： C04B41/5338 , C04B41/009 , C04B41/91 , H01L21/67098 , C04B35/565
摘要： 실리콘 카바이드 코팅된 실리콘 카바이드 구조물을 포함하는, 실리콘 카바이드 구조물의 정제 공정이 개시된다. 개시된 공정은 실리콘 카바이드 구조물의 철 오염량을 100 내지 1000배 감소시킬 수 있다. 정제 후, 실리콘 카바이드 구조물은 고온 실리콘 웨이퍼 공정에 사용하기에 적합하다.
실리콘 카바이드, 화학적으로 스트립핑, 철 오염, 고온 실리콘 웨이퍼 공정

5. 发明授权

KR1019950011098B1 탄소재의 내산화 처리방법 失效
标题翻译：碳材料的氧化处理方法
公开(公告)号：KR1019950011098B1
公开(公告)日：1995-09-28
申请号：KR1019930004892
申请日：1993-03-27
申请人： 대우중공업(주)
发明人： 김광수 , 한운섭 , 강희순
IPC分类号： C04B41/50
CPC分类号： C04B41/5094 , C04B41/009 , C04B41/53 , C04B41/5338 , C04B41/85 , C04B41/91 , C04B41/4535 , C04B41/5035 , C04B41/5064 , C04B41/5066 , C04B41/5092 , C04B35/52
摘要： The anti-oxidation treating method of a carbon material i.e. graphite, carbonaceous material or carbon composite material is characterized by ultrasonic cleaning, phosphoric acid cleaning and alcohol or acetone cleaning the carbon material, coating the surface of the carbon material with an anti-oxidation treating agent composed of 10-40% amorphous boron, 1-10% boron nitride, 1-5% silicon nitride, 3-10% Mn(H2PO4)2 2H2O, 30-60% orthophosphoric acid(H3PO4), 1-10% potassium hydroxide, 2-15% ammonia water and 1-7% silica sol, drying the coated carbon material at 200 deg.C. or more, and heat-treating it in the inert atmosphere at 500-600 deg.C. for 2-5 hr.
摘要翻译：碳材料（即石墨，含碳材料或碳复合材料）的抗氧化处理方法的特征在于超声波清洗，磷酸清洗和醇或丙酮清洗碳材料，用抗氧化处理涂覆碳材料表面由10-40％无定形硼，1-10％氮化硼，1-5％氮化硅，3-10％Mn（H 2 PO 4）2·2H 2 O，30-60％正磷酸（H 3 PO 4），1-10％氢氧化物，2-15％氨水和1-7％硅溶胶，在200℃干燥涂覆的碳材料。以上，在500〜600℃的惰性气氛中进行热处理。持续2-5小时。

6. 发明公开

KR1020070073736A 실리콘 카바이드 구조물의 정제 방법 有权
标题翻译：纯化碳化硅结构的方法
公开(公告)号：KR1020070073736A
公开(公告)日：2007-07-10
申请号：KR1020077004664
申请日：2005-03-30
申请人： 썬에디슨, 인크.
发明人： 샤이브,래리웨인 , 길모어,브라이언로렌스
IPC分类号： C04B35/16 , C04B41/91 , C23F1/00 , H01L21/302
CPC分类号： C04B41/5338 , C04B41/009 , C04B41/91 , H01L21/67098 , C04B35/565
摘要： Processes for the purification of silicon carbide structures, including silicon carbide coated silicon carbide structures, are disclosed. The processes described can reduce the amount of iron contamination in a silicon carbide structure by 100 to 1000 times. After purification, the silicon carbide structures are suitable for use in high temperature silicon wafer processing.
摘要翻译：公开了用于净化碳化硅结构的方法，包括碳化硅涂覆的碳化硅结构。所述方法可以将碳化硅结构中的铁污染物的量减少100至1000倍。纯化后，碳化硅结构适用于高温硅晶片加工。

7. 发明公开

KR1020040021612A 반도체 웨이퍼 에칭에 의한 집적 회로 失效
标题翻译：集成电路通过半导体晶圆蚀刻
公开(公告)号：KR1020040021612A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：KR1020037016594
申请日：1997-02-14
申请人： 램 리서치 코포레이션
发明人： 아브라함,수잔씨.
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/32136 , C04B41/5338 , Y10S438/952
摘要： 플라즈마 공정 챔버(plasma processing chamber)에서 웨이퍼 층상구조의 TiN 층(TiN layer)을 에칭하는 방법이 공개된다. 본 발명은 제 1 화학물질을 이용하여 TiN 층(TiN layer)을 통하여 에칭하는 단계를 포함하며, 제 1 화학물질은 TiN 에칭제, 비활성기체 및 폴리머-형성 화학물질을 포함하는 것을 선호한다. 하나의 실시예에서, TiN 에칭제는 Cl
2 이고, 비활성기체는 아르곤이고, 폴리머-형성 화학물질은 CHF
3 이다.

8. 发明授权

KR1019920003482B1 고정자기 디스크 장치용 헤드 코아 슬라이더의 제조방법 失效
标题翻译：头芯滑块制造方法
公开(公告)号：KR1019920003482B1
公开(公告)日：1992-05-01
申请号：KR1019890006921
申请日：1989-05-24
申请人： 닙폰가이시카부시키카이샤
发明人： 산다이지히데토 , 타께야후미노리 , 테라다노부히로
IPC分类号： G11B5/153
CPC分类号： C04B41/009 , B23K26/361 , C04B41/5338 , C04B41/91 , G11B5/1871 , G11B5/1878 , G11B5/6005 , Y10T29/49041 , Y10T29/49052 , Y10T29/49055 , C04B35/26
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