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1. 发明公开

KR1020170038145A 레이저 가공 장치 审中-实审
标题翻译：激光加工设备
公开(公告)号：KR1020170038145A
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：KR1020160113318
申请日：2016-09-02
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 오노에와카나 , 사와베다이키 , 노무라히로시 , 후지사와히사토시 , 만나미히데토시 , 다나카고헤이
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/268 , H01L21/76 , H01L21/683 , H01L21/677 , H01L21/687
CPC分类号： B23K26/0054 , B23K26/0676 , B23K26/0853 , B23K26/351 , B23K2203/56 , H01L21/67115 , H01L21/6719 , H01L21/67346 , H01L21/67778 , H01L21/68 , H01L21/68707 , H01L21/68714 , H01L21/78
摘要： 레이저가공장치로서, 제 1 척테이블을 X 축방향으로가공이송하는제 1 X 축이송수단과, 그 X 축방향에직교하는 Y 축방향으로가공이송하는제 1 Y 축이송수단과, 그제 1 척테이블에유지된피가공물에레이저광선을집광하는제 1 집광기와, 피가공물을유지하는제 2 척테이블과, 그제 2 척테이블을 X 축방향으로가공이송하는제 2 X 축이송수단과, X 축방향에직교하는 Y 축방향으로가공이송하는제 2 Y 축이송수단과, 그제 2 척테이블에유지된피가공물에레이저광선을집광하는제 2 집광기와, 레이저광선을발진하는레이저발진기와, 그레이저발진기가발진한레이저광선을그 제 1 집광기와그 제 2 집광기로분기하는광학계를포함한다.
摘要翻译：作为激光加工装置中，第二1个Y轴进给装置，转移到1 X轴进给昨天一个处理前一天装置，用于处理进料在X轴方向和Y轴方向正交的X轴方向上的一个表用于保持工件的第二卡盘工作台，用于在X轴方向上传送第二卡盘工作台的第二X轴传送工具，以及第二X轴传送工具，第二聚光器，用于将激光束会聚在保持在第二卡盘台上的工件上;激光振荡器，用于振荡激光束; 以及用于将振荡器发光激光束分离成第一集中器和第二集中器的光学系统。

2. 发明授权

KR101399838B1 표시 장치용 투명 기판의 측면 가공 방법 및 이를 이용한 가공 장치 有权
标题翻译：用于显示器件的透明基板的表面的表面处理方法和使用其的修整装置
公开(公告)号：KR101399838B1
公开(公告)日：2014-05-29
申请号：KR1020130119683
申请日：2013-10-08
申请人： 주식회사 고려반도체시스템
发明人： 박병성 , 이병헌 , 박병인 , 이현철
IPC分类号： G02F1/1333 , C03C23/00 , C03C25/62
CPC分类号： G02F1/133351 , B23K26/351 , C03C23/0025 , G02F2001/133354
摘要： The present invention relates to a side processing method of a transparent substrate for a display device and a processing device using the same. The present invention provides the side processing method of the transparent substrate for the display device and the processing device using the same comprising; a substrate cutting step of cutting a large sized substrate to become a transparent substrate of the size which is used in the display device; a cutting surface finishing step of finishing a cutting surface by irradiating the cutting surface with a first laser beam as the state in which the center of the first laser beam moves along a central path flowing the cutting surface of the transparent substrate; and a chamfer forming step of forming a chamfer which is inclined along one border of the cutting surface by irradiating the cutting surface with a second laser beam as the state in which the center of the second laser beam moves along one-sided path on the cutting surface which is one-sided towards a plane surface of the transparent substrate from a central line of the transparent substrate. The side processing method of the transparent substrate for the display device and the processing device using the same accurately processes the side of the transparent substrate within a short time with a high yield rate capable of minimizing a repetition rate of a fine crack.
摘要翻译：本发明涉及一种用于显示装置的透明基板和使用其的处理装置的侧面处理方法。本发明提供了一种用于显示装置的透明基板和使用其的处理装置的侧面处理方法，包括：切割大尺寸基板以成为所述显示装置所使用尺寸的透明基板的基板切断工序; 切割表面精加工步骤，通过用第一激光束照射切割表面来完成切割表面，作为第一激光束的中心沿着流过透明基板的切割表面的中心路径移动的状态; 以及倒角形成工序，其形成通过用第二激光束照射切割面而沿切削面的一个边界倾斜的倒角作为第二激光束的中心沿着切割的一侧路径移动的状态表面，其从透明基板的中心线向透明基板的平面表面单面。用于显示装置的透明基板的侧面处理方法和使用该透明基板的处理装置在短时间内以能够使细裂纹的重复率最小化的高产率精确地处理透明基板的一侧。

3. 发明授权

KR100558066B1 적층형 반도체 디바이스의 메탈 범프 리페어 장치 및 방법 失效
标题翻译：用于修复堆叠型半导体器件的金属凸块的装置和方法
公开(公告)号：KR100558066B1
公开(公告)日：2006-03-10
申请号：KR1020040034166
申请日：2004-05-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이강욱 , 정세영
IPC分类号： H01L23/50
CPC分类号： H01L21/485 , B23K26/351 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2224/0401
摘要： 본 발명은 다수 개의 반도체 칩(Chip) 또는 반도체 패키지(Package)가 메탈 범프(Metal Bump)에 의해 적층된 적층형 반도체 디바이스(Stack Type Semiconductor Devices)의 메탈 범프 리페어(Repair) 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 적층형 반도체 디바이스의 메탈 범프 리페어 장치는 적층형 반도체 디바이스가 고정되는 스테이지부와, 레이저 빔(Laser Beam)을 조사하는 레이저 빔 조사부와, 레이저 빔 조사부를 이동시키는 구동부와, 및 레이저 빔 조사부와 구동부를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 그리고, 본 발명에 따른 적층형 반도체 디바이스의 메탈 범프 리페어 방법은 적층형 반도체 디바이스의 메탈 범프가 검사되는 제 1 단계와, 불량 메탈 범프에 순차적으로 레이저 빔이 조사됨에 따라 불량 메탈 범프가 리페어되는 제 2 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 적층된 반도체 칩 또는 반도체 패키지의 분리없이 반도체 칩 또는 반도체 패키지를 투과하는 레이저 빔에 의해 불량 메탈 범프가 국부적으로 리페어되고, 이로 인해 제품 수율이 향상되며, 제조 공정비의 손실이 줄어든다.
적층형 반도체 디바이스, 메탈 범프, 리페어(Repair) 장치, 웨이퍼 레벨 적층 칩 패키지, 볼 그리드 어레이(BGA), 투과 레이저 빔, X-ray

4. 发明授权

KR101901077B1 전기 가열 영역을 갖는 패널 有权
公开(公告)号：KR101901077B1
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：KR1020177006019
申请日：2015-08-19
申请人： 쌩-고벵 글래스 프랑스
发明人： 샬귄터 , 슐츠발렌틴
IPC分类号： H05B3/84 , H05B3/12
CPC分类号： H05B3/86 , B23K26/351 , B23K2101/36 , H05B3/12 , H05B3/84 , H05B2203/005 , H05B2203/008 , H05B2203/011 , H05B2203/013 , H05B2203/016 , H05B2203/017
摘要： 본발명은적어도 - 표면(III), 길이 l을갖는제1 밑변부(1.1) 및길이 l를갖는제2 밑변부(1.2)를가지며밑변부(1.1, 1.2)의길이의비 v인 v = h:l:l가 0.70 : 1 내지 0.98 : 1인실질적사다리꼴형상의제1 패널(1), - 표면(III)의적어도일부상에형성된적어도하나의전기전도성코팅(6), - 가열영역(3)의제1 밑변부(3.1)가제1 패널(1)의제1 밑변부(1.1)에바로인접하여배열되고가열영역(3)의제2 밑변부(3.2)가제1 패널(1)의제2 밑변부(1.2)에바로인접하여배열되며가열영역(3)의제1 밑변부(3.1)의길이 b대가열영역(3)의제2 밑변부(3.2)의길이 b의비 b: b가 v : 0.99 내지 v : 0.50인, 적어도하나의분할선(9)에의해전기전도성코팅(6)으로부터전기적으로분할된실질적사다리꼴형상의적어도하나의전기가열영역(3), - 가열전류의전류경로(11)가버스바(5.1, 5.2) 사이에형성되도록전기가열영역(3)에서전기전도성코팅(6)에연결되는, 전압원(14)에의연결을위해제공된적어도 2개의버스바(5.1, 5.2)를포함하는전기가열영역(3)을갖는패널(100)에관한것이다.

5. 发明公开

KR1020170094393A 전기 가열 층을 갖는 투명 판유리 및 그의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：具有电加热层的透明平板玻璃及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170094393A
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：KR1020177019273
申请日：2015-12-10
申请人： 쌩-고벵 글래스 프랑스
发明人： 슈알귄터 , 슐츠발렌틴
IPC分类号： H05B3/84
CPC分类号： H05B3/84 , B23K26/351 , B23K2201/36 , H05B2203/003 , H05B2203/004 , H05B2203/005 , H05B2203/013 , H05B2203/014 , H05B2203/017 , H05B2203/031 , H05B2203/037
摘要： 본발명은판유리표면(III)의적어도일부상에서연장되고, 주가열구역(9) 및주 가열구역으로부터전기적으로격리된추가의가열구역(14)으로나뉘는전기가열층(6); 전압원(25)에전기적으로연결될수 있고, 적어도제1 집전도체(10) 및제2 집전도체(11)를포함하고, 공급전압이인가된후 가열전류(16)가가열층(6)에의해형성되는가열장(17)을가로질러흐르도록각 집전도체(10, 11)가전기전도방식으로직접접촉으로주 가열구역(9) 내가열층(6)에연결되는, 연결수단(10, 11, 12, 13, 13'); 가열층(6)의추가의가열구역(14)에서적어도일부세그먼트에배열되는적어도 1개의전기적선 가열요소(15, 15')를적어도포함하고, 여기서선 가열요소(15, 15')는직접접촉으로가열층(6)에전기전도방식으로연결되고, 선가열요소(15, 15')는가열장(17)과전기적으로평행하게주 가열구역(9) 내가열층(6)의연결수단(10, 11, 12, 13, 13')에전기적으로연결되고, 선가열요소(15, 15')는공급전압이인가된후 추가의가열구역(14)이가열될수 있도록하는옴 저항을가지며, 선가열요소(15, 15')는공급전압이가열요소(15, 15')의구간(18a, 18b) 사이에인가된후 가열전류가추가의가열구역(14) 내가열층(6)을통해흐를수 있고이러해서추가의가열구역(14)이추가로가열될수 있도록설계되는, 투명판유리(1)에관한것이다.
摘要翻译：是唯一地至少延伸过其一部分的本发明的玻璃表面（III），价格柱部（9）的电加热层从mitju加热区（6）分为进一步加热区中的电隔离的14; 并且至少第一集流导体10和第二集流导体11与电压源25电连接并且其中通过加热层6施加加热电流16 （10,11,12,12），其中主加热部分（9）连接到与导电体（10,11）直接接触的加热层（6） 13，13'）; 至少一个电图形的加热元件（15，15“），以至少包含，其中所述管线加热部件（15，15”）加入到该阵列中的至少一些段在加热层6的加热部14是直接并且线加热元件15和15'电连接到加热层6上，使得主加热区9连接到加热层6的连接装置10 并且15'具有欧姆电阻器，其允许在施加电源电压之后附加加热区14被加热，并且线加热器元件15,15' 加热元件15和15'被布置成使得在加热元件15和15'的部分18a和18b之间施加电源电压之后，加热电流流过加热层14，其被设计成使得附加加热区14可以横向加热。

6. 发明公开

KR1020120110115A 메모리 수리에 대한 적응적 처리 제약 有权
标题翻译：用于记忆修复的自适应处理约束
公开(公告)号：KR1020120110115A
公开(公告)日：2012-10-09
申请号：KR1020127018124
申请日：2010-10-29
申请人： 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드
发明人： 왓슨다니엘제이 , 코헨뮤어알
IPC分类号： H01L21/82 , H01L21/00
CPC分类号： B23K26/03 , B23K26/082 , B23K26/0853 , B23K26/351 , B23K2201/40 , H01L21/76892 , H01L27/10897
摘要： 레이저-기반 시스템에서 복수의 반도체 부분을 처리하는 장치 및 방법은 복수의 부분 중 적어도 하나의 부분에 대해 수행될 작업을 고려하기 위해 기본 레시피를 조정한다. 기본 레시피 및 기본 레시피의 수정된 파라미터를 포함하는 부분-관련 레시피를 사용하여 그 부분에 대해 수행될 작업이 분석된다. 원하는 처리 결과에 기초하여 기본 또는 부분-관련 레시피가 선택되고, 레이저-기반 시스템을 사용하여 작업을 수행하기 위해 선택된 레시피가 기본 레시피를 대체한다.

7. 发明公开

KR1020120054519A 반도체 발광소자 측정 장치 无效
标题翻译：半导体发光装置测量装置
公开(公告)号：KR1020120054519A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：KR1020110116217
申请日：2011-11-09
申请人： 세이와 덴키 가부시키가이샤
发明人： 스다,슈헤이
IPC分类号： G01J1/00 , G01J1/08 , H01L33/00
CPC分类号： B23K26/0853 , B23K26/032 , B23K26/042 , B23K26/351 , B26D3/06 , Y10T83/141 , Y10T83/145
摘要： PURPOSE: A semiconductor light emitting element measuring device is provided to measure optical properties of a semiconductor light emitting element and to change the optical properties by comprising a cutting unit for cutting a part of a surface of the semiconductor light emitting element. CONSTITUTION: A semiconductor light emitting element measuring device(100) comprises a measuring unit(36) and a cutting unit(33). The measuring unit detects lights from light emitting elements(10,11) and measures optical properties. The cutting unit cuts a part of a surface of the semiconductor light emitting element. The measuring unit comprises a position adjusting unit(38) based on the measured optical properties. The position adjusting unit adjusts a position where the cutting unit cuts.
摘要翻译：目的：提供一种半导体发光元件测量装置，用于测量半导体发光元件的光学特性并通过包括用于切割半导体发光元件的一部分表面的切割单元来改变光学特性。构成：半导体发光元件测量装置（100）包括测量单元（36）和切割单元（33）。测量单元检测发光元件（10,11）的光并测量光学特性。切割单元切割半导体发光元件的表面的一部分。测量单元包括基于所测量的光学特性的位置调整单元（38）。位置调整单元调节切割单元切割的位置。

8. 发明授权

KR100790974B1 퓨즈 포커스 디텍터를 구비한 반도체 소자 및 그 제조방법과 이를 이용한 레이저 리페어 방법 有权
标题翻译：具有保险丝焦点检测器的半导体器件及其制造方法以及使用熔丝对焦检测器的激光修复操作
公开(公告)号：KR100790974B1
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：KR1020050116641
申请日：2005-12-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 방광규 , 이용원 , 신경선 , 주현욱 , 김정규
IPC分类号： H01L21/82
CPC分类号： H01L23/544 , B23K26/351 , H01L23/5258 , H01L2223/5446 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 스크라이브 라인 영역에 형성된 퓨즈 포커스 디텍터를 구비한 반도체 소자 및 그 제조 방법과 이를 이용한 레이저 리페어 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 소자의 칩 영역에는 반도체 기판으로부터 제1 높이의 레벨에 복수의 퓨즈가 형성되어 있다. 스크라이브 라인 영역에는 반도체 기판으로부터 제1 높이의 레벨에 형성된 제1 도전층과, 제1 높이와는 다른 높이의 레벨에 형성된 제2 도전층으로 이루어지는 퓨즈 포커스 디텍터가 형성되어 있다. 퓨즈 포커스 디텍터를 이용하는 레이저 리페어 방법에서는 레이저 리페어 대상 영역을 복수의 소영역으로 분할한 후, 선택된 하나의 소영역 내에서 퓨즈 포커스 디텍터를 소정 방향으로 레이저 스캔하여 레이저 반사광을 측정하여 퓨즈 포커스 디텍터의 두께 정보를 구한다. 상기 두께 정보로부터 선택된 소영역 내에 있는 퓨즈의 포커스 오프셋을 산출한다. 상기 산출된 포커스 오프셋이 허용 범위 이내일 때 선택된 소영역 내에서 퓨즈 컷팅을 행한다.
퓨즈 포커스 디텍터, 스크라이브 라인 영역, 퓨즈, 레이저 리페어

9. 发明授权

KR100754065B1 매립된 저항을 갖는 인쇄회로기판 제조 방법 失效
标题翻译：具有嵌入式电阻的印刷电路板的制造方法
公开(公告)号：KR100754065B1
公开(公告)日：2007-08-31
申请号：KR1020030077949
申请日：2003-11-05
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 조석현 , 강장규 , 선병국 , 홍종국 , 이석규 , 안진용
IPC分类号： H05K3/30
CPC分类号： H05K1/167 , B23K26/351 , B23K2201/42 , H05K1/095 , H05K3/064 , H05K3/108 , H05K2201/0347 , H05K2203/1461 , Y10T29/49082 , Y10T29/49098 , Y10T29/49101 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49151 , Y10T29/49156
摘要： 본 발명은 저항 페이스트를 정확한 모양과 양으로 저항체를 형성하여 저항값을 균일하게 맞춤으로써 레이저 트리밍 작업을 하지 않거나 혹은 최소화 하여, 제조시간을 단축시키고, 인쇄장비의 위치정밀도에 큰 영향을 받지 않으므로, 빠르게 작업조건 설정이 가능하여 생산성을 향상시키며, 스크린 방식 등 의 종래 방식에 비해 균일한 저항 페이스트 도포두께의 확보함으로써 저항값 편차를 개선시키고 쉽게 저항을 형성할 수 있는 매립된 저항을 갖는 인쇄회로기판 제조 방법에 관한 것이다.
매립, 저항, 인쇄회로기판

10. 发明公开

KR1020040104556A 소자배열의 고속, 정밀한 마이크로머시닝을 위한 방법 및 시스템 失效
标题翻译：用于装置阵列的高速精确微加工的方法和系统
公开(公告)号：KR1020040104556A
公开(公告)日：2004-12-10
申请号：KR1020047015434
申请日：2003-03-27
申请人： 지에스아이 그룹 코포레이션
发明人： 브루스,엘.코우치 , 죠나단,에스.에르만 , 윤,피.츄 , 죠지프,브이.렌토 , 쉐퍼드,디.존슨
IPC分类号： B23K26/00 , B23K26/38 , B23K26/16
CPC分类号： H01C17/242 , B23K26/351
摘要： 장치 배열에 고속으로 정밀한 마이크로머시닝을하기위한 방법 및 시스템은 설명되어 졌으며 그것으로써, 레지스터 트리밍의 정확성과 같은 정확성 및 개선된 처리효율이 제공된다. 다수의 저항 측정값은 비측정 절단의 사용, 비 순서적 동일직선상의 절단의 사용, 스팟 팬-아웃 평행 절단의 사용, 동일직선상의 절단을 빠르게하기위해 역행하는 스캐닝 기술들의 사용에 의해 한정된다. 비 순서적 절단은 또한 열효과를 위해 사용되며 측정되어진 절단들은 정확성 개선을 위해 사용되어진다. 시험 전압은 레지스터 손상을 방지하기위해 제어된다.

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